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公开(公告)号：CN112864095A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202010824089.9
申请日：2020-08-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及半导体器件和方法。在实施例中，一种方法包括：形成从衬底延伸的鳍；在鳍上方形成第一栅极掩模，第一栅极掩模具有第一宽度；在鳍上方形成第二栅极掩模，第二栅极掩模具有第二宽度，第二宽度大于第一宽度；在第一栅极掩模和第二栅极掩模上方沉积第一填充层；在第一填充层上方沉积第二填充层；利用化学机械抛光(CMP)工艺对第二填充层进行平坦化，执行CMP工艺直到第一填充层被暴露为止；以及利用回蚀工艺对第二填充层的剩余部分和第一填充层进行平坦化，该回蚀工艺以相同速率蚀刻第一填充层、第二填充层、第一栅极掩模和第二栅极掩模的材料。
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