公开(公告)号：CN112864095A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202010824089.9

申请日：2020-08-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许书维 ,  沈育仁 ,  郑皓云 ,  吴稚伟 ,  陈盈淙 ,  陈盈和

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开涉及半导体器件和方法。在实施例中，一种方法包括：形成从衬底延伸的鳍；在鳍上方形成第一栅极掩模，第一栅极掩模具有第一宽度；在鳍上方形成第二栅极掩模，第二栅极掩模具有第二宽度，第二宽度大于第一宽度；在第一栅极掩模和第二栅极掩模上方沉积第一填充层；在第一填充层上方沉积第二填充层；利用化学机械抛光(CMP)工艺对第二填充层进行平坦化，执行CMP工艺直到第一填充层被暴露为止；以及利用回蚀工艺对第二填充层的剩余部分和第一填充层进行平坦化，该回蚀工艺以相同速率蚀刻第一填充层、第二填充层、第一栅极掩模和第二栅极掩模的材料。

公开(公告)号：CN106935493B

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201611246910.3

申请日：2016-12-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沈育仁 ,  陈盈和 ,  卢永诚

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/306

Abstract: 本案揭露一种形成半导体装置的方法。此方法包含提供一前驱物，其具有一基板和位于基板上的栅极堆叠，而栅极堆叠各包含一电极层、一第一硬罩(HM)层在电极层上，和一第二HM层其在第一HM层上。此方法进一步地包含沉积一介电层在基板和栅极堆叠上，且填充栅极堆叠之间的空间；并且执行一第一化学机械平坦化(CMP)程序以部分地移除介电层。此方法更进一步地包含执行一蚀刻程序以移除第二HM层且部分地移除介电层，借以暴露第一HM层。此方法更进一步地包含执行第二CMP制程直到至少部分地移除第一HM层。

公开(公告)号：CN106935493A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201611246910.3

申请日：2016-12-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沈育仁 ,  陈盈和 ,  卢永诚

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/306

Abstract: 本案揭露一种形成半导体装置的方法。此方法包含提供一前驱物，其具有一基板和位于基板上的栅极堆叠，而栅极堆叠各包含一电极层、一第一硬罩(HM)层在电极层上，和一第二HM层其在第一HM层上。此方法进一步地包含沉积一介电层在基板和栅极堆叠上，且填充栅极堆叠之间的空间；并且执行一第一化学机械平坦化(CMP)程序以部分地移除介电层。此方法更进一步地包含执行一蚀刻程序以移除第二HM层且部分地移除介电层，借以暴露第一HM层。此方法更进一步地包含执行第二CMP制程直到至少部分地移除第一HM层。