-
公开(公告)号：CN110938408B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN201910882243.5
申请日：2019-09-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C09K3/14 , H01L21/768
Abstract: 本发明实施例描述一种金属表面化学机械研磨技术。在金属化学机械研磨浆料中包含一种络合剂或胶束。在化学机械研磨浆料中包含与氧化剂键结的络合剂，以在组合体的核心形成与氧化剂分子的络合物，例如超分子组合体，且前述氧化剂分子被络合剂分子包围。形成的络合物具有增大的尺寸。
-
公开(公告)号：CN110970392B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201910922907.6
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 半导体器件包括位于衬底上方的第一介电层，第一介电层包括从第一介电层的远离衬底的第一侧延伸到第一介电层的与第一侧相对的第二侧的第一介电材料；第二介电层，位于第一介电层上方；导线，位于第一介电层中，导线包括第一导电材料，导线的上表面比第一介电层的上表面更靠近衬底；金属帽，位于第一介电层中，金属帽位于导线上方并物理连接至导线，金属帽包括与第一导电材料不同的第二导电材料；以及通孔，位于第二介电层中并且物理连接到金属帽，该通孔包括第二导电材料。本发明的实施例还涉及一种形成半导体器件的方法。
-
公开(公告)号：CN103367316A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210487708.5
申请日：2012-11-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/768 , H01L23/544
CPC classification number: H01L22/12 , H01L21/7684 , H01L22/30 , H01L23/522 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括衬底和设置在衬底上方的互连结构。互连结构包括多个互连层。互连层中的一层包含：多个金属通孔槽和设置在多个金属通孔槽上方的块体金属元件。本发明还提供了一种方法。该方法包括：提供晶圆以及在晶圆上方形成第一层。该方法包括在第一层上方形成互连结构。形成互连结构包括：在第一层上方形成第二互连层，以及在第二互连层上方形成第三互连层。形成包含多个金属通孔槽和在多个金属通孔槽上方形成的块体金属元件的第二互连层。第三互连层包含一个或多个金属沟槽。本发明提供了通过金属通孔槽减少OCD测量噪声。
-
公开(公告)号：CN110957298B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201910909554.6
申请日：2019-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 根据本申请的实施例，提供了半导体结构及其形成方法。本公开描述了保护金属互连结构免受用于在金属互连结构上方形成其它金属结构的随后化学机械抛光工艺损坏的技术。使金属互连结构凹陷以在金属互连结构和周围介电层之间形成凹槽。在凹槽内形成金属覆盖结构。使介电层的上部变形以包括拉伸应力，该拉伸应力使介电层相对于金属覆盖结构扩展，以减小或消除金属覆盖结构与介电层之间的界面中的间隙。
-
公开(公告)号：CN110957217A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910921765.1
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/321 , C09K3/14
Abstract: 本公开描述研磨浆的形成方法及用于制造半导体装置的化学机械研磨工艺的方法。这些方法可对包含有着向下连接至半导体基底的钌接触插塞的积体接触结构的半导体装置来进行。研磨浆可透过将第一研磨剂、第二研磨剂、反应物及溶剂混合来形成。第一研磨剂可包含第一微粒，第一微粒包含二氧化钛粒子，且第二研磨剂可包含不同于第一微粒的第二微粒。研磨浆可用于从工件的表面移除钌材料及介电材料的化学机械研磨工艺，以实现用于平坦轮廓的表面的较好的裸片内装载及平坦化。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109599339A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811132823.4
申请日：2018-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 一种方法包括在衬底上形成第一栅极结构，其中第一栅极结构由第一介电层围绕；在第一栅极结构上和第一介电层上形成掩模结构，其中形成掩模结构包括在所述第一栅极结构的上表面上选择性地形成第一覆盖层；在第一覆盖层周围形成第二介电层。该方法还包括在掩模结构上形成图案化的介电层，图案化的介电层暴露掩模结构的一部分；去除掩模结构的暴露部分和掩模结构的暴露部分下面的第一介电层的一部分，从而形成凹槽，该凹槽暴露与第一栅极结构相邻的源极/漏极区；以及用导电材料填充凹槽。本发明的实施例还涉及鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。
-
公开(公告)号：CN106558484A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201510837506.2
申请日：2015-11-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种化学机械抛光后清洁及设备，其包含使用第一刷子对晶片执行第一化学机械抛光CMP后清洁。所述第一刷子旋转以清洁所述晶片。本发明的方法进一步包含使用第二刷子对所述晶片执行第二CMP后清洁。所述第二刷子旋转以清洁所述晶片。所述第一CMP后清洁与所述第二CMP后清洁是同时执行。
-
公开(公告)号：CN114864392A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210280514.1
申请日：2022-03-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 本公开的一些实施例提供一种半导体处理工具。半导体处理工具包括一清洁腔室。清洁腔室被配置为以无氧(或接近无氧)方式执行化学机械平坦化后清洁操作。可将惰性气体提供至清洁腔室中，以从清洁腔室中移除氧气，使得可在无氧(或接近无氧)环境中执行化学机械平坦化后清洁操作。如此一来，可在降低半导体晶圆上和/或半导体晶圆中的金属化层和/或金属化结构的氧引起的腐蚀的环境中执行化学机械平坦化后清洁操作，这可增加半导体制程良率、可降低半导体制程缺陷和/或可提高半导体制程品质等。
-
公开(公告)号：CN106558484B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201510837506.2
申请日：2015-11-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种化学机械抛光后清洁及设备，其包含使用第一刷子对晶片执行第一化学机械抛光CMP后清洁。所述第一刷子旋转以清洁所述晶片。本发明的方法进一步包含使用第二刷子对所述晶片执行第二CMP后清洁。所述第二刷子旋转以清洁所述晶片。所述第一CMP后清洁与所述第二CMP后清洁是同时执行。
-
公开(公告)号：CN110871398A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910796845.9
申请日：2019-08-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/04 , B24B37/34 , B24B57/02 , F24H1/00 , F24H1/16 , F24H9/18 , F24H9/20 , G05D23/20 , H01L21/67
Abstract: 本发明实施例涉及化学液体加热系统与化学机械抛光的方法。本揭露提供一种化学液体加热系统，所述化学液体加热系统包含：第一导管，用于输送化学液体；施配头，其经连接到所述第一导管；及辐射加热元件，其经配置以加热所述第一导管中的所述化学液体且经定位于所述施配头的上游处。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
33
records
(took 0.028 seconds)
