公开(公告)号：CN103367316A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201210487708.5

申请日：2012-11-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡及铭 ,  陈亮光 ,  郭涵馨 ,  黄富明 ,  廖浩任 ,  梁明中

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L21/7684 ,  H01L22/30 ,  H01L23/522 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括衬底和设置在衬底上方的互连结构。互连结构包括多个互连层。互连层中的一层包含：多个金属通孔槽和设置在多个金属通孔槽上方的块体金属元件。本发明还提供了一种方法。该方法包括：提供晶圆以及在晶圆上方形成第一层。该方法包括在第一层上方形成互连结构。形成互连结构包括：在第一层上方形成第二互连层，以及在第二互连层上方形成第三互连层。形成包含多个金属通孔槽和在多个金属通孔槽上方形成的块体金属元件的第二互连层。第三互连层包含一个或多个金属沟槽。本发明提供了通过金属通孔槽减少OCD测量噪声。

公开(公告)号：CN104752338A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410843919.7

申请日：2014-12-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭涵馨 ,  柯忠祁 ,  杨能杰 ,  黄富明 ,  蔡及铭 ,  陈亮光

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76822 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种互连件和形成用于半导体器件的互连件的方法。通过处理介电层的上表面以产生高密度层来形成互连件。例如，处理可以包括使用六甲基二硅氮烷(HMDS)、三甲基硅烷基二乙胺(TMSDEA)或乙酸三甲基硅酯(OTMSA)生成高密度单层。处理之后，可以图案化介电层以生成随后用导电材料填充的开口。例如，可以使用化学机械抛光去除过量的导电材料。本发明涉及用于半导体器件的互连结构。

公开(公告)号：CN102222641B

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201010198417.5

申请日：2010-06-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 潘兴强 ,  郭涵馨 ,  柯忠祁 ,  谢静华

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089

Abstract: 本发明公开了一种铜内连线结构，包含铜层、内衬层以及障壁层。铜层形成于介电层内，内衬层形成于铜层与介电层之间，障壁层形成于内衬层与介电层间的边界，且障壁层由金属氧化物所形成。

公开(公告)号：CN102222641A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201010198417.5

申请日：2010-06-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 潘兴强 ,  郭涵馨 ,  柯忠祁 ,  谢静华

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089

Abstract: 本发明公开了一种铜内连线结构，包含铜层、内衬层以及障壁层。铜层形成于介电层内，内衬层形成于铜层与介电层之间，障壁层形成于内衬层与介电层间的边界，且障壁层由金属氧化物所形成。

公开(公告)号：CN104752338B

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201410843919.7

申请日：2014-12-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭涵馨 ,  柯忠祁 ,  杨能杰 ,  黄富明 ,  蔡及铭 ,  陈亮光

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明提供了一种互连件和形成用于半导体器件的互连件的方法。通过处理介电层的上表面以产生高密度层来形成互连件。例如，处理可以包括使用六甲基二硅氮烷(HMDS)、三甲基硅烷基二乙胺(TMSDEA)或乙酸三甲基硅酯(OTMSA)生成高密度单层。处理之后，可以图案化介电层以生成随后用导电材料填充的开口。例如，可以使用化学机械抛光去除过量的导电材料。本发明涉及用于半导体器件的互连结构。

公开(公告)号：CN103367316B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201210487708.5

申请日：2012-11-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡及铭 ,  陈亮光 ,  郭涵馨 ,  黄富明 ,  廖浩任 ,  梁明中

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L21/7684 ,  H01L22/30 ,  H01L23/522 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括衬底和设置在衬底上方的互连结构。互连结构包括多个互连层。互连层中的一层包含：多个金属通孔槽和设置在多个金属通孔槽上方的块体金属元件。本发明还提供了一种方法。该方法包括：提供晶圆以及在晶圆上方形成第一层。该方法包括在第一层上方形成互连结构。形成互连结构包括：在第一层上方形成第二互连层，以及在第二互连层上方形成第三互连层。形成包含多个金属通孔槽和在多个金属通孔槽上方形成的块体金属元件的第二互连层。第三互连层包含一个或多个金属沟槽。本发明提供了通过金属通孔槽减少OCD测量噪声。