公开(公告)号：CN103367316B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201210487708.5

申请日：2012-11-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡及铭 ,  陈亮光 ,  郭涵馨 ,  黄富明 ,  廖浩任 ,  梁明中

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L21/7684 ,  H01L22/30 ,  H01L23/522 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括衬底和设置在衬底上方的互连结构。互连结构包括多个互连层。互连层中的一层包含：多个金属通孔槽和设置在多个金属通孔槽上方的块体金属元件。本发明还提供了一种方法。该方法包括：提供晶圆以及在晶圆上方形成第一层。该方法包括在第一层上方形成互连结构。形成互连结构包括：在第一层上方形成第二互连层，以及在第二互连层上方形成第三互连层。形成包含多个金属通孔槽和在多个金属通孔槽上方形成的块体金属元件的第二互连层。第三互连层包含一个或多个金属沟槽。本发明提供了通过金属通孔槽减少OCD测量噪声。

公开(公告)号：CN103367316A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201210487708.5

申请日：2012-11-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡及铭 ,  陈亮光 ,  郭涵馨 ,  黄富明 ,  廖浩任 ,  梁明中

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L21/7684 ,  H01L22/30 ,  H01L23/522 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括衬底和设置在衬底上方的互连结构。互连结构包括多个互连层。互连层中的一层包含：多个金属通孔槽和设置在多个金属通孔槽上方的块体金属元件。本发明还提供了一种方法。该方法包括：提供晶圆以及在晶圆上方形成第一层。该方法包括在第一层上方形成互连结构。形成互连结构包括：在第一层上方形成第二互连层，以及在第二互连层上方形成第三互连层。形成包含多个金属通孔槽和在多个金属通孔槽上方形成的块体金属元件的第二互连层。第三互连层包含一个或多个金属沟槽。本发明提供了通过金属通孔槽减少OCD测量噪声。