公开(公告)号：CN109755207B

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN201810730520.6

申请日：2018-07-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宗徽 ,  余振华 ,  蔡及铭 ,  郭宏瑞 ,  何明哲

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明实施例公开多种集成扇出型封装及其形成方法。一种集成扇出型封装包括凸块结构、聚合物层以及金属层。凸块结构包括金属垫以及与金属垫电连接的凸块。聚合物层从凸块的侧壁侧向延伸。金属层覆盖凸块结构并与金属垫的侧表面实体接触。

公开(公告)号：CN112018061A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010155641.X

申请日：2020-03-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄子松 ,  曾明鸿 ,  林彦良 ,  蔡豪益 ,  蔡及铭 ,  刘重希 ,  林志伟 ,  何明哲

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768

Abstract: 在实施例中，半导体器件包括：集成电路管芯；至少部分地围绕集成电路管芯的密封剂，该密封剂包括具有平均直径的填充剂；延伸穿过密封剂的通孔，通孔的下部具有恒定的宽度，并且通孔的上部具有连续减小的宽度，上部的厚度大于填充剂的平均直径；以及再分布结构，包括：位于通孔、密封剂和集成电路管芯上的介电层；以及金属化图案，具有延伸穿过介电层的通孔部分和沿着介电层延伸的线部分，金属化图案电连接至通孔和集成电路管芯。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN103367316A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201210487708.5

申请日：2012-11-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡及铭 ,  陈亮光 ,  郭涵馨 ,  黄富明 ,  廖浩任 ,  梁明中

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L21/7684 ,  H01L22/30 ,  H01L23/522 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括衬底和设置在衬底上方的互连结构。互连结构包括多个互连层。互连层中的一层包含：多个金属通孔槽和设置在多个金属通孔槽上方的块体金属元件。本发明还提供了一种方法。该方法包括：提供晶圆以及在晶圆上方形成第一层。该方法包括在第一层上方形成互连结构。形成互连结构包括：在第一层上方形成第二互连层，以及在第二互连层上方形成第三互连层。形成包含多个金属通孔槽和在多个金属通孔槽上方形成的块体金属元件的第二互连层。第三互连层包含一个或多个金属沟槽。本发明提供了通过金属通孔槽减少OCD测量噪声。

公开(公告)号：CN106941077A

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201611193089.3

申请日：2016-12-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 颜妤庭 ,  黄惠琪 ,  蔡及铭

IPC: H01L21/306 ,  B08B3/08 ,  B08B3/02 ,  B08B1/00 ,  G01N21/65

CPC classification number: H01L22/12 ,  G01N15/0211 ,  G01N15/1459 ,  G01N21/3563 ,  G01N21/53 ,  G01N21/55 ,  G01N21/59 ,  G01N21/65 ,  G01N21/94 ,  G01N21/9501 ,  G01N2015/0053 ,  G01N2015/0222 ,  G01N2015/1486 ,  G01N2015/1493 ,  G01N2021/3568 ,  G01N2021/3595 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/30625 ,  B08B1/00 ,  B08B1/002 ,  B08B3/02 ,  B08B3/08

Abstract: 一种半导体工艺方法，包括在一晶片上执行化学机械研磨，将晶片放置在一夹具上，在晶片上执行一化学机械研磨后清洁，以及当晶片位在夹具上时，确定晶片的清洁度。

公开(公告)号：CN104752338A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410843919.7

申请日：2014-12-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭涵馨 ,  柯忠祁 ,  杨能杰 ,  黄富明 ,  蔡及铭 ,  陈亮光

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76822 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种互连件和形成用于半导体器件的互连件的方法。通过处理介电层的上表面以产生高密度层来形成互连件。例如，处理可以包括使用六甲基二硅氮烷(HMDS)、三甲基硅烷基二乙胺(TMSDEA)或乙酸三甲基硅酯(OTMSA)生成高密度单层。处理之后，可以图案化介电层以生成随后用导电材料填充的开口。例如，可以使用化学机械抛光去除过量的导电材料。本发明涉及用于半导体器件的互连结构。

公开(公告)号：CN115579341A

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202211175220.9

申请日：2020-03-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄子松 ,  曾明鸿 ,  林彦良 ,  蔡豪益 ,  蔡及铭 ,  刘重希 ,  林志伟 ,  何明哲

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768

Abstract: 在实施例中，半导体器件包括：集成电路管芯；至少部分地围绕集成电路管芯的密封剂，该密封剂包括具有平均直径的填充剂；延伸穿过密封剂的通孔，通孔的下部具有恒定的宽度，并且通孔的上部具有连续减小的宽度，上部的厚度大于填充剂的平均直径；以及再分布结构，包括：位于通孔、密封剂和集成电路管芯上的介电层；以及金属化图案，具有延伸穿过介电层的通孔部分和沿着介电层延伸的线部分，金属化图案电连接至通孔和集成电路管芯。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN112018061B

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202010155641.X

申请日：2020-03-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄子松 ,  曾明鸿 ,  林彦良 ,  蔡豪益 ,  蔡及铭 ,  刘重希 ,  林志伟 ,  何明哲

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768

Abstract: 在实施例中，半导体器件包括：集成电路管芯；至少部分地围绕集成电路管芯的密封剂，该密封剂包括具有平均直径的填充剂；延伸穿过密封剂的通孔，通孔的下部具有恒定的宽度，并且通孔的上部具有连续减小的宽度，上部的厚度大于填充剂的平均直径；以及再分布结构，包括：位于通孔、密封剂和集成电路管芯上的介电层；以及金属化图案，具有延伸穿过介电层的通孔部分和沿着介电层延伸的线部分，金属化图案电连接至通孔和集成电路管芯。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN109755207A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201810730520.6

申请日：2018-07-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宗徽 ,  余振华 ,  蔡及铭 ,  郭宏瑞 ,  何明哲

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明实施例公开多种集成扇出型封装及其形成方法。一种集成扇出型封装包括凸块结构、聚合物层以及金属层。凸块结构包括金属垫以及与金属垫电连接的凸块。聚合物层从凸块的侧壁侧向延伸。金属层覆盖凸块结构并与金属垫的侧表面实体接触。

公开(公告)号：CN104752338B

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201410843919.7

申请日：2014-12-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭涵馨 ,  柯忠祁 ,  杨能杰 ,  黄富明 ,  蔡及铭 ,  陈亮光

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明提供了一种互连件和形成用于半导体器件的互连件的方法。通过处理介电层的上表面以产生高密度层来形成互连件。例如，处理可以包括使用六甲基二硅氮烷(HMDS)、三甲基硅烷基二乙胺(TMSDEA)或乙酸三甲基硅酯(OTMSA)生成高密度单层。处理之后，可以图案化介电层以生成随后用导电材料填充的开口。例如，可以使用化学机械抛光去除过量的导电材料。本发明涉及用于半导体器件的互连结构。

公开(公告)号：CN103367316B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201210487708.5

申请日：2012-11-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡及铭 ,  陈亮光 ,  郭涵馨 ,  黄富明 ,  廖浩任 ,  梁明中

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L21/7684 ,  H01L22/30 ,  H01L23/522 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括衬底和设置在衬底上方的互连结构。互连结构包括多个互连层。互连层中的一层包含：多个金属通孔槽和设置在多个金属通孔槽上方的块体金属元件。本发明还提供了一种方法。该方法包括：提供晶圆以及在晶圆上方形成第一层。该方法包括在第一层上方形成互连结构。形成互连结构包括：在第一层上方形成第二互连层，以及在第二互连层上方形成第三互连层。形成包含多个金属通孔槽和在多个金属通孔槽上方形成的块体金属元件的第二互连层。第三互连层包含一个或多个金属沟槽。本发明提供了通过金属通孔槽减少OCD测量噪声。