公开(公告)号：CN106941077A

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201611193089.3

申请日：2016-12-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 颜妤庭 ,  黄惠琪 ,  蔡及铭

IPC: H01L21/306 ,  B08B3/08 ,  B08B3/02 ,  B08B1/00 ,  G01N21/65

CPC classification number: H01L22/12 ,  G01N15/0211 ,  G01N15/1459 ,  G01N21/3563 ,  G01N21/53 ,  G01N21/55 ,  G01N21/59 ,  G01N21/65 ,  G01N21/94 ,  G01N21/9501 ,  G01N2015/0053 ,  G01N2015/0222 ,  G01N2015/1486 ,  G01N2015/1493 ,  G01N2021/3568 ,  G01N2021/3595 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/30625 ,  B08B1/00 ,  B08B1/002 ,  B08B3/02 ,  B08B3/08

Abstract: 一种半导体工艺方法，包括在一晶片上执行化学机械研磨，将晶片放置在一夹具上，在晶片上执行一化学机械研磨后清洁，以及当晶片位在夹具上时，确定晶片的清洁度。

公开(公告)号：CN110153872B

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN201810151121.4

申请日：2018-02-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 颜妤庭 ,  张庭魁 ,  黄富明 ,  林均洁 ,  魏国修

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/04 ,  B24B37/30 ,  B24B37/005 ,  B24B37/34 ,  B24B49/04 ,  B24B57/02 ,  H01L21/306

Abstract: 一种研磨系统，包含一研磨平台、一研磨垫、一晶片夹持装置、一检测装置、一控制装置以及一推动机构。研磨垫连接研磨平台并被研磨平台驱动旋转。晶片夹持装置配置以夹持一晶片。检测装置配置以检测晶片的厚度以产生一厚度信息。厚度信息包含对应晶片的一第一区域的一第一厚度以及对应于晶片的一第二区域的一第二厚度。控制装置配置以根据第一厚度与第二厚度的差值以产生一驱动信号。推动机构配置以根据驱动信号提供一推力，以使晶片接触研磨垫以削减至目标厚度。

公开(公告)号：CN110153872A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201810151121.4

申请日：2018-02-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 颜妤庭 ,  张庭魁 ,  黄富明 ,  林均洁 ,  魏国修

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/04 ,  B24B37/30 ,  B24B37/005 ,  B24B37/34 ,  B24B49/04 ,  B24B57/02 ,  H01L21/306

Abstract: 一种研磨系统，包含一研磨平台、一研磨垫、一晶片夹持装置、一检测装置、一控制装置以及一推动机构。研磨垫连接研磨平台并被研磨平台驱动旋转。晶片夹持装置配置以夹持一晶片。检测装置配置以检测晶片的厚度以产生一厚度信息。厚度信息包含对应晶片的一第一区域的一第一厚度以及对应于晶片的一第二区域的一第二厚度。控制装置配置以根据第一厚度与第二厚度的差值以产生一驱动信号。推动机构配置以根据驱动信号提供一推力，以使晶片接触研磨垫以削减至目标厚度。