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公开(公告)号：CN106558484A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201510837506.2
申请日：2015-11-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种化学机械抛光后清洁及设备，其包含使用第一刷子对晶片执行第一化学机械抛光CMP后清洁。所述第一刷子旋转以清洁所述晶片。本发明的方法进一步包含使用第二刷子对所述晶片执行第二CMP后清洁。所述第二刷子旋转以清洁所述晶片。所述第一CMP后清洁与所述第二CMP后清洁是同时执行。
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公开(公告)号：CN110153872B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201810151121.4
申请日：2018-02-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/10 , B24B37/04 , B24B37/30 , B24B37/005 , B24B37/34 , B24B49/04 , B24B57/02 , H01L21/306
Abstract: 一种研磨系统，包含一研磨平台、一研磨垫、一晶片夹持装置、一检测装置、一控制装置以及一推动机构。研磨垫连接研磨平台并被研磨平台驱动旋转。晶片夹持装置配置以夹持一晶片。检测装置配置以检测晶片的厚度以产生一厚度信息。厚度信息包含对应晶片的一第一区域的一第一厚度以及对应于晶片的一第二区域的一第二厚度。控制装置配置以根据第一厚度与第二厚度的差值以产生一驱动信号。推动机构配置以根据驱动信号提供一推力，以使晶片接触研磨垫以削减至目标厚度。
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公开(公告)号：CN106558484B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201510837506.2
申请日：2015-11-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种化学机械抛光后清洁及设备，其包含使用第一刷子对晶片执行第一化学机械抛光CMP后清洁。所述第一刷子旋转以清洁所述晶片。本发明的方法进一步包含使用第二刷子对所述晶片执行第二CMP后清洁。所述第二刷子旋转以清洁所述晶片。所述第一CMP后清洁与所述第二CMP后清洁是同时执行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110153872A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201810151121.4
申请日：2018-02-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/10 , B24B37/04 , B24B37/30 , B24B37/005 , B24B37/34 , B24B49/04 , B24B57/02 , H01L21/306
Abstract: 一种研磨系统，包含一研磨平台、一研磨垫、一晶片夹持装置、一检测装置、一控制装置以及一推动机构。研磨垫连接研磨平台并被研磨平台驱动旋转。晶片夹持装置配置以夹持一晶片。检测装置配置以检测晶片的厚度以产生一厚度信息。厚度信息包含对应晶片的一第一区域的一第一厚度以及对应于晶片的一第二区域的一第二厚度。控制装置配置以根据第一厚度与第二厚度的差值以产生一驱动信号。推动机构配置以根据驱动信号提供一推力，以使晶片接触研磨垫以削减至目标厚度。
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公开(公告)号：CN119008517A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410550370.6
申请日：2024-05-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 提供用于化学机械研磨(CMP)的方法及用于形成半导体装置的互连结构的方法。方法包括以下步骤：利用CMP浆料在介电结构的表面上执行CMP，以移除形成在该介电结构中且具有由该表面曝露的至少第一层的金属层的一部分。在一些实例中，该CMP浆料包括磨料、氧化剂及用以减少该磨料在该介电结构的表面上的聚集的化合物。在一些实例中，该化合物具有正离子，这些正离子与该磨料相互作用以减少该磨料在介电材料上的聚集。在一些实例中，该CMP浆料包含氢氧化钾。在一些实例中，该化合物包括铵盐。
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公开(公告)号：CN115064483A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210500025.2
申请日：2022-05-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 在一示例面向，本公开是关于一种半导体装置的形成方法。此方法包括接收在半导体基板上方具有导电部件的工作件，在导电部件上方形成牺牲材料层，去除牺牲材料层的第一部分以形成导线沟槽，并且露出在导线沟槽之一中的导电部件的顶表面；在导线沟槽中形成导线部件，去除牺牲材料层的第二部分以形成导线部件之间的间隙，以及在间隙中形成介电部件，介电部件包围气隙。
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公开(公告)号：CN110556360B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201910211336.5
申请日：2019-03-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了用于在不使用粘合层或阻挡层的情况下在介电层中形成导电部件的方法以及由其形成的器件。在一些实施例中，结构包括位于衬底上方的介电层以及设置为穿过介电层的导电部件。介电层具有靠近衬底的下表面和远离衬底的顶面。导电部件与介电层直接接触，并且介电层包括注入物质。介电层中的注入物质的浓度在介电层的顶面附近具有峰值浓度，并且注入物质的浓度在朝向介电层的下表面的方向上从峰值浓度降低。本发明的实施例还涉及使用注入防止金属损失。
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公开(公告)号：CN110556360A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910211336.5
申请日：2019-03-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了用于在不使用粘合层或阻挡层的情况下在介电层中形成导电部件的方法以及由其形成的器件。在一些实施例中，结构包括位于衬底上方的介电层以及设置为穿过介电层的导电部件。介电层具有靠近衬底的下表面和远离衬底的顶面。导电部件与介电层直接接触，并且介电层包括注入物质。介电层中的注入物质的浓度在介电层的顶面附近具有峰值浓度，并且注入物质的浓度在朝向介电层的下表面的方向上从峰值浓度降低。本发明的实施例还涉及使用注入防止金属损失。
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