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公开(公告)号：CN109801967A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811241505.1
申请日：2018-10-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L27/088 , H01L21/336 , H01L21/8234
Abstract: 提供半导体结构及其形成方法，半导体结构包含栅极结构、源极/漏极结构、第一接触插塞和第一通孔插塞。栅极结构位于鳍结构上方。源极/漏极结构位于鳍结构中，并与栅极结构相邻。第一接触插塞位于源极/漏极结构上方。第一通孔插塞位于第一接触插塞上方，第一通孔插塞包含第一组IV元素。
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公开(公告)号：CN109728071A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201810392917.9
申请日：2018-04-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明通常涉及半导体器件中的导电部件的掺杂。在实例中，结构包括晶体管的有源区域。有源区域包括源极/漏极区域，并且源极/漏极区域至少部分地由具有第一掺杂剂浓度的第一掺杂剂限定。源极/漏极区域还包括第二掺杂剂，其中，第二掺杂剂的浓度分布具有从源极/漏极区域的表面至源极/漏极区域的深度的一致浓度。一致浓度大于第一掺杂剂浓度。该结构还包括在源极/漏极区域的表面处接触源极/漏极区域的导电部件。本发明的实施例还涉及掺杂具有导电部件的半导体器件。
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公开(公告)号：CN113140542B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202110373397.9
申请日：2021-04-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本公开涉及连接结构及其形成方法。一种连接结构，包括：第一电介质层，其设置在衬底和导电特征之上；掺杂电介质层，其设置在第一电介质层之上；第一金属部分，其设置在第一电介质层中并与导电特征接触；以及掺杂金属部分，其设置在第一金属部分之上。第一金属部分和掺杂金属部分包括相同的贵金属材料。掺杂电介质层和掺杂金属部分包括相同的掺杂剂。
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公开(公告)号：CN116264163A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202310075111.8
申请日：2023-01-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体装置及其形成方法，形成半导体装置的方法包括：在一基板的一第一区上方形成一第一虚设栅极结构且在该基板的一第二区上方形成一第二虚设栅极结构，该基板的该第一区及该第二区具有一第一复合物，该第一复合物具有一第一蚀刻速度；侧向相邻于该第一虚设栅极结构通过掺杂剂对该基板的该第一区进行布植，其中在该对该第一区进行布植之后，该第一区具有一第二复合物，该第二复合物具有一第二蚀刻速度，该第二蚀刻速度不同于该第一蚀刻速度；在该基板的具有该第二复合物的该第一区中蚀刻一第一凹部，及在具有该第一复合物的该第二区中蚀刻一第二凹部；及在该第一凹部中磊晶生长一第一源极/漏极区及在该第二凹部中磊晶生长一第二源极/漏极区。
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公开(公告)号：CN109728071B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201810392917.9
申请日：2018-04-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明通常涉及半导体器件中的导电部件的掺杂。在实例中，结构包括晶体管的有源区域。有源区域包括源极/漏极区域，并且源极/漏极区域至少部分地由具有第一掺杂剂浓度的第一掺杂剂限定。源极/漏极区域还包括第二掺杂剂，其中，第二掺杂剂的浓度分布具有从源极/漏极区域的表面至源极/漏极区域的深度的一致浓度。一致浓度大于第一掺杂剂浓度。该结构还包括在源极/漏极区域的表面处接触源极/漏极区域的导电部件。本发明的实施例还涉及掺杂具有导电部件的半导体器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110323221A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201811132555.6
申请日：2018-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 提供半导体结构，半导体结构包含栅极结构、源极/漏极结构、介电层、接触插塞。栅极结构位于鳍结构上方，源极/漏极结构位于鳍结构中且与栅极结构相邻，介电层位于栅极结构和源极/漏极结构上方，接触插塞穿透介电层，接触插塞包含第一金属化合物，第一金属化合物包含第III族元素、第IV族元素、第V族元素的其中一者或其组合。
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公开(公告)号：CN110648918B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN201910511115.X
申请日：2019-06-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/08 , H01L21/324
Abstract: 一种半导体结构的制造方法以及一种半导体结构。在此公开的实施例关于使用在纳秒级下进行的布植工艺和熔融退火工艺，以同时达到高表面浓度(表面堆积)掺质轮廓和逆行掺质轮廓。在一实施例中，此方法包含在基底上的主动区中形成源极/漏极结构，源极/漏极结构包含第一区，第一区包含锗，将第一掺质布植至源极/漏极结构的第一区中以在源极/漏极结构的至少第一区中形成非晶区，将第二掺质布植至包含第一掺质的非晶区中，以及加热源极/漏极结构以至少将非晶区液化并转换成结晶区，结晶区包含第一掺质和第二掺质。
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公开(公告)号：CN113921519A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110626605.1
申请日：2021-06-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本公开涉及半导体器件及方法。公开了用于改善接触插塞和相邻的介质层层之间的密封的方法及其形成的半导体器件。在一个实施例中，一种半导体器件包括：第一电介质层，位于导电特征之上，该第一电介质层的第一部分包括第一掺杂剂；金属特征，电耦合到导电特征，该金属特征包括：第一接触件材料，与导电特征接触；第二接触件材料，位于第一接触件材料之上，第二接触件材料包括与第一接触件材料不同的材料，第二接触件材料的第一部分还包括第一掺杂剂；以及电介质衬里，位于第一电介质层和金属特征之间，电介质衬里的第一部分包括第一掺杂剂。
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公开(公告)号：CN112447715A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010883722.1
申请日：2020-08-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本申请公开了FINFET器件和方法。一种器件，包括从半导体衬底延伸的鳍；在鳍之上的栅极堆叠；在栅极堆叠的侧壁上的第一间隔件；在与第一间隔件相邻的鳍中的源极/漏极区域；在栅极堆叠、第一间隔件和源极/漏极区域之上延伸的层间电介质层(ILD)，ILD具有第一部分和第二部分，其中ILD的第二部分比ILD的第一部分更靠近栅极堆叠；延伸穿过ILD并接触源极/漏极区域的接触插塞；在接触插塞的侧壁上的第二间隔件；以及第一隔离件和第二隔离件之间的气隙，其中，ILD的第一部分延伸穿过气隙并与第二间隔件物理接触，其中，ILD的第一部分密封气隙。
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公开(公告)号：CN112447715B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202010883722.1
申请日：2020-08-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请公开了FINFET器件和方法。一种器件，包括从半导体衬底延伸的鳍；在鳍之上的栅极堆叠；在栅极堆叠的侧壁上的第一间隔件；在与第一间隔件相邻的鳍中的源极/漏极区域；在栅极堆叠、第一间隔件和源极/漏极区域之上延伸的层间电介质层(ILD)，ILD具有第一部分和第二部分，其中ILD的第二部分比ILD的第一部分更靠近栅极堆叠；延伸穿过ILD并接触源极/漏极区域的接触插塞；在接触插塞的侧壁上的第二间隔件；以及第一隔离件和第二隔离件之间的气隙，其中，ILD的第一部分延伸穿过气隙并与第二间隔件物理接触，其中，ILD的第一部分密封气隙。
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