公开(公告)号：CN109801967A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201811241505.1

申请日：2018-10-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢东伯 ,  刘书豪 ,  刘虹志 ,  黄净惠 ,  黄玠瑝 ,  谭伦光 ,  张惠政 ,  陈亮吟 ,  陈国儒

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供半导体结构及其形成方法，半导体结构包含栅极结构、源极/漏极结构、第一接触插塞和第一通孔插塞。栅极结构位于鳍结构上方。源极/漏极结构位于鳍结构中，并与栅极结构相邻。第一接触插塞位于源极/漏极结构上方。第一通孔插塞位于第一接触插塞上方，第一通孔插塞包含第一组IV元素。

公开(公告)号：CN110323221A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201811132555.6

申请日：2018-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈国儒 ,  刘书豪 ,  龚俊豪 ,  陈亮吟 ,  张惠政 ,  陈科维 ,  黄惠琪 ,  廖高锋 ,  陈志宏 ,  黄玠瑝 ,  谭伦光 ,  游伟明

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供半导体结构，半导体结构包含栅极结构、源极/漏极结构、介电层、接触插塞。栅极结构位于鳍结构上方，源极/漏极结构位于鳍结构中且与栅极结构相邻，介电层位于栅极结构和源极/漏极结构上方，接触插塞穿透介电层，接触插塞包含第一金属化合物，第一金属化合物包含第III族元素、第IV族元素、第V族元素的其中一者或其组合。