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发明公开
半导体结构审中-实审

公开(公告)号：CN109801967A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201811241505.1

申请日：2018-10-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢东伯 , 刘书豪 , 刘虹志 , 黄净惠 , 黄玠瑝 , 谭伦光 , 张惠政 , 陈亮吟 , 陈国儒

IPC: H01L29/78 , H01L27/088 , H01L21/336 , H01L21/8234

Abstract: 提供半导体结构及其形成方法，半导体结构包含栅极结构、源极/漏极结构、第一接触插塞和第一通孔插塞。栅极结构位于鳍结构上方。源极/漏极结构位于鳍结构中，并与栅极结构相邻。第一接触插塞位于源极/漏极结构上方。第一通孔插塞位于第一接触插塞上方，第一通孔插塞包含第一组IV元素。

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