公开(公告)号：CN115020341A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210087395.8

申请日：2022-01-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张哲纶 ,  苏品全 ,  黄歆杰 ,  吴明园 ,  林子凯 ,  王育文 ,  许哲源

IPC: H01L21/8234

Abstract: 一种半导体装置的形成方法，包括；形成第一外延层于基板上方，以形成晶圆；沉积介电层于第一外延层上方；图案化介电层以形成开口；通过开口蚀刻第一外延层，以形成凹槽；形成第二外延层于凹槽中；蚀刻介电层，以露出第一外延层的顶表面；及平坦化第一外延层的露出的顶表面及第二外延层的顶表面。

公开(公告)号：CN105280639A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510312286.1

申请日：2015-06-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张简旭珂 ,  林子凯 ,  郑志成

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

Abstract: 提供了半导体器件的结构和形成方法。半导体器件包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的鳍结构。半导体器件还包括覆盖鳍结构的一部分的栅极堆叠件和位于鳍结构的上方并且与栅极堆叠件相邻的外延生长的源极/漏极结构。半导体器件还包括位于外延生长的源极/漏极结构的上方的半导体保护层。半导体保护层具有比外延生长的源极/漏极结构的碳原子浓度更大的碳原子浓度。本发明还涉及鳍式场效应晶体管的结构和形成方法。

公开(公告)号：CN105280639B

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201510312286.1

申请日：2015-06-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张简旭珂 ,  林子凯 ,  郑志成

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了半导体器件的结构和形成方法。半导体器件包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的鳍结构。半导体器件还包括覆盖鳍结构的一部分的栅极堆叠件和位于鳍结构的上方并且与栅极堆叠件相邻的外延生长的源极/漏极结构。半导体器件还包括位于外延生长的源极/漏极结构的上方的半导体保护层。半导体保护层具有比外延生长的源极/漏极结构的碳原子浓度更大的碳原子浓度。本发明还涉及鳍式场效应晶体管的结构和形成方法。

公开(公告)号：CN105304709A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201410800225.5

申请日：2014-12-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张简旭珂 ,  林子凯 ,  郑志成

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供了半导体器件的结构和形成方法。该半导体器件包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的鳍结构。该半导体器件也包括覆盖鳍结构的一部分的栅极堆叠件以及位于鳍结构上方并且邻近栅极堆叠件的外延生长的源极/漏极结构。该半导体器件还包括位于外延生长的源极/漏极结构上方的半导体保护层。半导体保护层的硅原子浓度大于外延生长的源极/漏极结构的硅原子浓度。

公开(公告)号：CN110871398A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910796845.9

申请日：2019-08-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 骥·崔 ,  张家熏 ,  陈志宏 ,  陈亮光 ,  林子凯 ,  陈其贤 ,  蒯光国

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/34 ,  B24B57/02 ,  F24H1/00 ,  F24H1/16 ,  F24H9/18 ,  F24H9/20 ,  G05D23/20 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明实施例涉及化学液体加热系统与化学机械抛光的方法。本揭露提供一种化学液体加热系统，所述化学液体加热系统包含：第一导管，用于输送化学液体；施配头，其经连接到所述第一导管；及辐射加热元件，其经配置以加热所述第一导管中的所述化学液体且经定位于所述施配头的上游处。

公开(公告)号：CN105304709B

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201410800225.5

申请日：2014-12-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张简旭珂 ,  林子凯 ,  郑志成

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供了半导体器件的结构和形成方法。该半导体器件包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的鳍结构。该半导体器件也包括覆盖鳍结构的一部分的栅极堆叠件以及位于鳍结构上方并且邻近栅极堆叠件的外延生长的源极/漏极结构。该半导体器件还包括位于外延生长的源极/漏极结构上方的半导体保护层。半导体保护层的硅原子浓度大于外延生长的源极/漏极结构的硅原子浓度。