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公开(公告)号：CN110957298B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201910909554.6
申请日：2019-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 根据本申请的实施例，提供了半导体结构及其形成方法。本公开描述了保护金属互连结构免受用于在金属互连结构上方形成其它金属结构的随后化学机械抛光工艺损坏的技术。使金属互连结构凹陷以在金属互连结构和周围介电层之间形成凹槽。在凹槽内形成金属覆盖结构。使介电层的上部变形以包括拉伸应力，该拉伸应力使介电层相对于金属覆盖结构扩展，以减小或消除金属覆盖结构与介电层之间的界面中的间隙。
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公开(公告)号：CN110957217A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910921765.1
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/321 , C09K3/14
Abstract: 本公开描述研磨浆的形成方法及用于制造半导体装置的化学机械研磨工艺的方法。这些方法可对包含有着向下连接至半导体基底的钌接触插塞的积体接触结构的半导体装置来进行。研磨浆可透过将第一研磨剂、第二研磨剂、反应物及溶剂混合来形成。第一研磨剂可包含第一微粒，第一微粒包含二氧化钛粒子，且第二研磨剂可包含不同于第一微粒的第二微粒。研磨浆可用于从工件的表面移除钌材料及介电材料的化学机械研磨工艺，以实现用于平坦轮廓的表面的较好的裸片内装载及平坦化。
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公开(公告)号：CN110938408B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN201910882243.5
申请日：2019-09-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C09K3/14 , H01L21/768
Abstract: 本发明实施例描述一种金属表面化学机械研磨技术。在金属化学机械研磨浆料中包含一种络合剂或胶束。在化学机械研磨浆料中包含与氧化剂键结的络合剂，以在组合体的核心形成与氧化剂分子的络合物，例如超分子组合体，且前述氧化剂分子被络合剂分子包围。形成的络合物具有增大的尺寸。
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公开(公告)号：CN110970392B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201910922907.6
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 半导体器件包括位于衬底上方的第一介电层，第一介电层包括从第一介电层的远离衬底的第一侧延伸到第一介电层的与第一侧相对的第二侧的第一介电材料；第二介电层，位于第一介电层上方；导线，位于第一介电层中，导线包括第一导电材料，导线的上表面比第一介电层的上表面更靠近衬底；金属帽，位于第一介电层中，金属帽位于导线上方并物理连接至导线，金属帽包括与第一导电材料不同的第二导电材料；以及通孔，位于第二介电层中并且物理连接到金属帽，该通孔包括第二导电材料。本发明的实施例还涉及一种形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN109585361B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201810721468.8
申请日：2018-07-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 本发明实施例提供了半导体器件和形成方法。在一些实施例中，该方法包括在衬底上方形成介电层并且图案化介电层以形成第一凹槽。该方法还包括在第一凹槽中沉积第一层并且在第一层上方沉积第二层，第二层不同于第一层。该方法还包括使用第一氧化剂对第二层实施第一化学机械抛光(CMP)工艺并且使用第一氧化剂对第二层和第一层的多余部分实施第二CMP工艺。该方法还包括在实施第二CMP抛光之后在第一层的剩余部分上方形成第一导电元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110970392A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910922907.6
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 半导体器件包括位于衬底上方的第一介电层，第一介电层包括从第一介电层的远离衬底的第一侧延伸到第一介电层的与第一侧相对的第二侧的第一介电材料；第二介电层，位于第一介电层上方；导线，位于第一介电层中，导线包括第一导电材料，导线的上表面比第一介电层的上表面更靠近衬底；金属帽，位于第一介电层中，金属帽位于导线上方并物理连接至导线，金属帽包括与第一导电材料不同的第二导电材料；以及通孔，位于第二介电层中并且物理连接到金属帽，该通孔包括第二导电材料。本发明的实施例还涉及一种形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN109585295A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811131650.4
申请日：2018-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 半导体装置的形成方法包括在形成工艺时使源极/漏极接点插塞或栅极接点插塞暴露至金属离子源溶液，其中金属离子源溶液中的金属离子的金属成分，与源极/漏极接点插塞或栅极接点插塞的金属成分相同。若源极/漏极接点插塞或栅极接点插塞的组成为钴，则金属离子源溶液包含钴离子源溶液。若源极/漏极接点插塞或栅极接点插塞的组成为钨，则金属离子源溶液包含钨离子源溶液。
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公开(公告)号：CN109860020A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811313609.9
申请日：2018-11-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明实施例公开了一种清洁半导体装置的方法，特别公开了用于清洁半导体装置表面的清洁溶液，以及使用与形成清洁溶液的方法。在一实施例中，自半导体装置的第一表面研磨移除材料；以及以清洁溶液清洁第一表面。清洁溶液可包括主体，且主体具有至少一环。主体可具有亲水外部与疏水内部。
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公开(公告)号：CN109585361A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201810721468.8
申请日：2018-07-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 本发明实施例提供了半导体器件和形成方法。在一些实施例中，该方法包括在衬底上方形成介电层并且图案化介电层以形成第一凹槽。该方法还包括在第一凹槽中沉积第一层并且在第一层上方沉积第二层，第二层不同于第一层。该方法还包括使用第一氧化剂对第二层实施第一化学机械抛光(CMP)工艺并且使用第一氧化剂对第二层和第一层的多余部分实施第二CMP工艺。该方法还包括在实施第二CMP抛光之后在第一层的剩余部分上方形成第一导电元件。
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公开(公告)号：CN104733287A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410794995.3
申请日：2014-12-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/28123 , B24B37/20 , H01L21/02074 , H01L21/3212 , H01L21/67051 , H01L29/66545
Abstract: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：提供半导体结构，该半导体结构包括形成为填充两个相邻的层间电介质(ILD)区之间的沟槽的金属栅极(MG)层；使用CMP系统实施化学机械抛光(CMP)工艺以平坦化MG层和ILD区；以及使用包括溶解在去离子水(DIW)中的臭氧气体(O3)的O3/DIW溶液清洗平坦化的MG层。MG层形成在ILD区上。本发明涉及用于化学机械抛光和清洗的系统和方法。
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