公开(公告)号：CN110957217A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910921765.1

申请日：2019-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李佳璇 ,  徐俊伟 ,  何嘉玮 ,  沈稘翔 ,  吴历杰 ,  林建锜 ,  刘启人 ,  林易生 ,  郑仰钧 ,  陈亮光 ,  魏国修 ,  陈科维

IPC: H01L21/321 ,  C09K3/14

Abstract: 本公开描述研磨浆的形成方法及用于制造半导体装置的化学机械研磨工艺的方法。这些方法可对包含有着向下连接至半导体基底的钌接触插塞的积体接触结构的半导体装置来进行。研磨浆可透过将第一研磨剂、第二研磨剂、反应物及溶剂混合来形成。第一研磨剂可包含第一微粒，第一微粒包含二氧化钛粒子，且第二研磨剂可包含不同于第一微粒的第二微粒。研磨浆可用于从工件的表面移除钌材料及介电材料的化学机械研磨工艺，以实现用于平坦轮廓的表面的较好的裸片内装载及平坦化。

公开(公告)号：CN110783186B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN201910696438.0

申请日：2019-07-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴历杰 ,  陈科维 ,  魏国修 ,  张棠贵 ,  李佳璇 ,  林建锜

IPC: H01L21/306 ,  H01L23/48

Abstract: 提供半导体装置的结构与形成方法。方法包括形成导电结构于半导体基板上，并形成介电层于导电结构上。方法亦包括形成开口于介电层中，以露出导电结构。方法还包括形成导电材料以超填开口。此外，方法包括采用化学机械研磨工艺薄化导电材料。化学机械研磨工艺所用的研磨液包括含铁氧化剂，且含铁氧化剂氧化导电材料的一部分。

公开(公告)号：CN110783186A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910696438.0

申请日：2019-07-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴历杰 ,  陈科维 ,  魏国修 ,  张棠贵 ,  李佳璇 ,  林建锜

IPC: H01L21/306 ,  H01L23/48

Abstract: 提供半导体装置的结构与形成方法。方法包括形成导电结构于半导体基板上，并形成介电层于导电结构上。方法亦包括形成开口于介电层中，以露出导电结构。方法还包括形成导电材料以超填开口。此外，方法包括采用化学机械研磨工艺薄化导电材料。化学机械研磨工艺所用的研磨液包括含铁氧化剂，且含铁氧化剂氧化导电材料的一部分。