公开(公告)号：CN108122828B

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN201710731428.7

申请日：2017-08-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钟健豪 ,  林长生 ,  黄国峰 ,  吴历杰 ,  林均洁

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02

Abstract: 一种方法包括在晶圆上方形成第一介电层，蚀刻第一介电层以形成开口，将含钨材料填充到开口中，以及对晶圆实施化学机械抛光(CMP)。在CMP之后，使用弱碱溶液对晶圆实施清洁。本发明的实施例还涉及集成电路结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN104916583B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201410239159.9

申请日：2014-05-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘文贵 ,  蔡腾群 ,  林国楹 ,  李胜男 ,  周有伟 ,  连国成 ,  林长生 ,  洪志昌 ,  卢永诚

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/31055 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795

Abstract: 一种IC器件制造工艺实现了材料的平坦凹进，该材料初始在衬底上的高度变化。方法包括：形成底部抗反射涂层(BARC)，烘烤以在BARC中引发交联，CMP以去除BARC的第一部分并形成平坦表面，然后等离子体蚀刻以实现BARC的平坦凹进。等离子体蚀刻可以在BARC和凹进的材料之间具有低选择性，从而使BARC和材料同时凹进。去除特定高度之上的任何材料。可以保护基本上位于特定高度下方的结构不受污染并保持完整。当使用的磨料在CMP期间与BARC形成醚键时，该方法可以特别有效。本发明涉及用于平坦凹进或去除可变高度层的BARC辅助工艺。

公开(公告)号：CN107039262A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611033132.X

申请日：2016-11-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林长生

IPC: H01L21/306 ,  B24B37/10 ,  B24B37/30

CPC classification number: H01L21/68714 ,  B24B37/042 ,  B24B37/105 ,  B24B53/017 ,  B24B57/02 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/30625 ,  B24B37/10 ,  B24B37/30

Abstract: 公开提供多种化学机械研磨(CMP)装置、工具及方法。在一些实施例中，一种用于一CMP工具的装置包括一载具及一耦合于该载具的嵌入式虚设盘。该嵌入式虚设盘包括一基板及一设于基板上方的薄膜。载具可耦合于CMP工具的一处理器的一臂。载具与嵌入式虚设盘被配置成嵌入CMP工具的一外壳内。在准备一晶片的一研磨制程时，嵌入式虚设盘适用于被CMP工具所研磨。

公开(公告)号：CN105017973A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201410327603.2

申请日：2014-07-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林国楹 ,  刘文贵 ,  蔡腾群 ,  李胜男 ,  连国成 ,  林长生 ,  周有伟

IPC: C09G1/18 ,  C09G1/02 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/14 ,  C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09G1/18 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/30625

Abstract: 本发明提供了一种用于实施化学机械抛光(CMP)工艺的方法，该方法包括对衬底上的硬化的流体材料的表面应用CMP浆料溶液，该溶液包括用于改变硬化的流体材料的表面上的键结构的添加剂。该方法进一步包括使用抛光头抛光硬化的流体材料的表面。本发明还涉及用于硬化的流体材料的CMP浆料溶液。

公开(公告)号：CN108122828A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710731428.7

申请日：2017-08-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钟健豪 ,  林长生 ,  黄国峰 ,  吴历杰 ,  林均洁

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76883 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/535

Abstract: 一种方法包括在晶圆上方形成第一介电层，蚀刻第一介电层以形成开口，将含钨材料填充到开口中，以及对晶圆实施化学机械抛光(CMP)。在CMP之后，使用弱碱溶液对晶圆实施清洁。本发明的实施例还涉及集成电路结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN105017973B

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201410327603.2

申请日：2014-07-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林国楹 ,  刘文贵 ,  蔡腾群 ,  李胜男 ,  连国成 ,  林长生 ,  周有伟

IPC: C09G1/18 ,  C09G1/02 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供了一种用于实施化学机械抛光(CMP)工艺的方法，该方法包括对衬底上的硬化的流体材料的表面应用CMP浆料溶液，该溶液包括用于改变硬化的流体材料的表面上的键结构的添加剂。该方法进一步包括使用抛光头抛光硬化的流体材料的表面。本发明还涉及用于硬化的流体材料的CMP浆料溶液。

公开(公告)号：CN104916583A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410239159.9

申请日：2014-05-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘文贵 ,  蔡腾群 ,  林国楹 ,  李胜男 ,  周有伟 ,  连国成 ,  林长生 ,  洪志昌 ,  卢永诚

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/31055 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795

Abstract: 一种IC器件制造工艺实现了材料的平坦凹进，该材料初始在衬底上的高度变化。方法包括：形成底部抗反射涂层(BARC)，烘烤以在BARC中引发交联，CMP以去除BARC的第一部分并形成平坦表面，然后等离子体蚀刻以实现BARC的平坦凹进。等离子体蚀刻可以在BARC和凹进的材料之间具有低选择性，从而使BARC和材料同时凹进。去除特定高度之上的任何材料。可以保护基本上位于特定高度下方的结构不受污染并保持完整。当使用的磨料在CMP期间与BARC形成醚键时，该方法可以特别有效。本发明涉及用于平坦凹进或去除可变高度层的BARC辅助工艺。