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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107026087A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610971700.4
申请日：2016-11-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L21/31155 , H01L21/31053 , H01L21/31055 , H01L29/0676 , H01L29/42392 , H01L29/4966 , H01L29/66439 , H01L29/66469 , H01L29/775 , H01L29/78642 , H01L29/66409
Abstract: 一种垂直型环绕式栅极晶体管的制造方法包括形成从衬底向上延伸的纳米线，其中纳米线包括底部半导体区域、位于底部半导体区域上方的中间半导体区域以及位于中间半导体区域上方的顶部半导体区域。形成围绕纳米线并于纳米线上方延伸的介电层。并通过注入工艺，在介电层内部形成化学机械研磨停止层。形成化学机械研磨停止层后，平坦化介电层。
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公开(公告)号：CN106985058A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201611009270.4
申请日：2016-11-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/00
Abstract: 一种对于一晶片进行化学机械研磨的装置，包括一研磨头，其具有一固定环。研磨头被配置成将晶片保持在固定环内。固定环包括一第一环以及一第二环。第一环具有一第一硬度。第二环由第一环所环绕，其中第二环具有一第二硬度，小于第一硬度。
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公开(公告)号：CN103915494A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310105433.9
申请日：2013-03-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7853 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02532 , H01L21/30604 , H01L21/762 , H01L29/0649 , H01L29/66795 , H01L29/6681 , H01L29/785
Abstract: 本发明公开了一种设置在衬底上方的FinFET的新型鳍结构和形成鳍结构的方法。鳍结构包括：台面、设置在台面上方的沟道以及设置在沟道和台面之间的凸形部件。台面具有第一半导体材料，而沟道具有不同于第一半导体材料的第二半导体材料。凸形部件为阶梯形、台阶形或梯形。凸形部件包括设置在沟道和台面之间的第一隔离部件以及设置在沟道和第一隔离部件之间的第二隔离部件。第一隔离部件是U形的，并且第二隔离部件是矩形的。第二隔离部件的一部分被沟道包围，并且第二隔离部件的另一部分被第一隔离部件包围。
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公开(公告)号：CN103915494B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310105433.9
申请日：2013-03-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7853 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02532 , H01L21/30604 , H01L21/762 , H01L29/0649 , H01L29/66795 , H01L29/6681 , H01L29/785
Abstract: 本发明公开了一种设置在衬底上方的FinFET的新型鳍结构和形成鳍结构的方法。鳍结构包括：台面、设置在台面上方的沟道以及设置在沟道和台面之间的凸形部件。台面具有第一半导体材料，而沟道具有不同于第一半导体材料的第二半导体材料。凸形部件为阶梯形、台阶形或梯形。凸形部件包括设置在沟道和台面之间的第一隔离部件以及设置在沟道和第一隔离部件之间的第二隔离部件。第一隔离部件是U形的，并且第二隔离部件是矩形的。第二隔离部件的一部分被沟道包围，并且第二隔离部件的另一部分被第一隔离部件包围。
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