公开(公告)号：CN111208716B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201910462253.3

申请日：2019-05-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁明晖 ,  刘朕與 ,  吴承翰 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: G03F7/32 ,  G03F7/40

Abstract: 本揭露是关于一种微影方法，其包括在基板上方形成抗蚀剂层。抗蚀剂层曝露于辐射。使用移除所曝露的抗蚀剂层的曝露部分的显影剂显影所曝露的抗蚀剂层，进而形成图案化的抗蚀剂层。使用碱性水冲洗溶液冲洗图案化的抗蚀剂层。

公开(公告)号：CN107357134B

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN201610300889.4

申请日：2016-05-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁明晖 ,  苏煜中 ,  刘朕與 ,  张庆裕

IPC: G03F7/027 ,  G03F7/004

Abstract: 一种组成物及形成一材料层的方法。组成物包含：约2至约25重量份的高分子；约5至约20重量份的交联剂；约0.1至约10重量份的触媒，触媒在一温度下触发交联剂与高分子发生交联反应；以及约3至约30重量份的一第一溶剂，且第一溶剂的一沸点大于触媒触发交联反应的温度。此组成物所形成的层别能够有效地改善“厚度负载”的问题。

公开(公告)号：CN111208716A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201910462253.3

申请日：2019-05-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁明晖 ,  刘朕與 ,  吴承翰 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: G03F7/32 ,  G03F7/40

Abstract: 本揭露是关于一种微影方法，其包括在基板上方形成抗蚀剂层。抗蚀剂层曝露于辐射。使用移除所曝露的抗蚀剂层的曝露部分的显影剂显影所曝露的抗蚀剂层，进而形成图案化的抗蚀剂层。使用碱性水冲洗溶液冲洗图案化的抗蚀剂层。

公开(公告)号：CN107357134A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201610300889.4

申请日：2016-05-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁明晖 ,  苏煜中 ,  刘朕與 ,  张庆裕

IPC: G03F7/027 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/027 ,  G03F7/004

Abstract: 一种组成物及形成一材料层的方法。组成物包含：约2至约25重量分的高分子；约5至约20重量分的交联剂；约0.1至约10重量分的触媒，触媒在一温度下触发交联剂与高分子发生交联反应；以及约3至约30重量分的一第一溶剂，且第一溶剂的一沸点大于触媒触发交联反应的温度。此组成物所形成的层别能够有效地改善“厚度负载”的问题。