公开(公告)号：CN116430667A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202211481930.4

申请日：2022-11-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢玮哲 ,  朱家庆 ,  陈亚伦 ,  苏煜中 ,  王子奕 ,  郑雅如 ,  连大成 ,  李信昌 ,  张庆裕

IPC: G03F1/24

Abstract: 本文涉及EUV光掩模的制作方法。在一种制造反射型掩模的方法中，在掩模坯上方形成粘合层。掩模坯包括衬底、布置在衬底上方的反射多层、布置在反射多层上方的覆盖层、布置在覆盖层上方的吸收剂层和布置在吸收剂层上方的硬掩模层。在粘合层上方形成光致抗蚀剂图案，图案化粘合层，图案化硬掩模层，并且使用图案化的硬掩模层作为刻蚀掩模来图案化吸收剂层。光致抗蚀剂层对粘合层的粘附性高于对硬掩模层的粘附性。

公开(公告)号：CN116009357A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211396246.6

申请日：2022-11-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈亚伦 ,  张庆裕

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/30

Abstract: 所公开的方法在下层中采用酸产生剂组分。由酸产生剂组分产生的酸扩散到上覆层，例如，光刻胶层，并提供酸，使光刻胶发生化学变化，例如，改变光刻胶在显影剂溶液中的溶解度。扩散到上覆的光刻胶层中的酸增加了酸在光刻胶下部的浓度和浓度的均匀性。光刻胶内酸浓度增加的区域可以增加光刻胶在显影剂溶液中的溶解度，从而减少光刻胶的不充分显影。减少光刻胶的不充分显影可以减少显影完成后残留的光刻胶残留物或浮渣的量。

公开(公告)号：CN113113301A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110143571.0

申请日：2021-02-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡承峯 ,  陈亚伦 ,  黄才育 ,  郑雅如 ,  张惠政 ,  杨育佳

IPC: H01L21/311

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法。施加至图案密度不同的多个第一沟槽与第二沟槽上的旋转涂布层作为光刻胶堆叠中的底层。为减少旋转涂布层的厚度差异，在旋转涂布层上进行两步热处理工艺。两步热处理工艺中的第一热处理步骤的第一温度低于旋转涂布层的交联温度以使旋转涂布层流动，而两步热处理工艺中的第二热处理步骤的第二温度使旋转涂布层交联。