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公开(公告)号：CN110967925A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910922314.X
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 杨淳复 , 许倍诚 , 连大成 , 李信昌
IPC: G03F1/82 , B08B7/00
Abstract: 本公开涉及制造和维护光掩摸的方法。一种方法包括将在其表面上具有污染物的光掩模放置在等离子体处理腔室中。在等离子体处理腔室中对被污染的光掩模进行等离子体处理，以从表面移除污染物。等离子体包括氧等离子体和氢等离子体。
