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公开(公告)号：CN101556430A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200810211878.4
申请日：2008-09-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/00
CPC classification number: G03F1/82
Abstract: 本发明是有关于一种掩膜表面化学处理方法及系统。该掩膜表面化学处理方法包括以下步骤：在一掩膜上形成一吸收材质层；于形成该吸收材质层后，对该掩膜进行一等离子体处理以减少化学污染物；对该掩膜进行一化学清洗过程；以及对该掩膜进行一气体喷射过程。该掩膜表面化学处理系统包括：一掩膜台用来固定一掩膜，使该掩膜面朝下；一化学分注器，用来提供至少一化学品，以清洗该掩膜；一等离子体模组，用来对该掩膜进行一等离子体处理，以移除污染物；以及一温度控制模组，用来控制该掩膜的温度。本发明具有清洁掩膜以减少掩膜上残留的具有不同化学键结强度的化学残余物的效果。
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公开(公告)号：CN109960104B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN201810457279.4
申请日：2018-05-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 光刻掩模包括衬底、设置在衬底的第一侧上方的反射结构和设置在反射结构上方的图案化的吸收层。光刻掩模包括第一区域和在俯视图中围绕第一区域的第二区域。图案化的吸收层位于第一区域中。基本非反射材料位于第二区域中。通过以下方法形成光刻掩模：在衬底上方形成反射结构，在反射结构上方形成吸收层，限定光刻掩模的第一区域，以及限定光刻掩模的第二区域。第一区域的限定包括图案化吸收层。第二区域限定为在俯视图中围绕第一区域。第二区域的限定包括在第二区域中形成基本非反射材料。本发明的实施例还涉及具有黑色边界区域的光刻掩模及其制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1940716A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610103312.0
申请日：2006-07-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B08B7/0035 , B08B3/08 , B08B7/0042 , B08B7/0071 , G03F1/82
Abstract: 本发明是有关于一种清洁光罩的方法，是用来清洁相位移光罩与其他光罩以及含钼表面。在一实施例中，借由准分子氙气雷射所产生的真空紫外光(VUV)将氧气转变为臭氧，以用于第一清洁操作中。在真空紫外光/臭氧清洁之后，可进行湿式SC1化学清洁，且二步骤清洁程序减少相位移损失与增加传送。在另一实施例中，第一步骤可使用其他方法以在含钼表面上形成钼氧化物。在又一实施例中，此多步骤清洁操作是提供湿式化学清洁，例如SC1或SPM或是两者皆有，接着进一步进行化学或物理处理，例如臭氧、烘烤或电解离子水。
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公开(公告)号：CN110389500B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201811258664.2
申请日：2018-10-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种方法，包括：接收一工件，其包括具有一低热膨胀系数材料的一基底、在上述基底的上方的一多层反射层、在上述多层反射层的上方的一盖层与在上述盖层的上方的一吸收剂层。上述方法还包括：图形化上述吸收剂层以提供对应于一晶圆上的电路图形的多个第一沟槽；以及图形化上述吸收剂层、上述盖层与上述多层反射层，以提供对应于上述晶圆上的一晶粒边界区的多个第二沟槽，借此提供一极紫外线光刻掩模。上述方法还包括：使用不同化学元素对上述极紫外线光刻掩模进行表面改质处理，避免上述吸收剂层的曝露表面受到氧化。
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公开(公告)号：CN110389500A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201811258664.2
申请日：2018-10-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种方法，包括：接收一工件，其包括具有一低热膨胀系数材料的一基底、在上述基底的上方的一多层反射层、在上述多层反射层的上方的一盖层与在上述盖层的上方的一吸收剂层。上述方法还包括：图形化上述吸收剂层以提供对应于一晶圆上的电路图形的多个第一沟槽；以及图形化上述吸收剂层、上述盖层与上述多层反射层，以提供对应于上述晶圆上的一晶粒边界区的多个第二沟槽，借此提供一极紫外线光刻掩模。上述方法还包括：使用不同化学元素对上述极紫外线光刻掩模进行表面改质处理，避免上述吸收剂层的曝露表面受到氧化。
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公开(公告)号：CN115206781A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210113805.1
申请日：2022-01-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F1/22 , G03F1/76 , G03F7/20
Abstract: 一种倍缩光罩的表面的处理方法及半导体制造系统，倍缩光罩的表面的处理方法包含从倍缩光罩库取出倍缩光罩，与将倍缩光罩转移至处理装置。当臭氧流体位于倍缩光罩的表面上时，以入射紫外线(UV)辐射照射倍缩光罩的表面一预定照射时间，在处理装置中处理倍缩光罩的表面。于处理后，将倍缩光罩转移至曝光装置来进行微影操作，以在晶圆上产生光阻图案。晶圆的表面进行成像，以产生晶圆上的光阻图案的影像。对光阻图案所产生的影像进行分析，以判断光阻图案的关键尺寸均匀度。若关键尺寸均匀度没有满足一临界关键尺寸均匀度，增加预定照射时间。
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公开(公告)号：CN109960104A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201810457279.4
申请日：2018-05-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 光刻掩模包括衬底、设置在衬底的第一侧上方的反射结构和设置在反射结构上方的图案化的吸收层。光刻掩模包括第一区域和在俯视图中围绕第一区域的第二区域。图案化的吸收层位于第一区域中。基本非反射材料位于第二区域中。通过以下方法形成光刻掩模：在衬底上方形成反射结构，在反射结构上方形成吸收层，限定光刻掩模的第一区域，以及限定光刻掩模的第二区域。第一区域的限定包括图案化吸收层。第二区域限定为在俯视图中围绕第一区域。第二区域的限定包括在第二区域中形成基本非反射材料。本发明的实施例还涉及具有黑色边界区域的光刻掩模及其制造方法。
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