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公开(公告)号：CN101908470B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201010113372.7
申请日：2010-02-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/203 , G03F7/7045 , G03F7/70458 , G03F7/70466
Abstract: 本发明公开了一种在半导体装置中形成图案的方法及系统、以及半导体装置，用以图案化一形成于晶片上的光致抗蚀剂材料层，以形成半导体装置。本发明的技术方案包括提供一种双波长曝光系统，其通过两种曝光操作，其中一种为具有一第一波长的第一辐射，另一种为具有一第二波长的第二辐射。不同或相同的光刻设备可用来产生该第一及第二辐射。形成于半导体装置的每一裸片，该图案的一关键尺寸部分用该具有一第一波长的第一辐射来曝光，而该图案的一非关键尺寸部分则用该具有一第二波长的第二辐射来曝光。同时对具有第一波长的第一辐射及具有第二波长的第二辐射感应的光致抗蚀剂材料是被选择来使用。本发明具有较高生产量层级。
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公开(公告)号：CN101556430A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200810211878.4
申请日：2008-09-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/00
CPC classification number: G03F1/82
Abstract: 本发明是有关于一种掩膜表面化学处理方法及系统。该掩膜表面化学处理方法包括以下步骤：在一掩膜上形成一吸收材质层；于形成该吸收材质层后，对该掩膜进行一等离子体处理以减少化学污染物；对该掩膜进行一化学清洗过程；以及对该掩膜进行一气体喷射过程。该掩膜表面化学处理系统包括：一掩膜台用来固定一掩膜，使该掩膜面朝下；一化学分注器，用来提供至少一化学品，以清洗该掩膜；一等离子体模组，用来对该掩膜进行一等离子体处理，以移除污染物；以及一温度控制模组，用来控制该掩膜的温度。本发明具有清洁掩膜以减少掩膜上残留的具有不同化学键结强度的化学残余物的效果。
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公开(公告)号：CN103378067B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201210350992.1
申请日：2012-09-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
Abstract: 本发明公开了一种具有承载晶圆的晶圆组件，包括工艺晶圆和承载晶圆。在工艺晶圆上形成集成电路。承载晶圆结合至工艺晶圆。承载晶圆具有至少一个对准标记。
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公开(公告)号：CN104916565A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410345008.1
申请日：2014-07-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: G03F7/16 , B67D7/0294 , B67D7/36 , B67D7/78 , Y10T137/0318 , Y10T137/86187
Abstract: 一种光刻系统包括可变容积缓冲罐、连接至缓冲罐的分配系统以及配置为从缓冲罐的顶部空间释放气体，而阻挡从顶部空间释放液体的阀。存储容器具有位于底部的开口并且通过该开口排放至缓冲罐。缓冲罐具有足以接收存储容器的全部内含物的存储容量。该系统在防止化学溶液与空气和其他气体接触的同时，向分配系统供给化学溶液。本发明涉及供给和分配无气泡光刻化学溶液的系统和方法。
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公开(公告)号：CN103378067A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210350992.1
申请日：2012-09-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
Abstract: 本发明公开了一种具有承载晶圆的晶圆组件，包括工艺晶圆和承载晶圆。在工艺晶圆上形成集成电路。承载晶圆结合至工艺晶圆。承载晶圆具有至少一个对准标记。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103377963A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310105572.1
申请日：2013-03-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G01B11/00 , G03F7/70633
Abstract: 本发明涉及用于叠加度量的工具所致移位减少量的确定，其中，一个实施例涉及一种用于半导体工件加工的方法。在这一方法中，通过对第一半导体工件执行基线数目的工具所致移位(TIS)测量来确定基线TIS。在已经确定迹线TIS之后，该方法基于对第一后续半导体工件取得的后续数目的TIS测量确定后续TIS。TIS测量的后续数目少于TIS测量的基线数目。
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公开(公告)号：CN104916565B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201410345008.1
申请日：2014-07-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种光刻系统包括可变容积缓冲罐、连接至缓冲罐的分配系统以及配置为从缓冲罐的顶部空间释放气体，而阻挡从顶部空间释放液体的阀。存储容器具有位于底部的开口并且通过该开口排放至缓冲罐。缓冲罐具有足以接收存储容器的全部内含物的存储容量。该系统在防止化学溶液与空气和其他气体接触的同时，向分配系统供给化学溶液。本发明涉及供给和分配无气泡光刻化学溶液的系统和方法。
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公开(公告)号：CN104900561B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201410242760.3
申请日：2014-06-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: F27D19/00 , F27B17/0025 , F27D2019/0003 , H01L21/67103 , H01L21/67248 , H01L21/67288
Abstract: 本发明提供了一种自适应烘烤系统，包括：配置为接收晶圆的烘烤腔室，以及配置为支持晶圆的加热元件。自适应烘烤系统还包括配置为接收与加热元件和晶圆相关的温度信息的控制器，其中，控制器还配置为在烘烤工艺期间响应于温度信息调整由加热元件提供的热量的量。本发明还提供了自适应烘烤系统的使用方法。
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公开(公告)号：CN103367200B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201210300877.3
申请日：2012-08-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/30 , G03F7/16 , G03F7/70991 , H01L21/67225 , H01L21/67745
Abstract: 本发明涉及光刻群集和模块化以提高生产率，公开了用于半导体工件处理的光刻工具装置。光刻工具装置将光刻工具组为群集，并且在第一群集中的第一类型的多个光刻工具和第二群集中的第二类型的多个光刻工具之间选择性地传送半导体工件。选择性传送通过连接至缺陷扫描工具的传送组件实现，缺陷扫描工具识别在第一类型的光刻工具中生成的缺陷。所公开的光刻工具装置还利用诸如壳体组件的共享结构元件以及诸如气体和化学物质的共享功能元件。光刻工具装置可以由烘焙、涂布、曝光以及显影单元构成，被配置成提供这些多种组件的模块化，以优化用于给定光刻制造处理的产量和效率。
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公开(公告)号：CN104900561A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201410242760.3
申请日：2014-06-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: F27D19/00 , F27B17/0025 , F27D2019/0003 , H01L21/67103 , H01L21/67248 , H01L21/67288 , G03F7/168
Abstract: 本发明提供了一种自适应烘烤系统，包括：配置为接收晶圆的烘烤腔室，以及配置为支持晶圆的加热元件。自适应烘烤系统还包括配置为接收与加热元件和晶圆相关的温度信息的控制器，其中，控制器还配置为在烘烤工艺期间响应于温度信息调整由加热元件提供的热量的量。本发明还提供了自适应烘烤系统的使用方法。
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