公开(公告)号：CN115249629A

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202210700502.X

申请日：2022-06-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖俊维 ,  冯东鸿 ,  李蕙君 ,  王士哲

IPC: H01L21/67 ,  B01D53/18 ,  B01D29/90 ,  B01D29/64 ,  B01D29/60

Abstract: 一种溶液回收装置、湿式工艺装置及其操作方法，溶液回收装置包含：一泵浦，用以循环一溶液；一喷嘴，用以分配该溶液；一喷嘴槽，用以容纳该喷嘴的一末端，及用以在该溶液分配后接收该溶液，该喷嘴槽包含一冲洗气体入口与一溢流路径；以及一缓冲槽，用以从该喷嘴槽接收该溶液，并将该溶液循环回该泵浦。溶剂回收系统，其最小化用于各种半导体工艺中的化学品消耗。透过增设缓冲槽连接槽与循环泵浦，来从喷嘴槽回收溶剂。通过防止槽中的微粒入侵与溢流状况，槽设计的改善进一步维持溶剂洁净度。

公开(公告)号：CN113156769B

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202110017143.3

申请日：2021-01-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 冯东鸿 ,  李蕙君 ,  江胜文 ,  王士哲

IPC: G03F7/16

Abstract: 本申请涉及用于在衬底之上涂覆光致抗蚀剂的方法和装置。在一种在晶圆之上涂覆光致抗蚀剂的方法中，在旋转晶圆时开始从喷嘴在晶圆之上分配光致抗蚀剂，并在旋转晶圆时停止分配光致抗蚀剂。在开始分配光致抗蚀剂之后并且停止分配光致抗蚀剂之前，改变晶圆旋转速度至少4次。在分配期间，保持喷嘴的臂可水平移动。喷嘴的尖端可位于距晶圆的2.5mm至3.5mm的高度处。

公开(公告)号：CN109427604B

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN201810768975.7

申请日：2018-07-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游大庆 ,  高振颜 ,  张书豪 ,  徐源甫 ,  陈奕豪 ,  黄得智 ,  王士哲

IPC: H01L21/66

Abstract: 本公开的实施例涉及缺陷检验的方法。在图案部件形成于结构层中之后，填充具有与结构层不同的光学性质的虚设填充材于图案部件中。图案部件中的材料与结构层之间不同的光学性质增加了通过检验工具所捕捉的影像中的对比度，因而增加了缺陷捕捉率。

公开(公告)号：CN110837203A

公开(公告)日：2020-02-25

申请号：CN201910754735.6

申请日：2019-08-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  连大成 ,  林秉勳 ,  王士哲 ,  李信昌

IPC: G03F1/58 ,  G03F1/24

Abstract: 光罩的制造方法包含形成保护层于基板上方。形成多个反射薄膜多层于保护层上方。形成覆盖层于多个反射薄膜多层上方。形成吸收层于覆盖层上方。形成第一光阻层于部分的吸收层上方。图案化部分的第一光阻层与吸收层，而形成第一开口于吸收层中。第一开口暴露出部分的覆盖层。移除第一光阻层的剩余部分，并形成第二光阻层于部分的吸收层上方。第二光阻层至少覆盖第一开口。图案化未被第二光阻层覆盖的吸收层、覆盖层、与多个反射薄膜多层的部分，而形成第二开口。第二开口暴露出部分的保护层，且移除第二光阻层。

公开(公告)号：CN109427604A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810768975.7

申请日：2018-07-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游大庆 ,  高振颜 ,  张书豪 ,  徐源甫 ,  陈奕豪 ,  黄得智 ,  王士哲

IPC: H01L21/66

Abstract: 本公开的实施例涉及缺陷检验的方法。在图案部件形成于结构层中之后，填充具有与结构层不同的光学性质的虚设填充材于图案部件中。图案部件中的材料与结构层之间不同的光学性质增加了通过检验工具所捕捉的影像中的对比度，因而增加了缺陷捕捉率。

公开(公告)号：CN108227391A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201710641484.1

申请日：2017-07-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林华泰 ,  杨育铨 ,  梁文达 ,  陈庆煌 ,  孙启元 ,  王士哲

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F1/36 ,  G03F7/70125 ,  G03F7/70441 ,  G03F7/70058 ,  G03F7/70091 ,  G03F7/7015

Abstract: 一种光学微影系统，包含：一基底台，用以承载一工件；以及一罩幕，具有多个主要图形与多个次解析辅助图形(sub‑resolution assistant pattern)。此系统还包含一绕射光学元件(diffractive optical element；DOE)，用以将具有上述主要图形的一空中影像(aerial image)的辐射导引至上述工件上。上述绕射光学元件包含第一对的极(pole)，上述第一对的极是沿着一第一方向而相对于上述绕射光学元件的中心为对称配置。上述主要图形是沿着正交于上述第一方向的一第二方向而纵向地定向，上述次解析辅助图形是沿着上述第一方向而纵向地定向。

公开(公告)号：CN104916565A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410345008.1

申请日：2014-07-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周文湛 ,  李宏仁 ,  刘旭原 ,  黄宇辰 ,  吴承翰 ,  王士哲 ,  黄和涌

IPC: H01L21/67

CPC classification number: G03F7/16 ,  B67D7/0294 ,  B67D7/36 ,  B67D7/78 ,  Y10T137/0318 ,  Y10T137/86187

Abstract: 一种光刻系统包括可变容积缓冲罐、连接至缓冲罐的分配系统以及配置为从缓冲罐的顶部空间释放气体，而阻挡从顶部空间释放液体的阀。存储容器具有位于底部的开口并且通过该开口排放至缓冲罐。缓冲罐具有足以接收存储容器的全部内含物的存储容量。该系统在防止化学溶液与空气和其他气体接触的同时，向分配系统供给化学溶液。本发明涉及供给和分配无气泡光刻化学溶液的系统和方法。

公开(公告)号：CN115295439A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210140268.X

申请日：2022-02-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖俊维 ,  冯东鸿 ,  李蕙君 ,  王士哲

IPC: H01L21/67 ,  G03F7/30

Abstract: 本揭露提供一种半导体制程设备及其使用方法，用于半导体制程的溶液分配系统是包含较长的循环回路，以最小化自光阻泵浦至分配喷嘴的闲置部分。T字阀及控制阀是设置在靠近喷嘴处，以减少闲置部分及减少材料消耗。

公开(公告)号：CN113156769A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110017143.3

申请日：2021-01-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 冯东鸿 ,  李蕙君 ,  江胜文 ,  王士哲

IPC: G03F7/16

Abstract: 本申请涉及用于在衬底之上涂覆光致抗蚀剂的方法和装置。在一种在晶圆之上涂覆光致抗蚀剂的方法中，在旋转晶圆时开始从喷嘴在晶圆之上分配光致抗蚀剂，并在旋转晶圆时停止分配光致抗蚀剂。在开始分配光致抗蚀剂之后并且停止分配光致抗蚀剂之前，改变晶圆旋转速度至少4次。在分配期间，保持喷嘴的臂可水平移动。喷嘴的尖端可位于距晶圆的2.5mm至3.5mm的高度处。

公开(公告)号：CN104916565B

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201410345008.1

申请日：2014-07-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周文湛 ,  李宏仁 ,  刘旭原 ,  黄宇辰 ,  吴承翰 ,  王士哲 ,  黄和涌

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种光刻系统包括可变容积缓冲罐、连接至缓冲罐的分配系统以及配置为从缓冲罐的顶部空间释放气体，而阻挡从顶部空间释放液体的阀。存储容器具有位于底部的开口并且通过该开口排放至缓冲罐。缓冲罐具有足以接收存储容器的全部内含物的存储容量。该系统在防止化学溶液与空气和其他气体接触的同时，向分配系统供给化学溶液。本发明涉及供给和分配无气泡光刻化学溶液的系统和方法。