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公开(公告)号：CN115145123A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110918192.4
申请日：2021-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种处理工具及其使用方法，所述处理工具包括布置在晶片卡盘之上的光刻装置及在侧向上围绕光刻装置的浸没罩装置。光刻装置包括布置在光源与透镜之间的光掩模。浸没罩装置包括输入管路、输出管路及提取管路。输入管路布置在浸没罩装置的下表面上且被配置成在透镜与晶片卡盘之间分配液体。输出管路布置在浸没罩装置的下表面上且被配置成容纳布置在透镜与晶片卡盘之间的液体。提取管路布置在浸没罩装置的外侧壁上且被配置成移除在晶片卡盘上方位于浸没罩装置外部的任何液体。
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公开(公告)号：CN113126440A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202010428294.3
申请日：2020-05-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/16 , G03F7/40 , G03F7/20 , H01L21/67 , H01L21/027
Abstract: 本发明实施例涉及半导体制造设备与烘烤涂覆层的方法。本发明的一些实施例揭露一种用于制造半导体结构的设备，其包含经配置以在第一端处接收气流及在第二端处放出所述气流的气流重分配构件。所述气流重分配构件包含第一气流重分配板及所述第一气流重分配板与所述第二端之间的第二气流重分配板。
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公开(公告)号：CN109782545B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201810825545.4
申请日：2018-07-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明的实施例提供了用于制造半导体器件的曝光方法和曝光装置。在曝光装置中执行的方法中，基于曝光图和曝光区域内的芯片区域布局来设置聚焦控制有效区域和聚焦控制无效区域。测量横跨晶圆的聚焦调平数据。利用曝光光线曝光晶圆上的光刻胶层。当曝光区域的多个芯片区域的芯片区域位于晶圆的有效区域内时，芯片区域包括在聚焦控制有效区域中，并且当多个芯片区域的芯片区域的一部分或全部位于晶圆的有效区域的外围上或外部时，芯片区域包括在聚焦控制无效区域中。在曝光中，通过使用在聚焦控制有效区域处测量的聚焦调平数据来控制聚焦调平。
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公开(公告)号：CN111123656A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201910860654.4
申请日：2019-09-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例是有关改善曝光性能的方法及设备。提出一种操作照明器的方法及设备。一种方法包含：将辐射光束引导到包括狭缝指形件的所述照明器；感测所述狭缝指形件中的每一个的温度值；基于所述温度值确定所述相应狭缝指形件的偏移值；使所述相应狭缝指形件根据所述偏移值移动以从所述辐射光束形成光狭缝；及使用所述光狭缝曝光工件。
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公开(公告)号：CN111118457A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911043735.1
申请日：2019-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明实施例涉及用于物理气相沉积的设备以及形成膜层的方法。本发明实施例提供一种用于PVD的设备。所述设备包含：腔室；基座，其安置于所述腔室中以容纳晶片；及环。所述环包含：环主体，其具有第一顶表面及第二顶表面；及屏障结构，其安置于所述第一顶表面与所述第二顶表面之间。所述屏障结构可进一步包含彼此分离的至少第一部分及第二部分。第二垂直距离等于或大于第一垂直距离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110931353A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201910751986.9
申请日：2019-08-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
Abstract: 本申请实施例涉及半导体结构及其制造方法。一种制造半导体结构的方法包含：提供掩模，所述掩模包含：第一衬底；第一掩模层，其安置于所述第一衬底上，所述第一掩模层包含延伸穿过所述第一掩模层的多个第一凹槽；第二掩模层，其安置于所述第一掩模层上且包含延伸穿过所述第二掩模层的多个第二凹槽；提供第二衬底，所述第二衬底包含安置于所述第二衬底上的光刻胶层；及投射预定电磁辐射穿过所述掩模而朝向所述光刻胶层，其中所述第一掩模层至少部分透射所述预定电磁辐射，所述第二掩模层不透射所述预定电磁辐射，且所述第二掩模层的至少一部分安置于所述多个第二凹槽的两者之间。
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公开(公告)号：CN107544212B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201610482102.0
申请日：2016-06-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种光罩传载装置，其包含控制器、机械手臂、固持部和电线整束结构。所述机械手臂的一端连接所述控制器，所述机械手臂的另一端连接于固持部。所述电线整束结构包含收纳管和缠绕部，其中所述收纳管的直径小于所述缠绕部的直径。
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公开(公告)号：CN109782545A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201810825545.4
申请日：2018-07-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明的实施例提供了用于制造半导体器件的曝光方法和曝光装置。在曝光装置中执行的方法中，基于曝光图和曝光区域内的芯片区域布局来设置聚焦控制有效区域和聚焦控制无效区域。测量横跨晶圆的聚焦调平数据。利用曝光光线曝光晶圆上的光刻胶层。当曝光区域的多个芯片区域的芯片区域位于晶圆的有效区域内时，芯片区域包括在聚焦控制有效区域中，并且当多个芯片区域的芯片区域的一部分或全部位于晶圆的有效区域的外围上或外部时，芯片区域包括在聚焦控制无效区域中。在曝光中，通过使用在聚焦控制有效区域处测量的聚焦调平数据来控制聚焦调平。
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公开(公告)号：CN108953664A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201710778624.X
申请日：2017-09-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: F16K7/12 , F16K31/122 , F16K37/00
CPC classification number: B05C11/1002 , B05C5/02 , B05C11/08 , F16K7/126 , F16K23/00 , F16K31/1221 , F16K37/0041 , G03F7/162 , G03F7/3021 , H01L21/67017 , H01L21/6715 , F16K7/123 , F16K37/0091
Abstract: 一种防滴落系统，包括：第一自动控制阀，第一自动控制阀的输入端流体连接至要分配的流体源，第一自动控制阀具有自完全闭合至完全开启的位置；第二自动控制阀，第二自动控制阀的输入端流体连接至第一自动控制阀的输出端，第二自动控制阀的输出端流体连接至喷嘴，第二自动控制阀具有自完全闭合至完全开启的位置；代理感测器，配置以产生代理信号，代理信号表示第一自动控制阀的位置的间接量测；以及控制器，电性连接至第一自动控制阀，第二自动控制阀与代理感测器，配置控制器以使第二自动控制阀根据代理信号闭合，从而中断流至喷嘴的液体流。
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公开(公告)号：CN103377963A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310105572.1
申请日：2013-03-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G01B11/00 , G03F7/70633
Abstract: 本发明涉及用于叠加度量的工具所致移位减少量的确定，其中，一个实施例涉及一种用于半导体工件加工的方法。在这一方法中，通过对第一半导体工件执行基线数目的工具所致移位(TIS)测量来确定基线TIS。在已经确定迹线TIS之后，该方法基于对第一后续半导体工件取得的后续数目的TIS测量确定后续TIS。TIS测量的后续数目少于TIS测量的基线数目。
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