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公开(公告)号：CN111118457A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911043735.1
申请日：2019-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明实施例涉及用于物理气相沉积的设备以及形成膜层的方法。本发明实施例提供一种用于PVD的设备。所述设备包含：腔室；基座，其安置于所述腔室中以容纳晶片；及环。所述环包含：环主体，其具有第一顶表面及第二顶表面；及屏障结构，其安置于所述第一顶表面与所述第二顶表面之间。所述屏障结构可进一步包含彼此分离的至少第一部分及第二部分。第二垂直距离等于或大于第一垂直距离。
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