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公开(公告)号：CN111118457A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911043735.1
申请日：2019-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明实施例涉及用于物理气相沉积的设备以及形成膜层的方法。本发明实施例提供一种用于PVD的设备。所述设备包含：腔室；基座，其安置于所述腔室中以容纳晶片；及环。所述环包含：环主体，其具有第一顶表面及第二顶表面；及屏障结构，其安置于所述第一顶表面与所述第二顶表面之间。所述屏障结构可进一步包含彼此分离的至少第一部分及第二部分。第二垂直距离等于或大于第一垂直距离。
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公开(公告)号：CN112563108A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202010410647.7
申请日：2020-05-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明实施例涉及制造半导体结构的设备与制造半导体结构的方法。本发明实施例提供一种用于制造半导体结构的设备，所述设备包含：卡盘；边缘环，其围绕所述卡盘，其中所述边缘环包括腔体；聚焦环，其邻近所述卡盘的边缘且在所述边缘环上方；及第一致动器，其在所述边缘环的所述腔体中且与所述聚焦环接合。
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公开(公告)号：CN110658693A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910578244.0
申请日：2019-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种激光产生电浆极紫外辐射源设备及其错误恢复的方法、诊断该设备的RF产生器的方法。在一种诊断激光产生电浆极紫外(LPP EUV)辐射源设备的RF产生器的方法中，将测试系统连接至该LPP EUV辐射源设备的该RF产生器。通过改变该RF产生器的输入功率由该测试系统量测输出功率。使用计算机系统分析该已量测输出功率。基于该经分析的已量测输出功率来判定该RF产生器是否正适当地操作。
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公开(公告)号：CN110658693B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN201910578244.0
申请日：2019-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种激光产生电浆极紫外辐射源设备及其错误恢复的方法、诊断该设备的RF产生器的方法。在一种诊断激光产生电浆极紫外(LPP EUV)辐射源设备的RF产生器的方法中，将测试系统连接至该LPP EUV辐射源设备的该RF产生器。通过改变该RF产生器的输入功率由该测试系统量测输出功率。使用计算机系统分析该已量测输出功率。基于该经分析的已量测输出功率来判定该RF产生器是否正适当地操作。
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公开(公告)号：CN111952443A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010331592.0
申请日：2020-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及极化半导体晶片的装置和制造磁性半导体装置的方法。本发明实施例提供一种用于制造磁性半导体装置的方法，其包含：接收半导体晶片；将所述半导体晶片安置于第一电磁元件下方，其中从俯视视角看，所述第一电磁元件包括主尺寸及副尺寸，所述主尺寸大于所述副尺寸；及使所述半导体晶片沿着沿所述第一电磁元件的所述副尺寸的预定路径位移。
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公开(公告)号：CN111105997A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201910817993.4
申请日：2019-08-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 本揭露实施例涉及半导体制造方法及其设备。本揭露提供一种用于制造半导体结构的方法。所述方法包含使感光层形成于半导体衬底的第一表面上。所述感光层具有顶面。所述方法还包含获得所述半导体结构的所述第一表面的第一轮廓及获得所述感光层的所述顶面的第二轮廓。所述方法还包含根据所述第一轮廓及所述第二轮廓来计算所述半导体衬底的竖直位移分布。本发明实施例还揭露一种用于制造半导体结构的设备。
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