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发明公开
极化半导体晶片的装置和制造磁性半导体装置的方法无效

公开(公告)号：CN111952443A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010331592.0

申请日：2020-04-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴俊纬 , 曾瓅 , 张家熏 , 王文志 , 蒯光国

IPC: H01L43/12 , H01L27/22

Abstract: 本发明实施例涉及极化半导体晶片的装置和制造磁性半导体装置的方法。本发明实施例提供一种用于制造磁性半导体装置的方法，其包含：接收半导体晶片；将所述半导体晶片安置于第一电磁元件下方，其中从俯视视角看，所述第一电磁元件包括主尺寸及副尺寸，所述主尺寸大于所述副尺寸；及使所述半导体晶片沿着沿所述第一电磁元件的所述副尺寸的预定路径位移。

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