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公开(公告)号:CN110658693A
公开(公告)日:2020-01-07
申请号:CN201910578244.0
申请日:2019-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种激光产生电浆极紫外辐射源设备及其错误恢复的方法、诊断该设备的RF产生器的方法。在一种诊断激光产生电浆极紫外(LPP EUV)辐射源设备的RF产生器的方法中,将测试系统连接至该LPP EUV辐射源设备的该RF产生器。通过改变该RF产生器的输入功率由该测试系统量测输出功率。使用计算机系统分析该已量测输出功率。基于该经分析的已量测输出功率来判定该RF产生器是否正适当地操作。
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公开(公告)号:CN100530536C
公开(公告)日:2009-08-19
申请号:CN200710130451.7
申请日:2007-07-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/683 , H01L21/67 , H05F3/00 , H02H9/00
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/67259
Abstract: 本发明是有关于一种承载晶圆的放电系统、静电吸附器与集成电路的制造方法,其中对配置在静电吸附器上的晶圆或基材进行放电的系统,包含有:电容检测器和放电电压计算器。电容检测器是用来量测静电吸附器与晶圆或基材间的电容值。放电电压计算器是至少部分地基于前述的电容检测器所量测的电容值,以计算放电电压。在吸附器释放(Dechuck)后,施加由系统的放电电压计算器所计算的放电电压至静电吸附器,以实质地中和晶圆或基材上的静电荷。本发明可在制程完成后,实质地中和残存在晶圆或基材上的静电荷,因而减少被吸引至晶圆或基材上的粒子。
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公开(公告)号:CN101261927A
公开(公告)日:2008-09-10
申请号:CN200710130451.7
申请日:2007-07-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/683 , H01L21/67 , H05F3/00 , H02H9/00
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/67259
Abstract: 本发明是有关于一种承载晶圆的放电系统、静电吸附器与集成电路的制造方法,其中对配置在静电吸附器上的晶圆或基材进行放电的系统,包含有:电容检测器和放电电压计算器。电容检测器是用来量测静电吸附器与晶圆或基材间的电容值。放电电压计算器是至少部分地基于前述的电容检测器所量测的电容值,以计算放电电压。在吸附器释放(Dechuck)后,施加由系统的放电电压计算器所计算的放电电压至静电吸附器,以实质地中和晶圆或基材上的静电荷。本发明可在制程完成后,实质地中和残存在晶圆或基材上的静电荷,因而减少被吸引至晶圆或基材上的粒子。
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公开(公告)号:CN110658693B
公开(公告)日:2021-12-21
申请号:CN201910578244.0
申请日:2019-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种激光产生电浆极紫外辐射源设备及其错误恢复的方法、诊断该设备的RF产生器的方法。在一种诊断激光产生电浆极紫外(LPP EUV)辐射源设备的RF产生器的方法中,将测试系统连接至该LPP EUV辐射源设备的该RF产生器。通过改变该RF产生器的输入功率由该测试系统量测输出功率。使用计算机系统分析该已量测输出功率。基于该经分析的已量测输出功率来判定该RF产生器是否正适当地操作。
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