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公开(公告)号：CN102768970B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110241569.3
申请日：2011-08-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/263
CPC classification number: H01L21/02238 , H01J2237/31759 , H01L21/0277 , H01L27/20
Abstract: 本发明提供一种电子束投射装置、制造电子束投射装置的方法以及使用电子束投射装置处理基板的方法。示范例的电子束投射装置包括具有多个芯片的基板，其中每个芯片包括芯片架构。芯片架构包括压电薄膜部分以及设置于压电薄膜部分上方的尖端。本发明可降低工艺时间及成本。
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公开(公告)号：CN103246152B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201210195645.6
申请日：2012-06-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/70633 , G03F1/44
Abstract: 一种确定覆盖误差的方法。该方法包括将图案从中间掩模转印至晶圆以及选择第一组数据点以测量中间掩模上的部件与晶圆上的部件之间的位置差。该方法还包括确定第一组数据点但包含较少数据点的第二组数据点。控制系统使用第二组数据点来动态地调整中间掩模的位置。本发明还提供了动态控制中间掩模位置的控制系统。
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公开(公告)号：CN102768970A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201110241569.3
申请日：2011-08-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/263
CPC classification number: H01L21/02238 , H01J2237/31759 , H01L21/0277 , H01L27/20
Abstract: 本发明提供一种电子束投射装置、制造电子束投射装置的方法以及使用电子束投射装置处理基板的方法。示范例的电子束投射装置包括具有多个芯片的基板，其中每个芯片包括芯片架构。芯片架构包括压电薄膜部分以及设置于压电薄膜部分上方的尖端。本发明可降低工艺时间及成本。
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公开(公告)号：CN102915945B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201210291013.X
申请日：2009-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F1/00
Abstract: 本发明是有关于一种制造集成电路元件的方法，其包括以下步骤：(1)为第一子集制造多层光罩，此多层光罩具有多个图案，这些图案彼此不同，以分别对应第一子集的层结构。(2)为第二子集制造第一投产光罩，此第一投产光罩具有多个图案，这些图案彼此相同。(3)使用多层光罩和第一投产光罩进行试制。(4)试制后，为第一子集制造第二投产光罩。(5)使用第一投产光罩和第二投产光罩，制造集成电路元件。本发明的量产前的试制能够减少成本与材料，且使得量产速度较先前为快的方式进行，非常适于实用。
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公开(公告)号：CN103246152A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210195645.6
申请日：2012-06-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/70633 , G03F1/44
Abstract: 一种确定覆盖误差的方法。该方法包括将图案从中间掩模转印至晶圆以及选择第一组数据点以测量中间掩模上的部件与晶圆上的部件之间的位置差。该方法还包括确定第一组数据点但包含较少数据点的第二组数据点。控制系统使用第二组数据点来动态地调整中间掩模的位置。本发明还提供了动态控制中间掩模位置的控制系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102915945A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210291013.X
申请日：2009-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F1/00
Abstract: 本发明是有关于一种制造集成电路元件的方法，其包括以下步骤：(1)为第一子集制造多层光罩，此多层光罩具有多个图案，这些图案彼此不同，以分别对应第一子集的层结构。(2)为第二子集制造第一投产光罩，此第一投产光罩具有多个图案，这些图案彼此相同。(3)使用多层光罩和第一投产光罩进行试制。(4)试制后，为第一子集制造第二投产光罩。(5)使用第一投产光罩和第二投产光罩，制造集成电路元件。本发明的量产前的试制能够减少成本与材料，且使得量产速度较先前为快的方式进行，非常适于实用。
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公开(公告)号：CN101656225B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200910166148.1
申请日：2009-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F1/00
Abstract: 本发明是有关于一种混合式多层光罩组，其可对半导体基材的层结构进行曝光，以制造集成电路元件。这些层结构至少区分为第一子集和第二子集。混合式光罩组包含多层光罩以及投产光罩。多层光罩包含多个图案以及间隙，这些图案彼此不同以分别对应第一子集的层结构。间隙分隔这些图案。投产光罩包含多个图案以及切割道，这些图案彼此相同。切割道分隔这些图案。其中多层光罩的间隙宽度宽于投产光罩的切割道宽度。本发明的量产前的试制能够减少成本与材料，且使得量产速度较先前为快的方式进行，非常适于实用。
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公开(公告)号：CN1940716A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610103312.0
申请日：2006-07-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B08B7/0035 , B08B3/08 , B08B7/0042 , B08B7/0071 , G03F1/82
Abstract: 本发明是有关于一种清洁光罩的方法，是用来清洁相位移光罩与其他光罩以及含钼表面。在一实施例中，借由准分子氙气雷射所产生的真空紫外光(VUV)将氧气转变为臭氧，以用于第一清洁操作中。在真空紫外光/臭氧清洁之后，可进行湿式SC1化学清洁，且二步骤清洁程序减少相位移损失与增加传送。在另一实施例中，第一步骤可使用其他方法以在含钼表面上形成钼氧化物。在又一实施例中，此多步骤清洁操作是提供湿式化学清洁，例如SC1或SPM或是两者皆有，接着进一步进行化学或物理处理，例如臭氧、烘烤或电解离子水。
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公开(公告)号：CN119960252A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411882040.3
申请日：2024-12-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 蔡沛勋 , 黎君裔 , 陈泓霖 , 冀天齐 , 钟博文 , 钟承恩 , 许景河 , 庄郁凡 , 陈昱庭 , 徐闵庭 , 魏川育 , 黄健朝 , 蔡飞国 , 涂志强 , 翁睿均 , 张佑诚 , 陈庆跃 , 林云跃 , 王大钧
IPC: G03F1/48
Abstract: 一种光掩模保护薄膜、光掩模保护膜组装件及其形成方法。光掩模保护薄膜由特定结构的核心层和二个顶盖层形成。在一些实施例中，核心层包括高百分比的Mo3Si晶相。在其他实施例中，顶盖层包括氮氧化硅或碳氮化硅。所得光掩模保护膜兼具用于EUV光的高透射率和用于EUV和DUV光的低反射率。
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公开(公告)号：CN109285805A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201711257710.2
申请日：2017-12-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 一种基板支撑装置，包含一外壳及多个球状支撑体。该外壳有一上表面，该上表面包含多个开口。该外壳用于将所述多个球状支撑体定位于所述多个开口内，因此所述多个球状支撑体的最上表面被排列于该上表面之上的一平面。所述多个球状支撑体的一球状支撑体可在该外壳内旋转。
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