公开(公告)号：CN109623630A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811122514.9

申请日：2018-09-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈政炳 ,  李仁铎 ,  彭升泰 ,  赖宗龙 ,  谢子逸 ,  张建玮

IPC分类号： B24B37/30 ,  H01L21/768

CPC分类号： B24B37/32 ,  B24B37/015 ,  B24B37/20 ,  H01L21/3212 ,  B24B37/30 ,  H01L21/7684

摘要： 在一些实施例中，本发明在一些实施例中涉及形成CMP膜的方法。该方法通过在膜模具内的腔内提供可延展材料来实施。该腔具有中心区域和围绕中心区域的外围区域。固化腔内的可延展材料以形成膜。通过将膜模具的中心区域内的可延展材料加热至第一温度并且将膜模具的外围区域内的可延展材料加热至大于第一温度的第二温度来实施固化可延展材料。本发明的实施例还涉及化学机械平坦化膜。

公开(公告)号：CN109623630B

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN201811122514.9

申请日：2018-09-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈政炳 ,  李仁铎 ,  彭升泰 ,  赖宗龙 ,  谢子逸 ,  张建玮

IPC分类号： B24B37/30 ,  H01L21/768

摘要： 在一些实施例中，本发明在一些实施例中涉及形成CMP膜的方法。该方法通过在膜模具内的腔内提供可延展材料来实施。该腔具有中心区域和围绕中心区域的外围区域。固化腔内的可延展材料以形成膜。通过将膜模具的中心区域内的可延展材料加热至第一温度并且将膜模具的外围区域内的可延展材料加热至大于第一温度的第二温度来实施固化可延展材料。本发明的实施例涉及化学机械平坦化工具和形成化学机械平坦化膜的方法。

公开(公告)号：CN111261501A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201911214011.9

申请日：2019-12-02

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张建玮 ,  薛雅仁 ,  李仁铎 ,  张益志 ,  邱义勳 ,  纪元兴

IPC分类号： H01L21/18

摘要： 本发明实施例公开改善晶圆接合效能的方法。在一些实施例中，公开一种用来接合一对半导体基底的方法。此方法包括：对此对半导体基底的至少其中一个进行制程，且将此半导体基底接合在一起。对此对半导体基底中的每一个通过以下步骤进行制程：执行至少一道化学气相沉积(CVD)制程，以及执行至少一道化学机械研磨(CMP)制程。上述至少一道化学气相沉积制程的其中之一是在接合步骤之前、在执行所有化学机械研磨制程之后执行。