公开(公告)号：CN106995204A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201610970705.5

申请日：2016-11-04

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈禹睿 ,  王乙翕 ,  李仁铎 ,  刘人豪

IPC分类号： B81B7/02

CPC分类号： B81B3/0005 ,  B81B3/001 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00984 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2203/037 ,  B81C2203/0785 ,  B81B7/02 ,  B81C2203/01 ,  B81C2203/0172 ,  B81C2203/0707

摘要： 本发明实施例涉及具有粗糙金属抗静摩擦层以改善静摩擦特性的MEMS封装和相关联形成方法。在一些实施例中，所述MEMS封装包括接合到CMOS IC的MEMS IC。所述CMOS IC具有CMOS衬底及安置在所述CMOS衬底上方的互连结构。所述互连结构包括安置在多个介电层内的多个金属层。所述MEMS IC接合到所述互连结构的上表面并与所述CMOS IC合作而围封所述MEMS IC与所述CMOS IC之间的空腔。所述MEMS IC具有布置在所述空腔中的可移动块状物。所述MEMS封装进一步包括抗静摩擦层，其安置于所述互连结构的所述上表面之上、在所述可移动块状物之下。所述抗静摩擦层由金属制成并具有粗糙顶表面。

公开(公告)号：CN104003347A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410059957.3

申请日：2014-02-21

申请人： 株式会社理光

发明人： 安藤友一 ,  佐藤幸人 ,  前胜知

IPC分类号： B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC分类号： B81C1/00301 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2201/047 ,  B81B2207/095 ,  B81C2203/031 ,  B81C2203/0707 ,  H01L24/03 ,  H01L24/09 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及半导体器件和制造器件的方法。一种器件包括：第一衬底，功能性元件和电极在其中形成；第二衬底，贯通电极在其中形成；接合材料，其接合所述第一衬底和所述第二衬底，并在所述功能性元件和所述第二衬底之间保留预定空间；和导电材料，其将所述电极电连接到所述贯通电极。在此，所述接合材料比所述导电材料更硬，并且在电学上，所述接合材料比所述导电材料导电性更弱。

公开(公告)号：CN102674237B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201210038129.2

申请日：2012-02-17

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： 斯特凡·科尔贝 ,  克莱门斯·普鲁格尔 ,  伯恩哈德·温克勒 ,  安德烈亚斯·桑克尔

IPC分类号： B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC分类号： B81B7/008 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/0707 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0735 ,  B81C2203/0771 ,  H01L27/0611

摘要： 本发明公开了单片集成传感器装置及形成方法和形成其腔体结构的方法。实施例涉及MEMS装置，具体涉及单个晶片上的集成有相关电子器件的MEMS装置。实施例利用模块化工艺流程概念作为MEMS-first方法的一部分，从而能够利用新颖的腔体密封工艺。因此减少或消除了由于MEMS加工对电子器件的影响和潜在有害作用。同时，提供了高度灵活的解决方案，能够实施各种测量原理，包括电容式和压阻式。因此，各种传感器应用可具有改进的性能和质量，同时保持成本高效。

公开(公告)号：CN102674237A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210038129.2

申请日：2012-02-17

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： 斯特凡·科尔贝 ,  克莱门斯·普鲁格尔 ,  伯恩哈德·温克勒 ,  安德烈亚斯·桑克尔

IPC分类号： B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC分类号： B81B7/008 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/0707 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0735 ,  B81C2203/0771 ,  H01L27/0611

摘要： 本发明公开了单片集成传感器装置及形成方法和形成其腔体结构的方法。实施例涉及MEMS装置，具体涉及单个晶片上的集成有相关电子器件的MEMS装置。实施例利用模块化工艺流程概念作为MEMS-first方法的一部分，从而能够利用新颖的腔体密封工艺。因此减少或消除了由于MEMS加工对电子器件的影响和潜在有害作用。同时，提供了高度灵活的解决方案，能够实施各种测量原理，包括电容式和压阻式。因此，各种传感器应用可具有改进的性能和质量，同时保持成本高效。