公开(公告)号：CN104003347A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410059957.3

申请日：2014-02-21

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 安藤友一 ,  佐藤幸人 ,  前胜知

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00301 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2201/047 ,  B81B2207/095 ,  B81C2203/031 ,  B81C2203/0707 ,  H01L24/03 ,  H01L24/09 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件和制造器件的方法。一种器件包括：第一衬底，功能性元件和电极在其中形成；第二衬底，贯通电极在其中形成；接合材料，其接合所述第一衬底和所述第二衬底，并在所述功能性元件和所述第二衬底之间保留预定空间；和导电材料，其将所述电极电连接到所述贯通电极。在此，所述接合材料比所述导电材料更硬，并且在电学上，所述接合材料比所述导电材料导电性更弱。