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公开(公告)号：CN104651796B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201310582867.8
申请日：2013-11-19
摘要： 本发明提供一种ITO薄膜的电阻调节方法，其至少包括以下步骤：步骤S1，向真空腔室内输送工艺气体，并开启激励电源，以激发工艺气体形成的等离子体轰击ITO靶材，并在被加工工件的表面上沉积ITO薄膜；步骤S2，停止向真空腔室内输送工艺气体，且关闭激励电源，并使被加工工件在真空腔室内保持预设时长，通过改变预设时长来调节ITO薄膜的电阻。本发明提供的ITO薄膜的电阻调节方法，其不仅可以减小ITO薄膜的电阻和提高ITO薄膜的电阻均匀性，从而可以提高ITO薄膜的工艺质量；而且可以降低投入成本，并使得调节过程简单，从而可以提高工作效率，进而可以提高经济效益。
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公开(公告)号：CN103966557B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201310045824.6
申请日：2013-02-05
CPC分类号： H01L31/1884 , C23C14/086 , C23C14/3492 , H01L31/022475 , Y02E10/50
摘要： 本发明公开了一种ITO薄膜溅射工艺方法及ITO薄膜溅射设备。所述方法包括以下步骤：在向反应腔内通入工艺气体之前，控制直流溅射电源的输出电压为预定电压，并通过直流溅射电源对靶材施加预定功率；在预定时间之后向反应腔内通入工艺气体，以使工艺气体在反应腔内启辉；在启辉之后，通过直流溅射电源对靶材施加溅射功率以进行溅射，溅射功率大于等于所述预定功率且小于等于所述溅射电源的额定功率。本发明的ITO薄膜溅射工艺方法，能够大幅减小启辉电压，减小启辉瞬间粒子能量过高对GaN层的轰击，有效的减小对GaN层的损伤。而且，由于不需要增加新的机构，增加了稳定性，同时方便工艺进行调整，薄膜沉积均匀性提高。
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公开(公告)号：CN103849848B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201210495442.9
申请日：2012-11-28
CPC分类号： C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3435 , H01J37/3444
摘要： 本发明公开了一种物理气相沉积装置，包括：反应腔室；基片支撑部件，所述基片支撑部件设置在所述反应腔室的底部且与所述溅射靶材相对；直流电源，所述直流电源耦接于所述溅射靶材；射频电源，所述射频馈入部件耦接于所述溅射靶材，所述射频馈入部件包括分配环和沿所述分配环的周向间隔设置的多条分配条，所述分配环与所述射频电源耦接，所述分配环通过所述分配条耦接至所述溅射靶材。根据本发明实施例的物理气相沉积装置，降低了在靶材上产生的负偏压，进而减小了对基片或晶圆产生的损伤，且明显提高了沉积速率，从而提高了工艺效率。
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公开(公告)号：CN103177918B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201110448612.3
申请日：2011-12-26
摘要： 本发明提供一种磁控管及等离子体加工设备，所述磁控管包括极性相反的内磁极和外磁极，所述内磁极与所述外磁极相互不接触地嵌套在一起，所述内磁极和外磁极在其径向截面上的形状均为螺旋线。该磁控管可以提高靶材的利用率，不仅可以降低等离子体加工设备生产成本，而且可以提高等离子体加工设备的生产效率。
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公开(公告)号：CN103094156B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201110349863.6
申请日：2011-11-03
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/768
摘要： 本发明公开了基片处理设备及其腔室装置和基片加热方法。所述腔室装置包括：腔室本体，其内限定有处理腔室；设在所述处理腔室内的顶部的加热部件；设在所述处理腔室内用于支承基片的支承台，支承台的上表面与加热部件相对；和匀热板，匀热板在等待位置和匀热位置之间可移动，其中在匀热位置匀热板位于加热部件与支承台之间而在等待位置匀热板离开加热部件与支承台之间。根据本发明实施例的腔室装置，可以将由加热部件产生的热均匀化后再通过热辐射、热对流等方式传导给基片，因此可以实现对基片的均匀加热。
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公开(公告)号：CN104651786A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201310583353.4
申请日：2013-11-18
摘要： 本发明涉及一种磁控管的磁场强度的调节方法，磁控管包括依次排列的多个磁体组件，磁体组件包括磁体和分别设置在磁体的上端面和下端面上的上盖和下盖，调节方法包括以下步骤：保持每个磁体组件的整体高度不变，改变位于磁控管的待调节区域内的各个磁体组件的磁体、上盖和下盖的高度，或者三者中的任意两者的高度在该磁体组件的整体高度中所占的比例，以增强或减弱磁控管在该待调节区域内产生的磁场强度。上述调节方法可以使靶材上表面的各区域具有均匀的磁场强度，进而在磁控溅射沉积工艺过程中，使粒子均匀地轰击靶材，这样使靶材在工艺过程中被均匀的腐蚀，从而提高靶材的利用率，并使沉积至被加工工件上的薄膜具有较好的均匀性。
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公开(公告)号：CN102534473A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010591783.7
申请日：2010-12-08
IPC分类号： C23C14/02
摘要： 本发明提供一种加热装置，用于在基片处理设备中对基片进行加热，该加热装置包括多个加热灯及用于安装多个加热灯的安装板，以及与上述安装板相连接的旋转机构，该旋转机构用于驱动安装板进行旋转运动，从而实现对基片的快速、均匀加热。此外，本发明还提供一种应用上述加热装置的基片处理设备。
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公开(公告)号：CN106811726A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201510854884.1
申请日：2015-11-30
CPC分类号： C23C14/3485 , C23C14/0617 , C23C14/0641 , C23C14/3435 , C23C14/35 , C23C14/54
摘要： 本发明提供了一种溅射沉积工艺及设备，在溅射沉积工艺过程中，通过脉冲直流电源向靶材提供溅射功率；并且预设用于承载基片的基座与射频电源电连接，或者，预设用于承载基片的基座通过电容接地，用以调节在所述基片表面形成的鞘层电压。本发明提供的溅射沉积工艺及设备，同时能够实现成膜密度高和成膜均匀性好的优点。
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公开(公告)号：CN103972016B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201310029452.8
申请日：2013-01-25
摘要： 本发明提供一种磁控管组件及磁控溅射设备，包括磁轭背板以及排列在所述磁轭背板上以形成预定形状的磁控管的磁体，并且在所述磁轭背板上设置有贯穿其厚度的多个背板通孔，每个所述磁体与所述多个背板通孔中的其中一个可旋转地连接，并且所述磁体相对于所述背板通孔旋转的旋转轴偏离所述磁体的中心轴，且与所述背板通孔的轴线重合。本发明提供的磁控管组件无需采用磁铁连接件就可以单独调整每个磁体与磁轭背板之间的相对位置，从而不仅调整过程简单、灵活性好，而且还可以降低加工难度以及制造和加工成本；此外，由于调整磁体排列的形状的最小调整量较小，从而可以获得较为准确又平滑的磁控管的形状。
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公开(公告)号：CN104711524A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310695110.X
申请日：2013-12-17
IPC分类号： C23C14/34
摘要： 本发明涉及一种离化率检测装置和方法，其包括离子沉积速率检测单元和总沉积速率检测单元；总沉积速率检测单元用于通过检测沉积在被加工工件上的薄膜厚度而获得溅射粒子的总沉积速率；离子沉积速率检测单元用于检测溅射粒子中离子的沉积速率，其包括导电金属片、隔离件、电流检测装置及直流电源；导电金属片置于被加工工件上；隔离件用以将导电金属片与外界电绝缘；隔离件的位于导电金属片上方的位置处设有竖直的通孔；直流电源用以向导电金属片加载负偏压；电流检测装置用于检测电路上的电流；根据电流进行计算而获得溅射粒子中离子的沉积速率，并通过计算溅射粒子的离子沉积速率与总沉积速率的比值而获得溅射粒子的离化率。
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