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公开(公告)号：CN105789084A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201410788850.2
申请日：2014-12-17
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： C23C14/541 , C23C14/02 , C23C14/50 , F27B17/0025 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/6719 , H01L21/67248 , H01L21/67757 , H05B3/0047
摘要： 本发明提供一种加热腔室以及半导体加工设备。该加热腔室包括加热筒体，设置在加热腔室内，且位于传片口的上方；环形加热装置，环绕设置在加热筒体内侧，用以自加热筒体的周围向内部辐射热量；片盒，用于承载多个基片，且使多个基片沿加热筒体的轴向间隔排布；片盒升降装置，用于驱动片盒上升至由环形加热装置限定的内部空间内，或者下降至与传片口相对应的位置处。本发明提供的加热腔室，其不仅可以实现单次对在竖直方向上间隔排布的多个基片同时进行加热，从而成倍地增加单位时间内加工基片的数量，而且更容易保证基片各区域之间以及各基片间的温度均匀性，从而可以提高工艺均匀性。
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公开(公告)号：CN104342632A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310341787.3
申请日：2013-08-07
IPC分类号： C23C16/02
CPC分类号： H01J37/32871 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32495 , H01J37/32651 , H01J2237/335 , C23C16/0227 , C23C16/0245
摘要： 本发明提供的预清洗腔室及等离子体加工设备，包括腔体、顶盖和承载单元，顶盖设置在腔体顶端，承载单元设置在腔体底部，用以承载晶片，并且，在腔体内的承载单元上方设置有离子过滤单元，该离子过滤单元用于在等离子体自其上方朝向所述承载单元的方向运动时，过滤等离子体中的离子。本发明提供的预清洗腔室，其可以在等离子体自其上方朝向所述承载单元的方向运动时，过滤等离子体中的离子，从而可以避免等离子体中的氢离子对Low-k材料的不良影响，进而可以提高产品性能。
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公开(公告)号：CN103103482A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201110356144.7
申请日：2011-11-10
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明提供一种用于驱动磁控管的驱动机构及磁控溅射设备，所述驱动机构包括箱体、旋转运动单元、传动单元以及直线运动单元，所述直线运动单元包括第一齿条、第二齿条、设有第一啮合部和第一非啮合部的第一齿轮以及设有第二啮合部和第二非啮合部的第二齿轮，当所述第一齿条与所述第一齿轮的第一啮合部啮合时，所述第二齿条处于所述第二齿轮的第二非啮合部位置；当所述第二齿条与第二齿轮的所述第二啮合部啮合时，所述第一齿条处于所述第一齿轮的第一非啮合部位置。该驱动机构在旋转运动单元向一个方向旋转的同时使第一驱动轮与第二驱动轮交错地驱动被驱动部件作直线运动，从而提高驱动机构的使用寿命。
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公开(公告)号：CN101499435A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200810057403.4
申请日：2008-02-01
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065 , C30B33/12 , C30B35/00
摘要： 本发明涉及一种半导体晶片举升装置，包括用于举升半导体晶片的举升座、与该举升座相连的举升机构以及驱动所述举升机构的驱动装置，所述举升机构包括作用于所述举升座的连接杆以及与所述连接杆相连的传动机构，所述驱动装置驱动所述传动机构，并由该传动机构通过连接杆带动所述举升座在举升方向上变速运动。由于本发明可以通过利用曲柄连杆或凸轮机构等传动装置特殊的运动规律，实现半导体晶片举升装置正弦曲线的运动规律，控制柱状举升结构移动的速度，实现晶片在入座和离座过程中慢快慢的动作，从而防止对晶片的损坏。
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公开(公告)号：CN101383266A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200710121288.8
申请日：2007-09-03
发明人： 赵梦欣
摘要： 本发明公开了一种反应腔室，包括内衬，内衬的侧壁设有接触法兰，接触法兰与反应腔室的内壁紧密接触。反应腔室的内壁设有台阶，接触法兰固定在台阶上。内衬的侧壁的下部连接有屏蔽板，侧壁与屏蔽板可以为整体式结构，也可以为分体式结构。通过内衬下部的接触法兰在真空条件下与反应腔室壁连接，继而增大内衬在真空条件下的导热率，使内衬具有热稳定性，减少了内衬中在射频电源循环开及关时产生的温度波动，有利于刻蚀的稳定进行。
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公开(公告)号：CN100416757C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200510126354.1
申请日：2005-12-07
发明人： 赵梦欣
摘要： 本发明涉及等离子体刻蚀装置。本发明提出的等离子体刻蚀装置排气环，其中环上有通孔，孔的剖面形状优选是漏斗形。本发明的优点和积极效果在于：由于所述排气环具有通孔，因此有利于反应气体的导通性；同时由于排气环剖面采用漏斗形，增大接地面积，更加有效地将屏蔽等离子体，使等离子体限制在一定区域内。
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公开(公告)号：CN106637124A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510728965.7
申请日：2015-10-30
IPC分类号： C23C14/50
摘要： 本发明提供一种用于物理气相沉积的沉积环和物理气相沉积设备。所述沉积环的内周表面上具有环形的内凸台，所述内凸台具有用于承接基片的承接面，所述内凸台上方的内周表面为沿着向上的方向渐开的锥形面。本发明提供的沉积环采用了锥形面和内凸台相结合的设计。通过向下渐缩(即沿向上方向渐开)的锥形面来减小基片的侧面和锥形面之间的缝隙，进而避免在基片的侧面镀膜。并且，还可以使基片的背面边缘直接与凸台的承载面接触，因此避免了背面绕镀的可能。此外，沿向上方向渐开的锥形面还有助于利用重力作用使基片自动地滑落到内凸台的承接面上，使基片准确地落入到预定位置，进而可以容许较大的传入位置偏差。
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公开(公告)号：CN102418073B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201110099424.4
申请日：2011-04-20
CPC分类号： C23C14/358 , C23C14/564 , H01J37/32467 , H01J37/32651 , H01J37/32871 , H01J37/3411
摘要： 一种溅射腔室、预清洗腔室以及等离子体加工设备，所述溅射腔室包括腔体、靶、静电卡盘以及电感线圈，所述靶设置在所述腔体顶端并与电源连接，所述静电卡盘设置在所述腔体底部，所述电感线圈设置在所述腔体的外侧。该溅射腔室可以避免电感线圈被等离子体溅射，从而提高电感线圈的使用寿命，降低溅射腔室的使用成本，同时减少溅射腔室内的颗粒污染源，以及避免因电感线圈表面沉积颗粒而污染被加工工件以及提高靶的利用率。所述预清洗腔室可以将顶盖设计成易于加工的结构，避免采用加工成本较高的拱形结构，从而降低顶盖的加工成本以及提高颗粒与顶盖的附着力，减少甚至避免附着在顶盖表面的颗粒对位于顶盖下方的被加工工件的污染。
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公开(公告)号：CN102487029B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201010577917.X
申请日：2010-12-02
IPC分类号： H01L21/683 , H01J37/32
摘要： 本发明提出了一种静电卡盘，包括：卡盘本体，卡盘本体设有进气孔和安装孔；电极层，电极层设置在卡盘本体内；导电件，导电件固定在安装孔内；多个突起部，多个突起部设在卡盘本体的上表面上以在卡盘本体的上表面上限定出气体通道，气体通道与进气孔连通；凸台，凸台设在卡盘本体的上表面上；和导电层，导电层设在凸台的上表面上且与导电件电连接，其中导电层的上表面与多个突起部的上表面平齐。本发明实施例通过在设置在卡盘本体上表面上的凸台及导电层使得导电件能够与晶片充分接触，由于凸台及导电层提供了较大的接触面，因此就可以减小导电件的直径，从而确保静电卡盘对晶片产生足够的吸附力。
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公开(公告)号：CN102485935B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201010585727.2
申请日：2010-12-06
IPC分类号： C23C14/02 , C30B33/02 , H01L21/203
CPC分类号： C23C16/46 , C23C14/02 , H01L21/67103
摘要： 本发明提供一种均热板及应用该均热板的基片处理设备，其中，上述均热板包括中心子均热板和至少一个位于中心子均热板外围的外环子均热板，并且在中心子均热板与外环子均热板之间以及在相邻的两个外环子均热板之间均具有隔热部，借助该隔热部能够有效阻止或降低相邻的子均热板之间的热传导。本发明所提供的均热板及应用该均热板的基片处理设备能够有效补偿基片边缘区域的热损失，从而使基片各区域的升温速度保持一致。
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