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公开(公告)号：CN102573429B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201010588211.3
申请日：2010-12-09
摘要： 本发明提供一种屏蔽装置、加工方法及设备以及半导体设备，其中，所述屏蔽装置包括壳体，壳体上设有多个通孔，所述壳体的侧壁曲线与所述壳体所置磁场中的磁力线平行。本发明的技术方案可以减小屏蔽装置与磁场的切割面积，从而减少磁场在屏蔽装置内的涡流，进而可以减少、甚至消除磁场能量向热量的转换，这不仅可以减少磁场能量的损失，而且还可以彻底解决屏蔽装置温度较高的问题。
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公开(公告)号：CN102534524B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201010603748.2
申请日：2010-12-14
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明提供一种用于PVD工艺的反应腔室及PVD系统，其中，用于PVD工艺的反应腔室包括反应腔室本体、下电极和靶材，所述靶材设置于所述反应腔室本体的顶部，所述下电极设置于所述反应腔室本体内的底部，其中还包括下电极射频电源组，所述下电极射频电源组中包括至少两个射频电源和至少两个匹配器，且所述至少两个射频电源与至少两个匹配器一一对应，所述下电极射频电源组用于向所述下电极输出射频功率。本发明通过下电极射频电源组中各种频率的射频电源向反应腔室内输出不同频的射频功率，不仅增大了等离子体的密度，而且还使反应腔室内的等离子体的分布更加均匀，有利于提高等离子体加工晶圆的均匀性，从而满足PVD工艺处理的要求。
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公开(公告)号：CN102418073B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201110099424.4
申请日：2011-04-20
CPC分类号： C23C14/358 , C23C14/564 , H01J37/32467 , H01J37/32651 , H01J37/32871 , H01J37/3411
摘要： 一种溅射腔室、预清洗腔室以及等离子体加工设备，所述溅射腔室包括腔体、靶、静电卡盘以及电感线圈，所述靶设置在所述腔体顶端并与电源连接，所述静电卡盘设置在所述腔体底部，所述电感线圈设置在所述腔体的外侧。该溅射腔室可以避免电感线圈被等离子体溅射，从而提高电感线圈的使用寿命，降低溅射腔室的使用成本，同时减少溅射腔室内的颗粒污染源，以及避免因电感线圈表面沉积颗粒而污染被加工工件以及提高靶的利用率。所述预清洗腔室可以将顶盖设计成易于加工的结构，避免采用加工成本较高的拱形结构，从而降低顶盖的加工成本以及提高颗粒与顶盖的附着力，减少甚至避免附着在顶盖表面的颗粒对位于顶盖下方的被加工工件的污染。
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公开(公告)号：CN102534524A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010603748.2
申请日：2010-12-14
摘要： 本发明提供一种用于PVD工艺的反应腔室及PVD系统，其中，用于PVD工艺的反应腔室包括反应腔室本体、下电极和靶材，所述靶材设置于所述反应腔室本体的顶部，所述下电极设置于所述反应腔室本体内的底部，其中还包括下电极射频电源组，所述下电极射频电源组中包括至少两个射频电源和至少两个匹配器，且所述至少两个射频电源与至少两个匹配器一一对应，所述下电极射频电源组用于向所述下电极输出射频功率。本发明通过下电极射频电源组中各种频率的射频电源向反应腔室内输出不同频的射频功率，不仅增大了等离子体的密度，而且还使反应腔室内的等离子体的分布更加均匀，有利于提高等离子体加工晶圆的均匀性，从而满足PVD工艺处理的要求。
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公开(公告)号：CN103023452A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110281850.X
申请日：2011-09-21
发明人： 张良
摘要： 本发明实施例提出了一种滤波电路，包括：第一端和第二端；第一电感，所述第一电感的一端与所述第一端相连；第一电容，所述第一电容的一端与所述第一电感的另一端相连，且所述第一电容的另一端接地，所述第一电容与所述第一电感形成谐振回路，以滤除调频电源的低频部分；第二电感，所述第二电感的一端与所述第一电感的另一端相连；第二电容，所述第二电容的一端与所述第二电感的另一端相连，且所述第二电容的另一端与所述第二端相连；和第三电感，所述第三电感与所述第二电容并联，形成谐振回路，以滤除调频电源的高频部分。通过本发明实施例的滤波电路能够提供较宽的频带，从而能够在双频应用中使用频率可调电源。
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公开(公告)号：CN102573429A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010588211.3
申请日：2010-12-09
摘要： 本发明提供一种屏蔽装置、加工方法及设备以及半导体设备，其中，所述屏蔽装置包括壳体，壳体上设有多个通孔，所述壳体的侧壁曲线与所述壳体所置磁场中的磁力线平行。本发明的技术方案可以减小屏蔽装置与磁场的切割面积，从而减少磁场在屏蔽装置内的涡流，进而可以减少、甚至消除磁场能量向热量的转换，这不仅可以减少磁场能量的损失，而且还可以彻底解决屏蔽装置温度较高的问题。
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公开(公告)号：CN102469675A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010537743.4
申请日：2010-11-05
发明人： 张良
摘要： 本发明公开了一种用于半导体设备的功率匹配装置，包括：传感器，所述传感器与所述半导体设备的功率源相连，用于采集来自所述功率源的信号，获得阻抗调整量；和匹配网络，所述匹配网络与所述传感器相连，用于根据来自所述传感器的阻抗调整量，调整所述匹配网络的输出阻抗以与所述半导体设备的反应腔室的输入阻抗相匹配，且用于滤除与所述功率源的信号频率不同的信号。由此，可使上电极和下电极使用的电源和功率匹配装置正常工作，并且不会影响功率匹配装置的匹配范围。本发明进一步公开了一种半导体设备。
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公开(公告)号：CN103023452B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201110281850.X
申请日：2011-09-21
发明人： 张良
摘要： 本发明实施例提出了一种滤波电路，包括：第一端和第二端；第一电感，所述第一电感的一端与所述第一端相连；第一电容，所述第一电容的一端与所述第一电感的另一端相连，且所述第一电容的另一端接地，所述第一电容与所述第一电感形成谐振回路，以滤除调频电源的低频部分；第二电感，所述第二电感的一端与所述第一电感的另一端相连；第二电容，所述第二电容的一端与所述第二电感的另一端相连，且所述第二电容的另一端与所述第二端相连；和第三电感，所述第三电感与所述第二电容并联，形成谐振回路，以滤除调频电源的高频部分。通过本发明实施例的滤波电路能够提供较宽的频带，从而能够在双频应用中使用频率可调电源。
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公开(公告)号：CN102480831A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010569759.3
申请日：2010-11-26
摘要： 本发明提供一种下电极装置，其包括下电极、匹配器、射频电源、第一连接器、第二连接器、射频电缆以及阻抗网络，其中，匹配器连接第二连接器和射频电源，射频电缆连接第一连接器和第二连接器，且阻抗网络连接在下电极与第一连接器之间，以使射频电源的输出功率依次经过匹配器、第二连接器、射频电缆、第一连接器和阻抗网络而输送至下电极。本发明还提供一种包括上述下电极装置的半导体设备。本发明提供的下电极装置和半导体设备可使下电极输出同一射频功率时所需要的电流显著降低，因而避免了因定制耐流范围更大的非通用连接器和射频电缆所耗费的成本和时间，同时使下电极装置及半导体设备的结构得到简化、可靠性得到提高。
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公开(公告)号：CN102418073A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110099424.4
申请日：2011-04-20
CPC分类号： C23C14/358 , C23C14/564 , H01J37/32467 , H01J37/32651 , H01J37/32871 , H01J37/3411
摘要： 一种溅射腔室、预清洗腔室以及等离子体加工设备，所述溅射腔室包括腔体、靶、静电卡盘以及电感线圈，所述靶设置在所述腔体顶端并与电源连接，所述静电卡盘设置在所述腔体底部，所述电感线圈设置在所述腔体的外侧。该溅射腔室可以避免电感线圈被等离子体溅射，从而提高电感线圈的使用寿命，降低溅射腔室的使用成本，同时减少溅射腔室内的颗粒污染源，以及避免因电感线圈表面沉积颗粒而污染被加工工件以及提高靶的利用率。所述预清洗腔室可以将顶盖设计成易于加工的结构，避免采用加工成本较高的拱形结构，从而降低顶盖的加工成本以及提高颗粒与顶盖的附着力，减少甚至避免附着在顶盖表面的颗粒对位于顶盖下方的被加工工件的污染。
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