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公开(公告)号：CN108010718A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201610929208.0
申请日：2016-10-31
摘要： 本发明提供一种磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备，包括腔室主体和偏置磁场装置，在腔室主体内设置有基座，用以承载待加工工件。偏置磁场装置用于在基座上方形成水平磁场，该水平磁场用于在待加工工件上沉积具有面内各向异性的磁性膜层。本发明提供的薄膜沉积腔室，其能够在基座上方形成足以诱发磁性薄膜的面内各向异性的水平磁场。
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公开(公告)号：CN105575871A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410583010.2
申请日：2014-10-27
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67
摘要： 本发明提供一种承载装置，该承载装置包括用于承载基片的基座和用于对所述基片进行冷却的冷却机构，所述冷却机构包括背吹管道，所述基座上设置有沿所述基座的厚度方向贯穿所述基座的通孔，所述背吹管道的出气端设置在所述通孔中，其中，所述冷却机构还包括调节所述背吹管道内的背吹气体的温度的辅助冷却结构。本发明还提供一种反应腔室。当利用本发明所提供的承载装置进行微电子加工工艺时，利用辅助冷却结构对背吹管道内的背吹气体进行温度调节，利用经过温度调节后的背吹气体可以将基座上设置的基片冷却至所需温度。
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公开(公告)号：CN105331936A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201410272974.5
申请日：2014-06-18
CPC分类号： C23C14/34
摘要： 本发明公开了一种ITO薄膜的沉积方法，采用磁控溅射工艺进行ITO薄膜的沉积，包括以下步骤：利用射频和直流共溅射在基片表面沉积ITO缓冲层；利用DC溅射在所述ITO缓冲层表面沉积ITO薄膜层。其通过射频和直流共溅射，有效降低了溅射粒子对基片表面轰击造成的损伤。此外，本发明还提供了一种GaN基LED芯片，该芯片的ITO透明电极采用本发明的ITO薄膜的沉积方法制备而成。在进行ITO透明电极的沉积时，由于采用本发明的ITO薄膜的沉积方法，有效降低了溅射粒子对GaN基片表面轰击造成的损伤，从而降低了ITO透明电极与GaN基片之间的接触电阻，进而降低了LED芯片的能耗，增加了LED芯片的光电转化效率，提高了LED芯片的寿命。
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公开(公告)号：CN103938164B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201310023126.6
申请日：2013-01-22
CPC分类号： C23C14/086
摘要： 本发明公开了一种ITO薄膜溅射工艺方法和ITO薄膜溅射设备。其中ITO薄膜溅射工艺包括以下步骤：1）将直流溅射电源的输出电压限制到所述直流溅射电源的额定电压以下，且通过所述直流溅射电源对靶材施加预定功率；2）向反应腔内通入工艺气体，所述反应腔内的工艺气体压力设定为所述反应腔内的所述工艺气体能够启辉的预定压力，以使所述工艺气体在所述反应腔内启辉；和3）将所述反应腔内的工艺气体压力降低到所述预定压力以下且通过所述直流溅射电源对所述靶材施加溅射功率以进行溅射，所述溅射功率大于等于所述预定功率且小于等于所述溅射电源的额定功率。本发明的ITO薄膜溅射工艺可降低启辉时的电压峰值。
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公开(公告)号：CN104746006A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310752241.7
申请日：2013-12-31
摘要： 本发明提供了一种调节TiW薄膜应力的PVD制备工艺，包括如下步骤：将待加工的基片置于基座上；通入第一流量的氩气；沉积步骤；对直流电源施加第一功率并保持第一预设时间；冷却步骤；停止对直流电源施加第一功率并保持第二预设时间；重复沉积步骤和冷却步骤直至达到所需的薄膜厚度。本发明提供的调节TiW薄膜应力的PVD制备工艺，通过在制备过程中设置了冷却步骤来调节TiW薄膜的应力，通过调整沉积的第一预设时间和冷却的第二预设时间调节薄膜的应力，这样制得的TiW薄膜的应力可控，并且TiW薄膜的沉积速率和致密度保持基本不变，能够满足半导体集成电路器件的应力需求，提高半导体集成电路的稳定性和使用寿命。
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公开(公告)号：CN103938164A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201310023126.6
申请日：2013-01-22
CPC分类号： C23C14/086
摘要： 本发明公开了一种ITO薄膜溅射工艺方法和ITO薄膜溅射设备。其中ITO薄膜溅射工艺包括以下步骤：1）将直流溅射电源的输出电压限制到所述直流溅射电源的额定电压以下，且通过所述直流溅射电源对靶材施加预定功率；2）向反应腔内通入工艺气体，所述反应腔内的工艺气体压力设定为所述反应腔内的所述工艺气体能够启辉的预定压力，以使所述工艺气体在所述反应腔内启辉；和3）将所述反应腔内的工艺气体压力降低到所述预定压力以下且通过所述直流溅射电源对所述靶材施加溅射功率以进行溅射，所述溅射功率大于等于所述预定功率且小于等于所述溅射电源的额定功率。本发明的ITO薄膜溅射工艺可降低启辉时的电压峰值。
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公开(公告)号：CN103173730A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110439653.6
申请日：2011-12-23
摘要： 本发明提供一种磁控溅射设备及其工艺方法，磁控溅射设备包括装卸腔室、反应腔室以及传输腔室，所述装卸腔室用于装卸被加工工件，在所述反应腔室内设有用以支撑被加工工件的静电卡盘，在所述传输腔室内设有用以在所述装卸腔室和所述反应腔室之间传输所述被加工工件的机械手，其中，用于遮挡所述静电卡盘表面的遮挡盘放置在所述反应腔室外，当需要遮挡所述静电卡盘表面时，所述遮挡盘通过所述机械手被传输至所述静电卡盘的上方，当不需要遮挡所述静电卡盘表面时，再通过所述机械手将所述遮挡盘从所述静电卡盘的上方传输至所述反应腔室外。这不仅可以减小反应腔室的体积，简化磁控溅射设备的结构，而且还可以降低磁控溅射设备的制造成本。
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公开(公告)号：CN102569011A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010600961.8
申请日：2010-12-13
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/677 , H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种晶片处理系统和晶片处理方法。该系统包括：第一大气传输装置、第二大气传输装置、传输腔室和与所述传输腔室连接的反应腔室，所述第一大气传输装置、所述传输腔室和所述第二大气传输装置依次连接；所述第一大气传输装置，用于将获取的晶片向所述传输腔室传送；所述传输腔室，用于获取所述晶片，将所述晶片送入所述反应腔室以供所述反应腔室对所述晶片进行工艺处理，并将工艺处理后的所述晶片向所述第二大气传输装置传送；所述第二大气传输装置，用于获取工艺处理后的所述晶片。本发明的晶片处理系统无需将晶片再回传至第一大气传输装置，从而减少了晶片在晶片处理系统中的传输时间以及降低了晶片受到污染的可能性。
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公开(公告)号：CN102534522A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010588197.7
申请日：2010-12-09
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明提供一种磁控溅射源及磁控溅射设备。其中，磁控溅射源包括磁控管及用于驱动该磁控管的驱动装置；借助该驱动装置可驱动磁控管以任意轨迹对靶材平面进行扫描，从而使靶材各个区域的消耗速率趋于一致，进而大幅提高靶材的利用率。本发明提供的磁控溅射设备中设置有上述本发明提供的磁控溅射源，因而其同样能够大幅提高靶材的利用率。
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公开(公告)号：CN102409303A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201010291502.6
申请日：2010-09-25
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： C23C14/3485 , C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/3467
摘要： 本发明提供一种用于磁控溅射工艺的靶材功率加载方法，包括：10)为靶材分别连接主功率电源和维持功率电源；20)使主功率电源以脉冲的形式向靶材加载一定的主功率；使维持功率电源至少在主功率电源的脉冲间隔时间内向靶材加载一定的小于上述主功率的维持功率，用以在主功率的脉冲间隔时间内维持溅射工艺的辉光放电过程。上述靶材功率加载方法能够在保证工艺稳定及可控性的同时，可使金属离化率得到明显提高，从而满足新技术节点的工艺要求。此外，本发明还提供一种包括主功率模块和维持功率模块的靶材电源，以及一种应用上述靶材功率加载方法或靶材电源的半导体处理设备。
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