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公开(公告)号：CN105489463B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201410476179.8
申请日：2014-09-17
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种预清洗腔室及半导体加工设备，其包括采用绝缘材料制成的顶盖，在顶盖下表面设置有槽部，用以阻断附着在顶盖下表面的残留物形成闭合回路；并且，在槽部下方还设置有采用绝缘材料制作的阻挡件，阻挡件用于阻挡残留物进入槽部内。本发明提供的预清洗腔室，其不仅可以避免射频能量在顶盖上产生欧姆损耗，从而可以减少清洗顶盖的频次、降低设备成本且提高设备产能，而且还可以实现金属刻蚀，从而可以扩大预清洗腔室的工艺窗口范围。
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公开(公告)号：CN103687267B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201210343983.X
申请日：2012-09-17
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 刘建生
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种阻抗匹配装置、阻抗匹配方法及基片加工设备，阻抗匹配装置包括阻抗匹配网络，其包括第一电容和第二电容，所述等离子体负载的一端与所述射频功率源连接，另一端接地；所述第二电容串联在所述射频功率源与所述等离子体负载之间；所述第一电容的一端与所述等离子体负载连接，另一端接地；自动控制单元，在调节阻抗匹配网络的输入阻抗时，首先调节所述第一电容的阻抗值使阻抗实部偏差小于或等于第一预设精度，然而调节所述第二电容的阻抗值使阻抗虚部偏差小于或等于第二预设精度，重复上述调节步骤，射频功率源的输出阻抗与阻抗匹配网络的输入阻抗实现共轭匹配。该阻抗匹配装置成本低，可靠性高，阻抗匹配时间短，生产效率高。
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公开(公告)号：CN104752134B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201310740116.4
申请日：2013-12-29
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种反应腔室及等离子体加工设备，其顶部上方设有线圈，线圈通过第一匹配器与第一电源连接，反应腔室内部设有承载装置，承载装置通过第二匹配器与第二电源连接；第一匹配器包括第一传感器、第一控制器、第一匹配网络和第一滤波网络；第一滤波网络连接于第一控制器和第一匹配网络之间；第二匹配器包括第二传感器、第二控制器、第二匹配网络和第二滤波网络；第二滤波网络连接于第二控制器和第二匹配网络之间。反应腔室可以使第一电源输出的第一功率和第二电源输出的第二功率在工艺过程中保持稳定，不产生大的波动，从而反应腔室内的等离子体的产生和分布保持稳定，以及使工艺具有较好的均匀性和重复性；并使反应腔室的制造成本降低。
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公开(公告)号：CN104752134A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310740116.4
申请日：2013-12-29
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
CPC classification number: H01L21/67213
Abstract: 本发明涉及一种反应腔室及等离子体加工设备，其顶部上方设有线圈，线圈通过第一匹配器与第一电源连接，反应腔室内部设有承载装置，承载装置通过第二匹配器与第二电源连接；第一匹配器包括第一传感器、第一控制器、第一匹配网络和第一滤波网络；第一滤波网络连接于第一控制器和第一匹配网络之间；第二匹配器包括第二传感器、第二控制器、第二匹配网络和第二滤波网络；第二滤波网络连接于第二控制器和第二匹配网络之间。反应腔室可以使第一电源输出的第一功率和第二电源输出的第二功率在工艺过程中保持稳定，不产生大的波动，从而反应腔室内的等离子体的产生和分布保持稳定，以及使工艺具有较好的均匀性和重复性；并使反应腔室的制造成本降低。
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公开(公告)号：CN106811726A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201510854884.1
申请日：2015-11-30
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
CPC classification number: C23C14/3485 , C23C14/0617 , C23C14/0641 , C23C14/3435 , C23C14/35 , C23C14/54
Abstract: 本发明提供了一种溅射沉积工艺及设备，在溅射沉积工艺过程中，通过脉冲直流电源向靶材提供溅射功率；并且预设用于承载基片的基座与射频电源电连接，或者，预设用于承载基片的基座通过电容接地，用以调节在所述基片表面形成的鞘层电压。本发明提供的溅射沉积工艺及设备，同时能够实现成膜密度高和成膜均匀性好的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102611373B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201110021619.7
申请日：2011-01-19
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 刘建生
Abstract: 本发明提供一种步进电机的控制方法、装置及等阻抗匹配器，其中，方法包括：根据匹配网络的输入阻抗与功率源的输出阻抗之间的阻抗差计算步进电机的运行周期的算法步进调整量；根据所述步进电机上一运行周期的实际步进调整量和所述运行周期的算法步进调整量获得所述运行周期的实际步进调整量；根据所述运行周期的实际步进调整量来调整所述步进电机的运行速度，以控制所述步进电机在所述运行周期内以调整后的运行速度恒速运转。本发明的技术方案按照阶梯增量变速算法来调整步进电机的运行速度，精确控制步进电机的运行速度，避免步进电机在启动、停止或频繁换向时因运行速度变化过快而发生丢步等问题。
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公开(公告)号：CN103849848A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210495442.9
申请日：2012-11-28
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3435 , H01J37/3444
Abstract: 本发明公开了一种物理气相沉积装置，包括：反应腔室；基片支撑部件，所述基片支撑部件设置在所述反应腔室的底部且与所述溅射靶材相对；直流电源，所述直流电源耦接于所述溅射靶材；射频电源，所述射频馈入部件耦接于所述溅射靶材，所述射频馈入部件包括分配环和沿所述分配环的周向间隔设置的多条分配条，所述分配环与所述射频电源耦接，所述分配环通过所述分配条耦接至所述溅射靶材。根据本发明实施例的物理气相沉积装置，降低了在靶材上产生的负偏压，进而减小了对基片或晶圆产生的损伤，且明显提高了沉积速率，从而提高了工艺效率。
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公开(公告)号：CN102611373A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201110021619.7
申请日：2011-01-19
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 刘建生
Abstract: 本发明提供一种步进电机的控制方法、装置及等阻抗匹配器，其中，方法包括：根据匹配网络的输入阻抗与功率源的输出阻抗之间的阻抗差计算步进电机的运行周期的算法步进调整量；根据所述步进电机上一运行周期的实际步进调整量和所述运行周期的算法步进调整量获得所述运行周期的实际步进调整量；根据所述运行周期的实际步进调整量来调整所述步进电机的运行速度，以控制所述步进电机在所述运行周期内以调整后的运行速度恒速运转。本发明的技术方案按照阶梯增量变速算法来调整步进电机的运行速度，精确控制步进电机的运行速度，避免步进电机在启动、停止或频繁换向时因运行速度变化过快而发生丢步等问题。
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公开(公告)号：CN105586574A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410559698.0
申请日：2014-10-20
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Abstract: 本发明提供了一种承载装置及物理气相沉积设备，该承载装置包括基座和压环，基座用于承载被加工工件，基座与射频电源电连接，用以向基座提供负偏压，压环的下表面叠置在被加工工件上表面的边缘区域，用以将被加工工件固定在基座上；基座的上表面上-设置有凹槽，凹槽对应压环的与被加工工件叠置的部分设置，且压环的与被加工工件叠置的部分的正投影位于所述凹槽内，在凹槽内设置有绝缘件，绝缘件用于减小其正上方的被加工工件表面与基座之间的电势差，且绝缘件不高于基座的上表面。该承载装置，可以避免该射频电流造成压环边沿处的被加工工件表面温度过高而发生打火现象，从而可以降低压环边沿处打火现象发生的可能性。
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公开(公告)号：CN105390368A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201410455191.0
申请日：2014-09-09
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Abstract: 本发明提供的晶片预清洗腔室及半导体加工设备，包括下电极组件，该下电极组件将晶片预清洗腔室分隔成等离子体产生腔和晶片处理腔；在该等离子体产生腔内与下电极组件相对设置有上电极组件，并且在晶片处理腔内设置有用于承载晶片的承载装置，下电极组件用于在等离子体自等离子体产生腔进入晶片处理腔时，过滤等离子体中的带电粒子。本发明提供的晶片预清洗腔室，其可以过滤等离子体中的带电粒子，从而可以避免带电粒子损伤晶片上的Low-k材料，进而可以提高产品性能。
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