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公开(公告)号：CN102464278B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201010532049.3
申请日：2010-10-29
摘要： 本发明提供一种直线驱动装置，其包括相互连接的中心轴、安装连接部、波纹管、导向连接部、直线动力源以及支撑杆；其中，中心轴在导向连接部及支撑杆的配合作用下进行高精度的直线往复运动，波纹管则用于使中心轴所处的密闭腔室与外界保持密封。由于上述支撑杆及导向连接部均被波纹管隔离在密闭腔室的外部而不会与密闭腔室发生相互影响，从而可有效避免导向部件的润滑物对密闭腔室造成污染的问题，同时也可避免密闭腔室内的高温及真空环境对导向部件的精度及使用寿命产生影响的问题，因而使本发明提供的直线驱动装置具有导线精度高及使用寿命长的优点。此外，本发明还提供一种应用上述直线驱动装置的半导体处理设备。
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公开(公告)号：CN103177918A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110448612.3
申请日：2011-12-26
摘要： 本发明提供一种磁控管及等离子体加工设备，所述磁控管包括极性相反的内磁极和外磁极，所述内磁极与所述外磁极相互不接触地嵌套在一起，所述内磁极和外磁极在其径向截面上的形状均为螺旋线。该磁控管可以提高靶材的利用率，不仅可以降低等离子体加工设备生产成本，而且可以提高等离子体加工设备的生产效率。
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公开(公告)号：CN103094156A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110349863.6
申请日：2011-11-03
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/768
摘要： 本发明公开了基片处理设备及其腔室装置和基片加热方法。所述腔室装置包括：腔室本体，其内限定有处理腔室；设在所述处理腔室内的顶部的加热部件；设在所述处理腔室内用于支承基片的支承台，支承台的上表面与加热部件相对；和匀热板，匀热板在等待位置和匀热位置之间可移动，其中在匀热位置匀热板位于加热部件与支承台之间而在等待位置匀热板离开加热部件与支承台之间。根据本发明实施例的腔室装置，可以将由加热部件产生的热均匀化后再通过热辐射、热对流等方式传导给基片，因此可以实现对基片的均匀加热。
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公开(公告)号：CN102534529A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010621854.3
申请日：2010-12-24
发明人： 刘旭
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明提供一种磁控溅射源及应用该磁控溅射源的磁控溅射设备。其中，所述磁控溅射源包括磁控管及驱动装置，所述磁控管和所述驱动装置相连接，所述驱动装置用于驱动所述磁控管以螺旋线形轨迹对整个靶材区域进行扫描。从而在将本发明提供的磁控溅射源应用于磁控溅射工艺中时，能够使靶材各个区域均被有效溅射，以避免靶材上的某些区域不能被充分利用的问题；并且，还可通过调节驱动装置的运行速度而对磁控管在其靶材中心区域和边缘的停留时间进行有效调节，从而使靶材各区域的消耗速率趋于一致，进而有效提高靶材的利用率。本发明提供的磁控溅射设备同样能够有效提高靶材的利用率。
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公开(公告)号：CN102464278A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010532049.3
申请日：2010-10-29
摘要： 本发明提供一种直线驱动装置，其包括相互连接的中心轴、安装连接部、波纹管、导向连接部、直线动力源以及支撑杆；其中，中心轴在导向连接部及支撑杆的配合作用下进行高精度的直线往复运动，波纹管则用于使中心轴所处的密闭腔室与外界保持密封。由于上述支撑杆及导向连接部均被波纹管隔离在密闭腔室的外部而不会与密闭腔室发生相互影响，从而可有效避免导向部件的润滑物对密闭腔室造成污染的问题，同时也可避免密闭腔室内的高温及真空环境对导向部件的精度及使用寿命产生影响的问题，因而使本发明提供的直线驱动装置具有导线精度高及使用寿命长的优点。此外，本发明还提供一种应用上述直线驱动装置的半导体处理设备。
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公开(公告)号：CN102108503A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200910241850.X
申请日：2009-12-10
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/505
摘要： 本发明提供一种用于等离子体处理设备的载板接地/支撑装置，包括刚性的支撑柱、载板接触部和弹性部件。其中，载板接触部位于支撑柱的顶端，用以对所述等离子体处理设备中的载板进行支撑并使其电接地；弹性部件在压力作用下其高度可在弹性范围内发生变化，从而使接地/支撑装置的整体高度发生变化。此外，本发明还提供一种等离子体处理设备，包括工艺腔室、设置于工艺腔室内的载板以及设置于载板下方的多个上述本发明提供的接地/支撑装置。本发明提供的接地/支撑装置及等离子体处理设备能够克服载板不共面等的问题，对载板进行有效的接地和支撑。
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公开(公告)号：CN102485935B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201010585727.2
申请日：2010-12-06
IPC分类号： C23C14/02 , C30B33/02 , H01L21/203
CPC分类号： C23C16/46 , C23C14/02 , H01L21/67103
摘要： 本发明提供一种均热板及应用该均热板的基片处理设备，其中，上述均热板包括中心子均热板和至少一个位于中心子均热板外围的外环子均热板，并且在中心子均热板与外环子均热板之间以及在相邻的两个外环子均热板之间均具有隔热部，借助该隔热部能够有效阻止或降低相邻的子均热板之间的热传导。本发明所提供的均热板及应用该均热板的基片处理设备能够有效补偿基片边缘区域的热损失，从而使基片各区域的升温速度保持一致。
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公开(公告)号：CN102108503B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN200910241850.X
申请日：2009-12-10
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/505
摘要： 本发明提供一种用于等离子体处理设备的载板支撑装置，包括刚性的支撑柱、载板接触部和弹性部件。其中，载板接触部位于支撑柱的顶端，用以对所述等离子体处理设备中的载板进行支撑并使其电接地；弹性部件可在压力作用下借助自身弹性而调节自身的高度，以保证在使用多个所述支撑装置支撑所述载板时，各个支撑装置均能与所述载板保持良好的接地和支撑。此外，本发明还提供一种等离子体处理设备，包括工艺腔室、设置于工艺腔室内的载板以及设置于载板下方的多个上述本发明提供的支撑装置。本发明提供的支撑装置及等离子体处理设备能够克服载板不共面等的问题，对载板进行有效的接地和支撑。
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公开(公告)号：CN102560395A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010613102.2
申请日：2010-12-29
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/3455 , H01J37/347
摘要： 本发明公开了磁控源，磁控溅射设备和磁控溅射方法。磁控源包括：靶材；位于靶材上方的磁控管；与磁控管相连以控制磁控管在靶材上方移动的扫描机构；扫描机构包括：桃形轨道，磁控管可移动地设置在桃形轨道上；与桃形轨道的极坐标原点相连，所述第一驱动轴用于驱动桃形轨道绕第一驱动轴的轴线转动的第一驱动轴；与第一驱动轴相连，所述第一驱动器用于驱动第一驱动轴转动的第一驱动器；和用于通过传动组件驱动所述磁控管沿桃形轨道移动的第二驱动器。本发明的磁控源，一方面由第一驱动器驱动桃形轨道转动，另一方面通过第二驱动器控制磁控管沿桃形轨道的运动速度，从而可以提高靶材的利用率并能达到较理想的靶材刻蚀效果，且具备高金属离化率。
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公开(公告)号：CN102400106A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201010277532.1
申请日：2010-09-08
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 磁控源和磁控溅射设备、以及磁控溅射方法，本发明公开了一种磁控源，包括：靶材；磁控管，所述磁控管位于所述靶材之上；和控制所述磁控管移动的扫描机构，所述扫描机构包括：轨道，所述磁控管沿所述轨道确定的方向可移动；第一驱动机构，所述第一驱动机构与所述轨道相连以驱动所述轨道在与所述靶材平行的平面上旋转；和第二驱动机构，所述第二驱动机构相对于所述第一驱动机构独立，所述第二驱动机构驱动所述磁控管沿由所述轨道确定的方向移动。通过本发明实施例可以分别对轨道的转动角速度和磁控管在由轨道确定的方向上的移动速度进行控制，从而能够提高靶材利用率，并且增加单位面积上的功率密度以提高金属离化率。
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