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公开(公告)号：CN102464278B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201010532049.3
申请日：2010-10-29
摘要： 本发明提供一种直线驱动装置，其包括相互连接的中心轴、安装连接部、波纹管、导向连接部、直线动力源以及支撑杆；其中，中心轴在导向连接部及支撑杆的配合作用下进行高精度的直线往复运动，波纹管则用于使中心轴所处的密闭腔室与外界保持密封。由于上述支撑杆及导向连接部均被波纹管隔离在密闭腔室的外部而不会与密闭腔室发生相互影响，从而可有效避免导向部件的润滑物对密闭腔室造成污染的问题，同时也可避免密闭腔室内的高温及真空环境对导向部件的精度及使用寿命产生影响的问题，因而使本发明提供的直线驱动装置具有导线精度高及使用寿命长的优点。此外，本发明还提供一种应用上述直线驱动装置的半导体处理设备。
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公开(公告)号：CN102464278A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010532049.3
申请日：2010-10-29
摘要： 本发明提供一种直线驱动装置，其包括相互连接的中心轴、安装连接部、波纹管、导向连接部、直线动力源以及支撑杆；其中，中心轴在导向连接部及支撑杆的配合作用下进行高精度的直线往复运动，波纹管则用于使中心轴所处的密闭腔室与外界保持密封。由于上述支撑杆及导向连接部均被波纹管隔离在密闭腔室的外部而不会与密闭腔室发生相互影响，从而可有效避免导向部件的润滑物对密闭腔室造成污染的问题，同时也可避免密闭腔室内的高温及真空环境对导向部件的精度及使用寿命产生影响的问题，因而使本发明提供的直线驱动装置具有导线精度高及使用寿命长的优点。此外，本发明还提供一种应用上述直线驱动装置的半导体处理设备。
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公开(公告)号：CN103915306A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201210592823.9
申请日：2012-12-31
摘要： 本发明公开了一种微电子工艺处理设备和用于其的反应腔室。所述反应腔室包括：具有开口的上端的腔室本体；盖住腔室本体且中央形成有第一通孔的进气部件，进气部件上形成有至少一个沿其周向分布的进气孔；设在进气部件上且中央形成有第二通孔的气体分配件，气体分配件的底面上形成有与进气孔相连通的周向槽，且周向槽的与第二通孔相邻的侧壁和第二通孔的周向壁之间形成有气体通道；喷淋板，所述喷淋板封闭第一通孔的下表面且喷淋板上形成有多个喷淋孔；以及形成有与第二通孔连通的上气体入口的上盖。根据本发明的反应腔室，可将清洗气体和工艺气体的入口分开，并且避免了传统腔室进气时、多种气体互相对气体通路的交叉污染的问题。
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公开(公告)号：CN106567042A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610407866.3
申请日：2016-06-12
CPC分类号： H01L21/67115 , C23C14/35 , C23C14/541 , F27D5/0037 , F27D2003/0065 , F27D2019/0003 , H01L21/67103 , H01L21/67248 , H01L21/68792 , H05B1/0233 , H05B3/0047 , C23C14/22
摘要： 本发明揭示一种加热模块、物理气相沉积腔室以及沉积设备。在物理气相沉积腔室中设置加热模块，该加热模块包括加热灯管，所述加热灯管经配置分布以构成加热区域，且所述加热区域于一投影方向上的投影覆盖所述基板的所述表面；所述加热灯管包括加热段以及非加热段，所述加热段对应所述加热区域，且所述加热段包括加热丝。本发明提供的加热模块、物理气相沉积腔室以及沉积设备，既能够满足高温物理气相沉积工艺对基板的快速升温及快速降温的要求，又可直接应用于真空环境或大气环境内，应用范围较大；而且，当其应用于真空环境中时，加热灯管的热量损失更少，从而可进一步提高加热效率。
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公开(公告)号：CN103915306B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201210592823.9
申请日：2012-12-31
摘要： 本发明公开了一种微电子工艺处理设备和用于其的反应腔室。所述反应腔室包括：具有开口的上端的腔室本体；盖住腔室本体且中央形成有第一通孔的进气部件，进气部件上形成有至少一个沿其周向分布的进气孔；设在进气部件上且中央形成有第二通孔的气体分配件，气体分配件的底面上形成有与进气孔相连通的周向槽，且周向槽的与第二通孔相邻的侧壁和第二通孔的周向壁之间形成有气体通道；喷淋板，所述喷淋板封闭第一通孔的下表面且喷淋板上形成有多个喷淋孔；以及形成有与第二通孔连通的上气体入口的上盖。根据本发明的反应腔室，可将清洗气体和工艺气体的入口分开，并且避免了传统腔室进气时、多种气体互相对气体通路的交叉污染的问题。
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