公开(公告)号：CN104904329A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201380068439.1

申请日：2013-12-20

Applicant: 千住金属工业株式会社

Inventor： 桧山勉

IPC: H05K3/34 ,  B23K1/008 ,  B23K3/04 ,  B23K101/40 ,  B23K101/42

CPC classification number: B05B1/005 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/008 ,  B23K1/012 ,  B23K3/04 ,  B23K3/085 ,  F27B9/02 ,  F27B9/06 ,  F27B9/10 ,  F27D5/0037 ,  H05K3/3494 ,  H05K2203/081

Abstract: 能够减少印刷电路基板、半导体晶圆等的输送中的温度变动的同时，能够对印刷电路基板等更进一步进行均匀的加热、冷却的气体吸入孔的排列结构，如图1所示，对于在喷嘴罩(3)的喷嘴配置区域中以与输送方向正交的中央部位为基准的一侧的上下的区域而言，设置有相对于喷嘴图案(P1)呈线对称的喷嘴图案(P2)。以使在喷嘴配置区域呈对角线状排列的配置图案成为彼此相同的图案的方式，在其另一侧的上下的区域中设置有相对于喷嘴图案(P2)呈线对称的喷嘴图案(P1)。用于使从吹出喷嘴(2)吹出的气体循环的具有规定的开口宽度的吸入口(3b、3c、3d)位于两个以上的吹出喷嘴(2)之间、且以跨越第1列和相位不同的多个其他列的方式配置。吸入口(3b、3c、3d)的宽度设定为以中央部位为基准逐渐变窄。

公开(公告)号：CN103384912A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201280009401.2

申请日：2012-02-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 布莱克·凯尔梅尔 ,  约瑟夫·M·拉内什 ,  阿布拉什·J·马约尔

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/324 ,  G02F1/13

CPC classification number: H01L21/67346 ,  F27D5/0037 ,  F27D11/12 ,  F27D2005/0081 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68735

Abstract: 本发明的实施例提供具有增加温度均匀度的用于支撑基板的边缘环。更特定言之，本发明的实施例提供边缘环，该边缘环具有形成于边缘环的能量接收表面上的一或更多个表面面积增加结构。

公开(公告)号：CN102207693A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110182985.0

申请日：2007-01-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 饱本正巳 ,  林伸一 ,  饭田成昭 ,  稻富弘朗

IPC: G03F7/38 ,  H01L21/00

CPC classification number: F27B17/0025 ,  F27B5/04 ,  F27D5/0037 ,  F27D15/02 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67784 ,  Y10S414/139

Abstract: 具有冷却板和热板的加热装置中，利用气体使基板从冷却板和热板上浮起，通过使基板在水平方向上移动使基板在冷却板与热板之间移动，实现加热装置的薄型化。加热装置(2)中，在冷却板(3)和热板(6)上沿晶片W的移动通路形成喷出孔(3a、6a)，其朝向晶片W的移动通路的冷却板(3)侧斜向上方喷出使基板浮起的气体，利用推压部件(51)推压晶片W移动时的后方侧，抵抗从喷出孔(3a、6a)喷出的气体产生的试图使晶片W移动的推压力，使晶片W向与气体喷出方向相反侧的热板(6)侧移动，或在利用喷出孔(3a、6a)喷出的气体使晶片W移动时的前方侧推压推压部件(51)的状态下，使该推压部件(51)向与气体的喷出方向相同的方向的冷却板(3)侧移动。

公开(公告)号：CN101504944B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200910003998.X

申请日：2004-03-30

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 中田嘉信 ,  白木弘幸 ,  长谷川健

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/324

CPC classification number: F27D5/0037 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109 ,  Y10T279/23

Abstract: 本发明提供一种硅片热处理夹具和热处理方法，在相互隔开间隔地从支承框向中心点突出的3个支承臂部的上侧设有支承突起，在将硅片载置在上述支承突起上、在热处理炉内进行热处理时，支承突起全部在硅片的同一圆周上、且位于硅片半径的外侧方向85～99.5％的范围内，各支承臂部分别配置成相对于中心点构成120°的角度，由此，使从销迹点进入的位移的自由深度比器件形成区域深，而且，使这样的晶片表面上没有滑动的无滑动区域扩大到最大。

公开(公告)号：CN101911278A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200880123903.1

申请日：2008-10-31

Applicant: 马特森技术有限公司

Inventor： 马丁·L·朱克 ,  丹尼尔·J·迪瓦恩 ,  弗拉迪米尔·纳戈尔尼 ,  乔纳森·默恩

IPC: H01L21/68 ,  B44C1/22

CPC classification number: H01L21/68 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  C23C16/4586 ,  F27B17/0025 ,  F27D5/0037 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

Abstract: 公开一种限定工件接收表面的工件支撑。工件支撑包括多个流体区域。诸如气体之类的流体供给到流体区域用于接触在工件支撑上的工件。流体可以具有选择的热传导特性，用于在特定的位置控制工件的温度。根据本公开，至少某些流体区域处在不同的方位角位置。以这种方式，工件的温度不仅可以在径向上调节，还可以在角度方向上调节。

公开(公告)号：CN100433396C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200410050093.5

申请日：2004-07-02

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 横内俊昭 ,  角浩二

IPC: H01L41/22 ,  H01L41/08

CPC classification number: B41J2/161 ,  B41J2/14233 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1626 ,  B41J2/1645 ,  B41J2/1646 ,  B41J2002/14241 ,  B41J2002/14419 ,  F27B17/0025 ,  F27D5/0037 ,  H01L41/318 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49401

Abstract: 本发明提供了一种可使铁电前驱体膜可靠脱脂并可获得良好结晶性的压电层的形成方法和其所使用的加热装置、以及具有良好结晶性的压电层和压电元件。本发明的压电层的形成方法包括：干燥工序，在衬底的下电极上至少形成一层铁电前驱体膜并使铁电前驱体膜干燥；脱脂工序，将衬底导入与被加热到一定温度的热板相对的区域，在由接近栓支承的状态下对铁电前驱体膜进行脱脂；烧结工序，将脱脂的铁电前驱体膜进一步烧结作为铁电膜；以及，通过重复进行预定次数的铁电前驱体膜的干燥工序、脱脂工序及烧结工序来形成压电层，并在进行脱脂工序时，调节热板与衬底之间的间隔，同时冷却与衬底的热板相反侧的空间温度，从而调节铁电前驱体膜的加热温度的工序。

公开(公告)号：CN103743254B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201310752561.2

申请日：2013-12-31

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 覃事建

IPC: F27D19/00

CPC classification number: F27D19/00 ,  F27B9/36 ,  F27B9/40 ,  F27D5/0037 ,  F27D11/02 ,  F27D11/12 ,  F27D21/00 ,  F27D21/0014 ,  F27D2019/0003 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248

Abstract: 本发明公开了一种基板加热装置，包括加热炉、置放在该加热炉中的平台和置放在平台上待加热的基板，以及设置在基板上方用于加热基板的多个间隔设置的加热器，还包括分别固定在多个加热器上方反射片，以及固定在加热炉的炉壁的内表面上用于控制反射片转动的转动控制器。本发明还公开了一种基板加热方法。采用本发明所公开的方案，使基板上各区域的温度达到均匀，从而实现了精确控制基板温度的均匀性。

公开(公告)号：CN104603567A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201380046873.X

申请日：2013-08-20

Applicant: SOITEC公司

Inventor： C·古德尔 ,  A·巴泰勒米

IPC: F27D5/00

CPC classification number: F27D5/0037

Abstract: 该支撑设备具有中心轴并且包括：-三个支柱(130)、(131)和(132)，其基本上平行于所述中心轴延伸，-多个成列支撑构件，其沿着所述中心轴间隔开，每个成列支撑构件包括三个支撑构件(140)、(141)和(142)，其适应于支撑多个晶片中的一个晶片(W)并且在垂直于所述中心轴的不同的基本上纵向的方向上延伸，支撑构件(140)、(141)和(142)的每一个直接安装在单独支柱上，该支撑设备的显著性在于，每个成列支撑构件(135)的三个支撑构件(140)、(141)和(142)的方向与在所述中心轴上的点处相交。

公开(公告)号：CN103177990A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201310055788.1

申请日：2009-09-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 约瑟夫·M·拉内什 ,  库赫斯特·索瑞伯基 ,  凯达尔纳什·桑格姆 ,  亚历山大·勒纳

IPC: H01L21/67 ,  F27B17/00 ,  F27D5/00 ,  F27D21/00

CPC classification number: F27B17/0025 ,  F27D5/0037 ,  F27D21/0014 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115

Abstract: 本发明公开一种冷却改进的快速热处理灯头。一种用于热处理中的灯头，包括：整体件，具有多个冷却剂通道和多个灯通道及多个反射腔，其中各个灯通道设置以容纳灯，并且各个反射腔经构形以作为反射器或用以接收所述灯的可替换式反射器，且其中所述多个冷却剂通道是配置邻近所述多个灯通道；及至少一个热传送件，自所述整体件延伸进入各个冷却剂通道，其中所述至少一个热传送件延伸进入各个冷却剂通道高达各个冷却剂通道的整个高度。一些实施例中，灯头可配置在设备中，所述设备包括具有基材支撑件的处理腔室，其中灯头经配置以提供能量至基材支撑件。

公开(公告)号：CN103097845A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180034397.0

申请日：2011-07-25

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  NGK阿德列克株式会社

Inventor： 古宫山常夫 ,  崛田启之 ,  松本信宏

IPC: F27D3/12 ,  C04B35/565 ,  C22C29/06

CPC classification number: C04B35/573 ,  B22F3/003 ,  B22F2003/1042 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/9623 ,  C04B2235/963 ,  F27D5/0031 ,  F27D5/0037

Abstract: 本发明涉及一种用于多层烧成电子陶瓷元件的烧成用机架，其利用承烧板保持装置在垂直方向上以多层方式保持多张平板状承烧板。该承烧板保持装置由选自含有0.01—30%的Si的Si－SiC、重结晶SiC、Si3N4－SiCf的任意材质构成，该承烧板保持装置以露出各平板状承烧板的外周侧面的70—100%的状态保持各平板状承烧板。由此成为一种能效和批量生产效率优异，且多层烧成的各层均热性优异的烧成用机架。