发明授权
- 专利标题: ITO薄膜的电阻调节方法
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申请号: CN201310582867.8申请日: 2013-11-19
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公开(公告)号: CN104651796B公开(公告)日: 2017-06-06
- 发明人: 田立飞 , 荣延栋 , 王厚工 , 丁培军
- 申请人: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
- 申请人地址: 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
- 专利权人: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
- 当前专利权人: 北京北方华创微电子装备有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
- 代理机构: 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理商 彭瑞欣; 张天舒
- 主分类号: C23C14/54
- IPC分类号: C23C14/54 ; C23C14/08
摘要:
本发明提供一种ITO薄膜的电阻调节方法,其至少包括以下步骤:步骤S1,向真空腔室内输送工艺气体,并开启激励电源,以激发工艺气体形成的等离子体轰击ITO靶材,并在被加工工件的表面上沉积ITO薄膜;步骤S2,停止向真空腔室内输送工艺气体,且关闭激励电源,并使被加工工件在真空腔室内保持预设时长,通过改变预设时长来调节ITO薄膜的电阻。本发明提供的ITO薄膜的电阻调节方法,其不仅可以减小ITO薄膜的电阻和提高ITO薄膜的电阻均匀性,从而可以提高ITO薄膜的工艺质量;而且可以降低投入成本,并使得调节过程简单,从而可以提高工作效率,进而可以提高经济效益。
公开/授权文献
- CN104651796A ITO薄膜的电阻调节方法 公开/授权日:2015-05-27
IPC分类: