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公开(公告)号：CN107195567A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201610142784.0
申请日：2016-03-14
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/673
摘要： 本发明提供一种冷却腔室及半导体加工设备，其在冷却腔室的腔室壁内设置有第一冷却通道，通过向该第一冷却通道内通入冷却媒介，来冷却腔室壁；并且，在冷却腔室内设置有用于承载托盘的托架，托盘用于承载被加工工件，并且，在冷却腔室的腔室壁的至少部分内表面形成有黑色氧化层。本发明提供的冷却腔室，其可以提高对托盘的冷却效率，从而可以提高设备的产能。
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公开(公告)号：CN107155256A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201610121051.9
申请日：2016-03-03
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H05H1/46 , H05H2001/4615
摘要： 本发明提供一种表面波等离子体装置，利用连接腔连接谐振腔和矩形波导，将螺钉探针经由矩形波导和连接腔伸入谐振腔内部，从而将微波能量馈入连接腔和谐振腔，通过在谐振腔的底壁设置多个石英窗口，使得微波在谐振腔内形成的驻波的电场能够通过各石英窗口耦合进入真空腔室，并在真空腔室内激发等离子体；多个石英窗口可以等效为多个等离子体源，相对于现有的单一等离子体源来说，可以使真空腔室内等离子体大面积均匀化，从而满足大尺寸的晶片加工需求。
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公开(公告)号：CN104752268B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201310752193.1
申请日：2013-12-31
发明人： 崔亚欣
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种半导体工艺设备中物料移动控制的方法及系统。其中该方法包括如下步骤：S100，当可放置在待定腔室中任意槽位上的晶圆在机械手上时，判断待定腔室中是否有空闲槽位，若是，则判定待定腔室是目标腔室；若否，则执行步骤S200进行进一步判断；S200，判断工艺设备中是否有空闲机械手，若否，则判定待定腔室不是目标腔室；若是，则执行步骤S300进行进一步判断；S300，判断待定腔室中是否存在可用槽位，可用槽位上的晶圆要进行的下一工艺步骤对应的所有可能腔室都能被空闲机械手访问，若是，则判定待定腔室是目标腔室，若否，则判定待定腔室不是目标腔室。其可准确确定待定腔室能否作为目标腔室，从而提高半导体加工效率，降低加工成本。
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公开(公告)号：CN104750140B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201310753142.0
申请日：2013-12-31
发明人： 张孟湜
IPC分类号： G05D23/30
摘要： 本发明提供一种反应腔加热控制方法及装置。其中方法包括以下步骤：在反应腔底部设置至少两个温度传感器，对反应腔的温度进行检测；根据至少两个所述温度传感器检测到的温度判断反应腔上设置的加热器断连；当作为反应腔温度控制点的温度传感器发生故障时，将未作为反应腔温度控制点的另一温度传感器切换作为新的反应腔温度控制点，对反应腔温度进行控制。该方法及装置能够实现判断加热器断连，降低作为反应腔温度控制点的温度传感器发生故障时对整个加热控制装置的不良影响。
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公开(公告)号：CN104750046B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201310744720.4
申请日：2013-12-30
发明人： 马平
IPC分类号： G05B19/418
CPC分类号： Y02P90/02
摘要： 本发明公开了一种半导体制造的工艺任务处理方法及系统，其中方法包括：在半导体制造的工艺配方中设置循环执行参数；根据半导体制造的工艺任务和循环执行参数生成所述工艺配方的循环执行数组；在判断所述工艺配方的循环执行数组符合所述工艺任务的逻辑要求后，在所述工艺任务中依次执行所述工艺配方的循环执行数组。本发明的半导体制造的工艺任务处理方法及系统，将工艺任务中的多组循环工艺整合到一个工艺配方的循环执行数组中依次执行，无需编辑多个子配方便可实现工艺配方中的多步循环，逻辑操作简单，耦合度低，工艺操作安全性高。
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公开(公告)号：CN104750045B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201310744273.2
申请日：2013-12-30
发明人： 潘宇涵
IPC分类号： G05B19/418 , H01L21/67
CPC分类号： Y02P90/02
摘要： 本发明公开了一种半导体工艺配方加载方法及系统，其中方法包括：设置深硅刻蚀设备的Recipe编辑页面为初始加载页面；从半导体工艺任务中读取机台类型数据，并根据读取结果检测机台的类型；当机台的类型为深硅刻蚀设备时，加载初始加载页面进行配方编辑；当机台的类型为IC刻蚀设备时，为半导体工艺任务中的所有子Recipe分别动态创建一个同名的父Recipe，生成当前工艺配置的RecipeConfig.xml文件；根据生成的当前工艺配置的RecipeConfig.xml文件，加载IC刻蚀设备的Recipe编辑页面进行配方编辑。其利用RecipeConfig.xml文件组织Recipe的方式，用一个窗体兼容深硅刻蚀设备和IC刻蚀设备这两种不同机台的Recipe编辑页面，减少了开发人员的维护操作，降低了系统修改风险。
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公开(公告)号：CN104425201B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201310388807.2
申请日：2013-08-30
CPC分类号： H01J37/32183
摘要： 本发明提供阻抗匹配方法及阻抗匹配系统，阻抗匹配方法包括以下步骤：步骤S1，采集射频电源的输出信号，并根据输出信号判断射频电源输出的射频功率信号是否存在；步骤S2，对射频电源的输出阻抗和负载阻抗进行匹配；步骤S3，控制电机停止匹配工作且保持在当前匹配位置不变。本发明提供的阻抗匹配方法，其可以提高阻抗匹配的速率，从而可以避免在整个工艺过程中无法实现阻抗匹配。
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公开(公告)号：CN106971932A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201610022270.1
申请日：2016-01-13
发明人： 王伟
CPC分类号： H01J37/32477 , H01L21/67069
摘要： 本发明公开了一种反应腔室和半导体设备，腔室的侧壁内覆盖有环形内衬，腔室下方设置有下电极，下电极包括卡盘和与卡盘连接的升降部，卡盘用于承载基片，升降部用于驱动卡盘升降，工艺时，升降部驱动卡盘上升到高位，使得基片被内衬环绕包围；腔室还包括屏蔽部，工艺时，屏蔽部将腔室分为隔离的上腔室和下腔室，卡盘位于上腔室内，升降部位于下腔室内；工艺结束后，升降部驱动卡盘下降到低位，上腔室和下腔室连通。本发明中的反应腔室内工艺时，基片被内衬环绕包围，基片周围的腔室环境对称，从而提高了基片表面工艺条件的一致性，例如等离子体的均匀分布，进而改善刻蚀结果的均匀性。
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公开(公告)号：CN104752131B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201310724226.1
申请日：2013-12-25
发明人： 赵隆超
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明公开了一种上电极组件进气装置及上电极组件，包括进气接头，盖板，以及筛板。进气接头安装在盖板的第一表面上；盖板的第二表面与筛板的第一表面紧密贴合；盖板包括盖板主体和进气部，主体与进气部固定连接，进气部设置在上电极组件的平面线圈的外侧与进气接头相匹配；筛板的第一表面设置有至少一条流道，流道与进气部连通；所述筛板设置有多个用于工艺气体流通的筛孔。其可有效避免进气接头的感应加热，从而也可降低气体离化的离子对进气接头对其内壁的轰击加热。防止进气接头温度过高。
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公开(公告)号：CN104281141B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201310279777.1
申请日：2013-07-04
发明人： 马平
IPC分类号： G05B19/43
摘要： 本发明实施例提供了一种工艺气体互锁的控制方法，所述方法，包括以下步骤：步骤1，设置独立配置页，并在所述独立配置页中分别针对每两路气体通道设置对应的配置参数；步骤2，遍历所述配置页，针对目标路气体通道的打开操作，查询所述目标路气体通道与其它各路气体通道的配置参数，依据所述目标路气体通道与其它各路气体通道的配置参数判断是否满足预设条件；若是，则执行步骤3；否则，执行步骤4；步骤3，打开所述目标路气体通道；步骤4，生成警报信息。本发明实施例增加了气体通道的配置参数，实现了在线编辑的功能。在线编辑配置参数和在线应用，提高了应用的灵活性，提高了效率，减少了时间的浪费。
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