公开(公告)号：CN101529567B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200780040499.7

申请日：2007-12-26

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 高泽悟 ,  武井应树 ,  高桥明久 ,  片桐弘明 ,  浮岛祯之 ,  谷典明 ,  石桥晓 ,  增田忠

IPC分类号： H01L21/3205 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L23/52 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/2855 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/16 ,  H05K3/388 ,  H01L2924/00

摘要： 形成密接性优良、低电阻的布线膜。在配置有成膜对象物(21)的真空槽(2)中导入氧气，对纯铜靶(11)进行溅射，在成膜对象物(21)的表面上形成以铜为主要成分且含有氧的阻挡膜(22)之后，停止氧气的导入，对纯铜靶(11)进行溅射，形成纯铜的低电阻膜(23)。因为阻挡膜(22)和低电阻膜(23)以铜为主要成分，所以能够一次进行溅射。由于低电阻膜(23)与阻挡膜22相比是低电阻，所以，布线膜(25)整体成为低电阻。由于阻挡膜(22)针对玻璃或硅的密接性高，所以，布线膜(25)整体的密接性也高。

公开(公告)号：CN101978094A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200980109274.1

申请日：2009-03-10

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 赤松泰彦 ,  中村久三 ,  小林大士 ,  清田淳也 ,  汤川富之 ,  武井应树 ,  大石祐一 ,  新井真 ,  石桥晓

IPC分类号： C23C14/35

CPC分类号： C23C14/35 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3444

摘要： 本发明的目的在于提供一种可以在长时间内生长具有均匀的膜厚分布的薄膜的磁控溅射技术。本发明的磁控溅射装置(1)具有：真空槽(2)；阴极部(6)，设置在真空槽2内，并且具有其正面侧支承标靶(7)、其背面侧支承多个磁体(12)的垫板(8)；和直流电源(30)，向阴极部(6)供给直流电。相对于垫板(8)，在标靶(7)侧的放电空间内设置有多个可以独立地进行电位控制的控制电极(21、22)。

公开(公告)号：CN101529566A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200780040402.2

申请日：2007-12-26

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 高泽悟 ,  武井应树 ,  高桥明久 ,  片桐弘明 ,  浮岛祯之 ,  谷典明 ,  石桥晓 ,  增田忠

IPC分类号： H01L21/3205 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L23/52 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/2855 ,  H01L23/53233 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/16 ,  H05K3/388 ,  H01L2924/00

摘要： 形成密合性和阻挡(barrier)性优异、电阻值低的布线膜。向配置了成膜对象物21的真空槽2导入氧气，在包含氧的真空气氛中，溅镀以铜为主成分并含有从Mg、Al、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy所形成添加元素群选择的至少一种添加元素的溅镀靶11，在成膜对象物21表面形成第一金属膜23，然后在停止导入氧气的状态下，对溅镀靶11进行溅镀，在第一金属膜23表面形成第二金属膜24之后，蚀刻第一、第二金属膜23、24而形成布线膜。

公开(公告)号：CN108352410B

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201680063644.2

申请日：2016-11-22

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 上野充 ,  清田淳也 ,  小林大士 ,  武井应树 ,  高桥一寿 ,  日高浩二 ,  川越裕 ,  武末健太郎 ,  和田优

IPC分类号： H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/203 ,  H01L21/336

摘要： 本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管，其具有：栅电极；活性层，其由含有铟、锌以及钛的氧化物构成；栅极绝缘膜，其形成在上述栅电极与上述活性层之间；以及源电极和漏电极，其与上述活性层电连接。在构成上述氧化物的铟、锌以及钛的总量中所占的各元素的原子比是，铟为24原子％以上且80原子％以下，锌为16原子％以上且70原子％以下，钛为0.1原子％以上且20原子％以下。

公开(公告)号：CN109729718A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201880002608.4

申请日：2018-04-25

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 横山礼宽 ,  武井应树 ,  佐藤昌敏 ,  清田淳也

IPC分类号： C23C14/24 ,  C23C14/56

摘要： 本发明的一形态的成膜装置具有展开辊、卷取辊、加热辊、成膜部以及控制部。展开辊用于展开作为长条的膜的基材。卷取辊用于卷绕从展开辊展开的基材。加热辊包含温度调节单元，并在基材的输送方向上设置于展开辊与卷取辊之间，用于加热基材。成膜部包含蒸发源，并将金属膜成膜在基材上，该蒸发源与加热辊对置而设置，且具有用于加热金属材料的加热机构。控制部在基材从加热辊展开并卷绕到卷取辊的过程中，控制温度调节单元或加热机构中的至少一者，以使金属膜与基材之间的温度差为0℃以上且不足180℃。

公开(公告)号：CN105575803B

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201610010064.9

申请日：2009-08-17

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 赤松泰彦 ,  武井应树 ,  清田淳也 ,  石桥晓 ,  汤川富之 ,  小林大士 ,  仓田敬臣 ,  新井真

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L21/203 ,  H01L21/324 ,  C23C14/34

摘要： 本发明提供一种场效应晶体管的制造方法，其无需进行高温退火处理也能提高晶体管特性。采用溅射法用100℃以上的成膜温度形成构成活性层的In‑Ga‑Zn‑O薄膜。再用300℃的温度在大气中进行退火处理。实施退火处理的目的是提高刚刚形成的活性层的晶体管特性。与未经加热而形成的In‑Ga‑Zn‑O薄膜相比，一边加热基材一边采用溅射法而形成的In‑Ga‑Zn‑O薄膜的内应变或缺陷较少。因此，与未经加热而形成的In‑Ga‑Zn‑O薄膜相比，将经加热而形成的相同材料薄膜作为活性层时可提高退火效果。因而本发明可通过低温退火处理形成具有优异晶体管特性的活性层。

公开(公告)号：CN101529566B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200780040402.2

申请日：2007-12-26

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 高泽悟 ,  武井应树 ,  高桥明久 ,  片桐弘明 ,  浮岛祯之 ,  谷典明 ,  石桥晓 ,  增田忠

IPC分类号： H01L21/3205 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L23/52 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/2855 ,  H01L23/53233 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/16 ,  H05K3/388 ,  H01L2924/00

摘要： 形成密合性和阻挡(barrier)性优异、电阻值低的布线膜。向配置了成膜对象物21的真空槽2导入氧气，在包含氧的真空气氛中，溅镀以铜为主成分并含有从Mg、Al、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy所形成添加元素群选择的至少一种添加元素的溅镀靶11，在成膜对象物21表面形成第一金属膜23，然后在停止导入氧气的状态下，对溅镀靶11进行溅镀，在第一金属膜23表面形成第二金属膜24之后，蚀刻第一、第二金属膜23、24而形成布线膜。

公开(公告)号：CN101512730A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200780031894.9

申请日：2007-10-12

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 高泽悟 ,  武井应树 ,  高桥明久 ,  浮岛祯之 ,  谷典明 ,  石桥晓

IPC分类号： H01L21/285 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/4908 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/185 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： 成膜粘合性高、比电阻低的导电膜。将以铜作为主要成分的靶在导入有氮化气体的真空氛围气体中进行溅射，形成以铜作为主要成分、含有Ti等添加金属的导电膜(25)。该导电膜(25)与硅层(23)或基板(22)的粘合性高，不易从基板(22)上剥离。而且，由于比电阻低、对于透明导电膜的接触电阻也低，即使用于电极膜时，其电学特性也不会变差。通过本发明成膜的导电膜特别适合用于TFT或半导体元件的电极用屏障膜。

公开(公告)号：CN111344431B

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN201980005724.6

申请日：2019-05-16

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 坂本纯一 ,  斋藤一也 ,  清田淳也 ,  武井应树 ,  横山礼宽

IPC分类号： C23C14/04 ,  B41F5/04 ,  B41F9/00 ,  B41F17/10 ,  B41M1/02 ,  B41M1/10 ,  B41M1/28 ,  B41M1/30 ,  B65H20/00 ,  C23C14/02 ,  C23C14/14 ,  C23C14/24 ,  C23C14/56

摘要： 本发明提供一种收卷式成膜装置，其具有真空容器、膜行进机构、锂源以及第一辊。上述真空容器能够维持减压状态。上述膜行进机构能够在上述真空容器内使膜行进。上述锂源能够在上述真空容器内使锂蒸发。上述第一辊被配置在上述膜的成膜面和上述锂源之间。上述第一辊具有接收从上述锂源蒸发的上述锂的转印图案。上述第一辊一边旋转一边将与上述转印图案对应的锂层的图案转印到上述成膜面。

公开(公告)号：CN108350564B

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN201680063587.8

申请日：2016-12-21

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 高桥一寿 ,  日高浩二 ,  川越裕 ,  武末健太郎 ,  和田优 ,  上野充 ,  清田淳也 ,  小林大士 ,  武井应树

IPC分类号： C23C14/34 ,  C04B35/01

摘要： 本发明的一个方式所涉及的氧化物烧结体溅射靶由含有氧化铟、氧化锌、氧化钛和氧化锆的烧结体构成，钛相对于铟、锌以及钛的总和的原子比为0.1％以上且20％以下，锆相对于氧化铟、氧化锌、氧化钛以及氧化锆的总和的重量比为10ppm以上且2000ppm以下。