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    自洁式催化化学蒸镀装置及其清洁方法
    3.
    发明授权
    自洁式催化化学蒸镀装置及其清洁方法 失效

    公开(公告)号：CN100530546C

    公开(公告)日：2009-08-19

    申请号：CN200580011103.7

    申请日：2005-03-10

    申请人： 株式会社爱发科

    发明人： 北添牧子 ,  大园修司 ,  伊藤博巳 ,  斋藤一也 ,  浅利伸

    IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/44

    CPC分类号： C23C16/4405

    摘要： 本发明提供不将催化体加热到2000℃以上，抑制清洁气引起的催化体腐蚀劣化，在低成本下进行实用的清洁速度和良好的清洁的自洁式催化化学蒸镀装置。使从加热电源(6)和该加热电源(6)的各端子(6a)、(6b)间向反应容器(2)内的催化体(4)通入恒电流的导线(5a)、(5b)与反应容器(2)为电绝缘的状态，在已排气的反应容器(2)内导入含有卤素元素的清洁气，通过从加热电源(6)通电加热催化体(4)，使通过该加热而生成的活性种与附着在反应容器(2)内的附着膜反应而除去附着膜，此时，从恒压电源(8)以适当的极性在加热电源(6)的导线(5b)上外加适当值的直流偏压。

    薄膜晶体管及其制造方法
    4.
    发明公开
    薄膜晶体管及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN1842919A

    公开(公告)日：2006-10-04

    申请号：CN200580000956.0

    申请日：2005-04-25

    申请人： 株式会社爱发科

    发明人： 若松贞次 ,  菊池亨 ,  桥本征典 ,  仓田敬臣 ,  浅利伸 ,  斋藤一也

    IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/66757 ,  H01L29/4908

    摘要： 本发明提供一种在确保良好的生产性同时又具有优良特性和高可靠性的栅绝缘层的薄膜晶体管及其制造方法。本发明提供的薄膜晶体管，包括：在基板9上含有源区17、沟道区18、漏区19的有源层11，栅电极层16，以及在有源层11和栅电极层16之间所形成的栅绝缘层15的薄膜晶体管，栅绝缘层15由在有源层11一侧形成的第1氧化硅膜12、在栅电极层16一侧形成的第2氧化硅膜14，和在第1氧化硅膜12与第2氧化硅膜14之间形成的氮化硅膜13而形成。

    薄膜形成装置
    7.
    发明公开
    薄膜形成装置 有权

    公开(公告)号：CN107429387A

    公开(公告)日：2017-12-01

    申请号：CN201680015597.4

    申请日：2016-01-29

    申请人： 株式会社爱发科

    发明人： 上野充 ,  仓田敬臣 ,  新井真 ,  清田淳也 ,  斋藤一也

    IPC分类号： C23C14/56 ,  C23C14/04 ,  C23C14/24 ,  H01L21/68

    摘要： 提供一种低成本且量产性较高的薄膜形成装置。在成膜室（11）的内部配置由转台构成的旋转装置（21），在对准场所（16）上进行了成膜对象物（5a、5b）的对准之后，在设于旋转装置（21）的基板支架（34a、34b）上配置进行了与掩模（4a、4b）之间的对准的成膜对象物（5a、5b），使旋转装置（21）旋转而移动到成膜场所（15）上。接着，使成膜源（22）一边释放成膜材料的微小粒子一边移动，在成膜场所（15）上的成膜对象物（5a、5b）上形成薄膜。此时，能够在对准场所（16）上配置未成膜的成膜对象物（5a、5b）并进行对位。因此，在本薄膜形成装置（10）中，有一个成膜源（22）和一个对准所需的装置即可。