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公开(公告)号：CN1938834A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580009704.4
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/318 , C23C16/42 , C23C16/56
CPC classification number: H01L21/02277 , C23C16/345 , C23C16/44 , C23C16/45523 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/02337 , H01L21/3185
Abstract: 提供一种单位层后处理催化剂蒸镀装置及单位层后处理成膜方法，提高氮化硅膜等的面内均匀性、台阶覆盖率和膜的质量，并且在各单位层成膜后，进行表面处理，形成薄膜。将成膜过程(将含有硅烷气体和氨气的混合气体作为原料气体，以矩形脉冲状导入至反应容器(2)，使原料气体与催化剂(8)接触后热分解，在基板(5)上形成氮化硅膜)、一个表面处理过程(使氨气与催化剂8接触后，暴露在基板(5)上的氮化硅膜表面)、另一个表面处理过程(使氢气与催化剂(8)接触后，暴露在基板(5)上的氮化硅膜表面)作为1个周期，重复这1个周期的过程，对各单位层进行后处理，层叠薄膜。
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公开(公告)号：CN100530546C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200580011103.7
申请日：2005-03-10
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: 本发明提供不将催化体加热到2000℃以上，抑制清洁气引起的催化体腐蚀劣化，在低成本下进行实用的清洁速度和良好的清洁的自洁式催化化学蒸镀装置。使从加热电源(6)和该加热电源(6)的各端子(6a)、(6b)间向反应容器(2)内的催化体(4)通入恒电流的导线(5a)、(5b)与反应容器(2)为电绝缘的状态，在已排气的反应容器(2)内导入含有卤素元素的清洁气，通过从加热电源(6)通电加热催化体(4)，使通过该加热而生成的活性种与附着在反应容器(2)内的附着膜反应而除去附着膜，此时，从恒压电源(8)以适当的极性在加热电源(6)的导线(5b)上外加适当值的直流偏压。
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公开(公告)号：CN1943014A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200580011103.7
申请日：2005-03-10
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: 本发明提供不将催化体加热到2000℃以上，抑制清洁气引起的催化体腐蚀劣化，在低成本下进行实用的清洁速度和良好的清洁的自洁式催化化学蒸镀装置。使从加热电源6和该加热电源6的各端子6a、6b间向反应容器2内的催化体4通入恒电流的导线5a、5b与反应容器2为电绝缘的状态，在已排气的反应容器2内导入含有卤素元素的清洁气，通过从加热电源6通电加热催化体4，使通过该加热而生成的活性种与附着在反应容器2内的附着膜反应而除去附着膜，此时，从恒压电源8以适当的极性在加热电源6的导线5b上外加适当值的直流偏压。
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公开(公告)号：CN100444332C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200580009704.4
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/318 , C23C16/42 , C23C16/56
CPC classification number: H01L21/02277 , C23C16/345 , C23C16/44 , C23C16/45523 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/02337 , H01L21/3185
Abstract: 提供一种单位层后处理催化剂蒸镀装置及单位层后处理成膜方法，提高氮化硅膜等的面内均匀性、台阶覆盖率和膜的质量，并且在各单位层成膜后，进行表面处理，形成薄膜。将成膜过程(将含有硅烷气体和氨气的混合气体作为原料气体，以矩形脉冲状导入至反应容器(2)，使原料气体与催化剂(8)接触后热分解，在基板(5)上形成氮化硅膜)、一个表面处理过程(使氨气与催化剂8接触后，暴露在基板(5)上的氮化硅膜表面)、另一个表面处理过程(使氢气与催化剂(8)接触后，暴露在基板(5)上的氮化硅膜表面)作为1个周期，重复这1个周期的过程，对各单位层进行后处理，层叠薄膜。
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