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公开(公告)号：CN102272896A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080004139.3
申请日：2010-01-08
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01L31/04
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 该等离子体处理装置，包括：处理室，由腔室(2)、电极法兰(4)、和绝缘法兰(81)构成，并具有反应室(α)；支撑部(15)，收容在所述反应室(α)内，载置有基板(10)；簇射极板(5)，收容在所述反应室(α)内，以与所述基板(10)对置的方式配置，并向所述基板(101)提供工艺气体；多个气体提供部(8)，被设置在所述电极法兰(4)与所述簇射极板(5)之间的空间(31)内，与多个气体导入口(34)分别连通，并被配置为同心状且环状，且向所述簇射极板(5)独立提供不同组成的所述工艺气体；以及电压施加部(33)，在所述簇射极板(5)与所述支撑部(15)之间施加电压。
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公开(公告)号：CN101567392B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200910141769.4
申请日：2005-04-25
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , H01L29/51 , H01L29/04
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供一种在确保良好的生产性同时又具有优良特性和高可靠性的栅绝缘层的薄膜晶体管。本发明提供的薄膜晶体管，包括：在基板(9)上含有源区(17)、沟道区(18)、漏区(19)的有源层(11)，栅电极层(16)，以及在有源层(11)和栅电极层(16)之间所形成的栅绝缘层(15)的薄膜晶体管，栅绝缘层(15)由在有源层(11)一侧形成的第1氧化硅膜(12)、在栅电极层(16)一侧形成的第2氧化硅膜(14)，和在第1氧化硅膜(12)与第2氧化硅膜(14)之间形成的氮化硅膜(13)而形成。
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公开(公告)号：CN101971356A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980108730.0
申请日：2009-04-24
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/056 , Y02E10/52
Abstract: 该太阳能电池(10)包括：基板(11)，具有光透射性；光电转换体(12)，设置在所述基板(11)上，包括具有光透射性的表面电极(13)、光电转换层(14)和具有光反射性的背面电极(15)；以及低折射导电层(16)，与所述光电转换层(14)相邻，配置在所述光电转换层(14)上与所述基板(11)相反的面上，和与所述基板(11)所面对的所述光电转换层(14)的面相反的面相邻，由具有光透射性的导电材料构成，折射率为2.0以下。
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公开(公告)号：CN101687389A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880022450.3
申请日：2008-06-27
CPC classification number: C23C16/345 , Y10T428/269
Abstract: 本发明的树脂基底具有树脂层和形成在所述树脂层的表面上的表面层，其中所述表面层是包含作为主要组分的氮化硅并且是通过化学气相沉积法而沉积的层，并且在所述树脂层和所述表面层之间的界面上，其上百分比从80％改变为20％的界面区域具有不大于25nm的厚度，其中在所述表面层中的最大氮浓度和在树脂层中的稳态氮浓度之间的差被当作100％。表面层的平均表面粗糙度(Ra)为不大于1nm。树脂基底具有水蒸汽阻隔和表面平坦性的性质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111748793A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010211775.9
申请日：2020-03-24
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/448 , H05B3/02 , H05B3/12 , H05B3/18 , H05B3/40 , C23C8/34 , B01J27/22 , B01J27/224
Abstract: 本发明提供能够实现长寿命化的电热丝及其制造方法以及使用了电热丝的真空处理装置。本发明的一个方式所涉及的电热丝具有芯材和覆盖层。所述芯材在表面形成有钽的碳化物。所述覆盖层在表面形成有钽的硼化物和硼中的至少一者，覆盖所述芯材的表面。
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公开(公告)号：CN102245803B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN200880132278.7
申请日：2008-12-09
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: C23C18/02 , C23C8/08 , C23C16/06 , C23C16/24 , C23C16/345 , C23C16/4488 , C23C16/46
Abstract: 本发明提供一种有助于延长丝状催化剂使用寿命的催化剂辅助化学气相生长装置。对催化剂辅助化学气相生长装置(1)，在钽丝表面形成其硼化物层而制成丝状催化剂(6)，由于金属钽的硼化物(硼化钽)硬度比金属钽的高，所以将表面形成有其硼化物层的钽丝用作丝状催化剂时，可降低丝状催化剂的受热伸长量，从而提高其机械强度，进而有助于延长其使用寿命。另外，因通过连续通电而对丝状催化剂(6)进行通电加热，因而更有助于延长丝状催化剂(6)的使用寿命。
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公开(公告)号：CN102272897A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080004140.6
申请日：2010-01-05
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01L31/04
CPC classification number: H01J37/32449 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32633 , H01J37/32724 , H01J2237/2001 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 该等离子体处理装置，包括：处理室(101)，具有反应室(2a)；支撑部(15)，被收容在所述反应室(2a)内，载置有具有处理室(10a)的基板(10)，并控制所述基板(10)的温度；簇射极板(5)，被收容在所述反应室(2a)内，以与所述处理室(10a)对置的方式配置，并向所述基板(10)提供工艺气体；以及压力调整板(51)，将设置在所述电极法兰(4)与所述簇射极板(5)之间的空间(24)分为在气体导入口(42)侧形成的第一空间(24a)与在所述簇射极板(5)侧形成的第二空间(24b)，所述基板(10)与所述簇射极板(5)之间的距离为3mm以上、10mm以下。
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公开(公告)号：CN102245803A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200880132278.7
申请日：2008-12-09
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: C23C18/02 , C23C8/08 , C23C16/06 , C23C16/24 , C23C16/345 , C23C16/4488 , C23C16/46
Abstract: 本发明提供一种有助于延长丝状催化剂使用寿命的催化剂辅助化学气相生长装置。对催化剂辅助化学气相生长装置(1)，在钽丝表面形成其硼化物层而制成丝状催化剂(6)，由于金属钽的硼化物(硼化钽)硬度比金属钽的高，所以将表面形成有其硼化物层的钽丝用作丝状催化剂时，可降低丝状催化剂的受热伸长量，从而提高其机械强度，进而有助于延长其使用寿命。另外，因通过连续通电而对丝状催化剂(6)进行通电加热，因而更有助于延长丝状催化剂(6)的使用寿命。
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公开(公告)号：CN102171455A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200980138585.0
申请日：2009-11-12
Applicant: 爱发科低温泵株式会社 , 株式会社爱发科
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种能够抑制臭氧在低温泵中的存留的真空排气装置、真空处理装置以及真空排气方法。为达到上述目的，本发明的一个实施方式的真空排气装置(1)包括：真空处理用的处理室(11)泵单元，该泵单元具有冷捕集器(161)与排气通路(13A)，所述冷捕集器(161)能够捕集排出气体，所述排气通路(13A)用于将所述排出气体从所述处理室(11)导向所述冷捕集器(161)；加热单元(20)，其使从所述处理室(11)流向所述冷捕集器(161)的所述排出气体中含有的臭氧在所述排气通路(13A)中产生热分解。
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