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公开(公告)号：CN102947481A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201080067571.7
申请日：2010-06-21
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/50
CPC classification number: C23C16/4585 , H01L21/68707 , H01L21/68742
Abstract: 提供在真空中使基板迅速反转的技术。本发明的基板反转装置（20）具有：在作为真空槽的腔室（21）内使基板（50）升降的升降机构（60）；具有以夹持基板（50）的方式保持基板的把持部（41a、42a）的基板保持机构（4A～4D）；以及使基板保持机构（4A～4D）的把持部（41a、42a）旋转来使基板（50）的上下关系反转的基板旋转机构（30）。在本发明中，在保持基板（50）的状态下，使基板旋转机构（30）以沿水平方向延伸的直线为旋转轴旋转180°。
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公开(公告)号：CN102272896A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080004139.3
申请日：2010-01-08
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01L31/04
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 该等离子体处理装置，包括：处理室，由腔室(2)、电极法兰(4)、和绝缘法兰(81)构成，并具有反应室(α)；支撑部(15)，收容在所述反应室(α)内，载置有基板(10)；簇射极板(5)，收容在所述反应室(α)内，以与所述基板(10)对置的方式配置，并向所述基板(101)提供工艺气体；多个气体提供部(8)，被设置在所述电极法兰(4)与所述簇射极板(5)之间的空间(31)内，与多个气体导入口(34)分别连通，并被配置为同心状且环状，且向所述簇射极板(5)独立提供不同组成的所述工艺气体；以及电压施加部(33)，在所述簇射极板(5)与所述支撑部(15)之间施加电压。
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公开(公告)号：CN102177577B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN200980139868.7
申请日：2009-10-07
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/677 , H01L21/203 , H01L21/31 , H01L21/336 , H01L21/683 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/67161 , C23C14/568 , C23C16/54 , H01L21/67748 , H01L21/6776 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种真空处理装置，该真空处理装置能够用适合于各工序中的所进行的处理的方式对基板进行支承与运送，能够抑制对处理室(腔)内设置的各种机构产生的不利影响。在CVD室(52)中，有时需要使用特殊的清洗气体而进行清洗，这在CVD室(52)构成为立式的装置的情况下，设置在溅射室(62)中的立式处理装置所特有的支承机构与传送机构会受到特殊气体的腐蚀。而在本发明中，CVD室(52)由卧式的装置构成，因而不会产生这样的问题。另外，通过将溅射装置构成为立式的处理装置，从而能够解决异常放电的问题。
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公开(公告)号：CN102549192B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201080047047.3
申请日：2010-10-15
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C16/4401
Abstract: 一种真空处理方法，一边对待机状态的处理装置进行清洗处理一边在动作状态的处理装置中以一定间隔对基板进行真空处理。将反复进行一定的处理时间T的真空处理的动作个数m个的动作周期设定为一真空处理的一处理开始时刻各相差T/m，从作为基准的动作条件的连续处理开始时刻开始，令其他的动作周期的连续处理开始时刻每个延迟延迟时间（n·T+T/m）（n为1以上的整数），进行连续处理次数N张的处理，则从动作状态向待机状态变更，与结束了清洗处理的处理装置交接。由于在待机状态中进行清洗处理，所以能够对以长度与时间差T/m相同长度的运入间隔被运入的基板没有迟滞地进行真空处理。
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公开(公告)号：CN102549192A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201080047047.3
申请日：2010-10-15
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C16/4401
Abstract: 一种真空处理方法，一边对待机状态的处理装置进行清洗处理一边在动作状态的处理装置中以一定间隔对基板进行真空处理。将反复进行一定的处理时间T的真空处理的动作个数m个的动作周期设定为一真空处理的一处理开始时刻各相差T/m，从作为基准的动作条件的连续处理开始时刻开始，令其他的动作周期的连续处理开始时刻每个延迟延迟时间（n·T+T/m）（n为1以上的整数），进行连续处理次数N张的处理，则从动作状态向待机状态变更，与结束了清洗处理的处理装置交接。由于在待机状态中进行清洗处理，所以能够对以长度与时间差T/m相同长度的运入间隔被运入的基板没有迟滞地进行真空处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102177577A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200980139868.7
申请日：2009-10-07
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/677 , H01L21/203 , H01L21/31 , H01L21/336 , H01L21/683 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/67161 , C23C14/568 , C23C16/54 , H01L21/67748 , H01L21/6776 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种真空处理装置，该真空处理装置能够用适合于各工序中的所进行的处理的方式对基板进行支承与运送，能够抑制对处理室(腔)内设置的各种机构产生的不利影响。在CVD室(52)中，有时需要使用特殊的清洗气体而进行清洗，这在CVD室(52)构成为立式的装置的情况下，设置在溅射室(62)中的立式处理装置所特有的支承机构与传送机构会受到特殊气体的腐蚀。而在本发明中，CVD室(52)由卧式的装置构成，因而不会产生这样的问题。另外，通过将溅射装置构成为立式的处理装置，从而能够解决异常放电的问题。
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公开(公告)号：CN102105990B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN200980128616.4
申请日：2009-07-24
Applicant: 株式会社爱发科 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L31/04 , C23C16/24 , C23C16/509 , C23C16/54
CPC classification number: C23C16/545 , C23C16/24 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/3277 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种用于制造增加膜特性均匀性的薄膜太阳能电池的装置。在输送衬底（S）从一个卷筒（R1）到另一个卷筒（R2）的过程中，在所述卷筒对（R1，R2）之间沿输送方向（D）区隔开的多个膜形成隔室（23A）中形成多个半导体层的层叠体的电能生成层（12）。在每个膜形成隔室（23A）中，在所述输送方向上，朝向所述衬底（S）布置多个扁平应用电极（32）。每个扁平应用电极（32）包括提供有VHF频带内的高频电源的电源端子（36）。当所述高频电源的波长由λ表示时，将所述扁平应用电极（32）的边缘与电源端子（36）之间在正交于所述输送方向的方向上的距离设置为比λ/4短。
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公开(公告)号：CN102272897A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080004140.6
申请日：2010-01-05
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01L31/04
CPC classification number: H01J37/32449 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32633 , H01J37/32724 , H01J2237/2001 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 该等离子体处理装置，包括：处理室(101)，具有反应室(2a)；支撑部(15)，被收容在所述反应室(2a)内，载置有具有处理室(10a)的基板(10)，并控制所述基板(10)的温度；簇射极板(5)，被收容在所述反应室(2a)内，以与所述处理室(10a)对置的方式配置，并向所述基板(10)提供工艺气体；以及压力调整板(51)，将设置在所述电极法兰(4)与所述簇射极板(5)之间的空间(24)分为在气体导入口(42)侧形成的第一空间(24a)与在所述簇射极板(5)侧形成的第二空间(24b)，所述基板(10)与所述簇射极板(5)之间的距离为3mm以上、10mm以下。
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公开(公告)号：CN102165570A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980137929.6
申请日：2009-08-26
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/336 , H01L21/203 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管的制造方法以及制造装置，其可在活性层不暴露在大气环境中的情况下保护该活性层不被蚀刻剂侵蚀。本发明一个实施方式所述的场效应晶体管的制造方法包括：采用溅射法在基材上(10)形成活性层(15)(IGZO膜15F)的工序，其中，该活性层具有In-Ga-Zn-O系成分；采用溅射法在上述活性层上形成阻挡层(阻挡层形成膜16F)，该阻挡层用来保护上述活性层不被蚀刻剂侵蚀；以所述阻挡层作为掩膜对上述活性层进行蚀刻加工。采用溅射法形成阻挡层时，在形成活性层后可在该活性层不暴露在大气中的情况下形成阻挡层，所以能防止大气中的水分或杂质附着在活性层的表面而引起薄膜质量变差的情况出现。
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公开(公告)号：CN101786797B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN200910129866.1
申请日：2009-03-30
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供运输方便且使用更紧凑的真空腔的处理装置。该处理装置具有真空腔，该真空腔具备：腔本体(21)，该腔本体(21)由具有形成可将基板插入的贯通孔(24)的块状多个腔部件(25)构成，在邻接的腔部件的至少一个上，沿与另一个抵接的面的贯通孔的开口部的整个周围连续设置槽(27)，各腔部件在夹着安装在槽中的密封部件(26)、分别紧靠的状态下被固定，腔本体(21)具有由多个贯通孔构成的处理空间(A)；密封处理空间的一个开口的壁面部件(22)；能开闭地塞住处理空间的另一开口的盖部件(23)，在各处理空间中具有用辐射热加热基板的加热装置(40)和分别设置在该加热装置的上下、与加热装置相对向地支持各基板(S)的一对基板支持部件(30)。
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