公开(公告)号：CN108352410A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680063644.2

申请日：2016-11-22

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 上野充 ,  清田淳也 ,  小林大士 ,  武井应树 ,  高桥一寿 ,  日高浩二 ,  川越裕 ,  武末健太郎 ,  和田优

IPC分类号： H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/203 ,  H01L21/336

CPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/203 ,  H01L29/786

摘要： 本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管，其具有：栅电极；活性层，其由含有铟、锌以及钛的氧化物构成；栅极绝缘膜，其形成在上述栅电极与上述活性层之间；以及源电极和漏电极，其与上述活性层电连接。在构成上述氧化物的铟、锌以及钛的总量中所占的各元素的原子比是，铟为24原子％以上且80原子％以下，锌为16原子％以上且70原子％以下，钛为0.1原子％以上且20原子％以下。

公开(公告)号：CN107429387B

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201680015597.4

申请日：2016-01-29

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 上野充 ,  仓田敬臣 ,  新井真 ,  清田淳也 ,  斋藤一也

IPC分类号： C23C14/56 ,  C23C14/04 ,  C23C14/24 ,  H01L21/68

摘要： 提供一种低成本且量产性较高的薄膜形成装置。在成膜室（11）的内部配置由转台构成的旋转装置（21），在对准场所（16）上进行了成膜对象物（5a、5b）的对准之后，在设于旋转装置（21）的基板支架（34a、34b）上配置进行了与掩模（4a、4b）之间的对准的成膜对象物（5a、5b），使旋转装置（21）旋转而移动到成膜场所（15）上。接着，使成膜源（22）一边释放成膜材料的微小粒子一边移动，在成膜场所（15）上的成膜对象物（5a、5b）上形成薄膜。此时，能够在对准场所（16）上配置未成膜的成膜对象物（5a、5b）并进行对位。因此，在本薄膜形成装置（10）中，有一个成膜源（22）和一个对准所需的装置即可。

公开(公告)号：CN108352410B

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201680063644.2

申请日：2016-11-22

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 上野充 ,  清田淳也 ,  小林大士 ,  武井应树 ,  高桥一寿 ,  日高浩二 ,  川越裕 ,  武末健太郎 ,  和田优

IPC分类号： H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/203 ,  H01L21/336

摘要： 本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管，其具有：栅电极；活性层，其由含有铟、锌以及钛的氧化物构成；栅极绝缘膜，其形成在上述栅电极与上述活性层之间；以及源电极和漏电极，其与上述活性层电连接。在构成上述氧化物的铟、锌以及钛的总量中所占的各元素的原子比是，铟为24原子％以上且80原子％以下，锌为16原子％以上且70原子％以下，钛为0.1原子％以上且20原子％以下。

公开(公告)号：CN111373514A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201880074511.4

申请日：2018-11-19

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 大竹文人 ,  小林大士 ,  上野充 ,  和田优 ,  松本浩一

IPC分类号： H01L21/363 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786

摘要： 本发明提供了一种氧化物半导体薄膜，其由包含In、Zn、Ti及Sn的氧化物半导体构成，(In+Sn)/(In+Zn+Ti+Sn)的原子比为0.36以上且0.92以下，Sn/(In+Sn)的原子比为0.02以上且0.46以下，Sn/(In+Zn+Ti+Sn)的原子比为0.01以上且0.42以下，Ti/(In+Zn+Ti+Sn)的原子比为0.01以上且0.10以下。

公开(公告)号：CN108350564B

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN201680063587.8

申请日：2016-12-21

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 高桥一寿 ,  日高浩二 ,  川越裕 ,  武末健太郎 ,  和田优 ,  上野充 ,  清田淳也 ,  小林大士 ,  武井应树

IPC分类号： C23C14/34 ,  C04B35/01

摘要： 本发明的一个方式所涉及的氧化物烧结体溅射靶由含有氧化铟、氧化锌、氧化钛和氧化锆的烧结体构成，钛相对于铟、锌以及钛的总和的原子比为0.1％以上且20％以下，锆相对于氧化铟、氧化锌、氧化钛以及氧化锆的总和的重量比为10ppm以上且2000ppm以下。

公开(公告)号：CN108350564A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680063587.8

申请日：2016-12-21

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 高桥一寿 ,  日高浩二 ,  川越裕 ,  武末健太郎 ,  和田优 ,  上野充 ,  清田淳也 ,  小林大士 ,  武井应树

IPC分类号： C23C14/34 ,  C04B35/01

摘要： 本发明的一个方式所涉及的氧化物烧结体溅射靶由含有氧化铟、氧化锌、氧化钛和氧化锆的烧结体构成，钛相对于铟、锌以及钛的总和的原子比为0.1％以上且20％以下，锆相对于氧化铟、氧化锌、氧化钛以及氧化锆的总和的重量比为10ppm以上且2000ppm以下。

公开(公告)号：CN107429387A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680015597.4

申请日：2016-01-29

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 上野充 ,  仓田敬臣 ,  新井真 ,  清田淳也 ,  斋藤一也

IPC分类号： C23C14/56 ,  C23C14/04 ,  C23C14/24 ,  H01L21/68

摘要： 提供一种低成本且量产性较高的薄膜形成装置。在成膜室（11）的内部配置由转台构成的旋转装置（21），在对准场所（16）上进行了成膜对象物（5a、5b）的对准之后，在设于旋转装置（21）的基板支架（34a、34b）上配置进行了与掩模（4a、4b）之间的对准的成膜对象物（5a、5b），使旋转装置（21）旋转而移动到成膜场所（15）上。接着，使成膜源（22）一边释放成膜材料的微小粒子一边移动，在成膜场所（15）上的成膜对象物（5a、5b）上形成薄膜。此时，能够在对准场所（16）上配置未成膜的成膜对象物（5a、5b）并进行对位。因此，在本薄膜形成装置（10）中，有一个成膜源（22）和一个对准所需的装置即可。