公开(公告)号：CN111373514A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201880074511.4

申请日：2018-11-19

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 大竹文人 ,  小林大士 ,  上野充 ,  和田优 ,  松本浩一

IPC: H01L21/363 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供了一种氧化物半导体薄膜，其由包含In、Zn、Ti及Sn的氧化物半导体构成，(In+Sn)/(In+Zn+Ti+Sn)的原子比为0.36以上且0.92以下，Sn/(In+Sn)的原子比为0.02以上且0.46以下，Sn/(In+Zn+Ti+Sn)的原子比为0.01以上且0.42以下，Ti/(In+Zn+Ti+Sn)的原子比为0.01以上且0.10以下。

公开(公告)号：CN104205308B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201380016736.1

申请日：2013-04-08

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 佐藤宗之 ,  竹井日出夫 ,  池田智 ,  坂尾洋介 ,  大竹文人

IPC: H01L21/3065 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/02363 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种低成本的干蚀刻方法，其可高效制造具有纹理结构的硅基板，所述的纹理结构有效发挥防止光散射的效果，并在之后工序中形成规定的薄膜时也可覆盖良好地成膜。包含第一工序，其向配置了硅基板(W)的减压下的成膜室(12)内，导入含有含氟气体、含卤气体和氧气的第一蚀刻气体，施加放电用电力蚀刻硅基板表面；以及第二工序，其向配置了已在第一工序中蚀刻完了的硅基板的、减压下的成膜室内，导入含有含氟气体的第二蚀刻气体，施加放电用电力，进一步蚀刻硅基板表面。

公开(公告)号：CN104205308A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380016736.1

申请日：2013-04-08

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 佐藤宗之 ,  竹井日出夫 ,  池田智 ,  坂尾洋介 ,  大竹文人

IPC: H01L21/3065 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/02363 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种低成本的干蚀刻方法，其可高效制造具有纹理结构的硅基板，所述的纹理结构有效发挥防止光散射的效果，并在之后工序中形成规定的薄膜时也可覆盖良好地成膜。包含第一工序，其向配置了硅基板(W)的减压下的成膜室(12)内，导入含有含氟气体、含卤气体和氧气的第一蚀刻气体，施加放电用电力蚀刻硅基板表面；以及第二工序，其向配置了已在第一工序中蚀刻完了的硅基板的、减压下的成膜室内，导入含有含氟气体的第二蚀刻气体，施加放电用电力，进一步蚀刻硅基板表面。