公开(公告)号：CN109479375A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780040084.3

申请日：2017-11-30

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 佐藤宗之 ,  森川泰宏 ,  铃木实

IPC: H05K3/26 ,  H05K3/00 ,  H05K3/46

Abstract: 本发明涉及一种布线基板的加工方法，所述布线基板包括在基板上局部配置的导体部被树脂部包覆的结构，所述树脂部是成为填料的无机材料分散于有机材料而成，所述布线基板的加工方法使用灰化法，从所述树脂部的表层侧去除所述有机材料，使用湿式清洗法，对残留于所述有机材料被去除后的树脂部的表层侧的所述无机材料进行去除。

公开(公告)号：CN109479375B

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN201780040084.3

申请日：2017-11-30

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 佐藤宗之 ,  森川泰宏 ,  铃木实

IPC: H05K3/26 ,  H05K3/00 ,  H05K3/46

Abstract: 本发明涉及一种布线基板的加工方法，所述布线基板包括在基板上局部配置的导体部被树脂部包覆的结构，所述树脂部是成为填料的无机材料分散于有机材料而成，所述布线基板的加工方法使用灰化法，从所述树脂部的表层侧去除所述有机材料，使用湿式清洗法，对残留于所述有机材料被去除后的树脂部的表层侧的所述无机材料进行去除。

公开(公告)号：CN104205308B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201380016736.1

申请日：2013-04-08

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 佐藤宗之 ,  竹井日出夫 ,  池田智 ,  坂尾洋介 ,  大竹文人

IPC: H01L21/3065 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/02363 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种低成本的干蚀刻方法，其可高效制造具有纹理结构的硅基板，所述的纹理结构有效发挥防止光散射的效果，并在之后工序中形成规定的薄膜时也可覆盖良好地成膜。包含第一工序，其向配置了硅基板(W)的减压下的成膜室(12)内，导入含有含氟气体、含卤气体和氧气的第一蚀刻气体，施加放电用电力蚀刻硅基板表面；以及第二工序，其向配置了已在第一工序中蚀刻完了的硅基板的、减压下的成膜室内，导入含有含氟气体的第二蚀刻气体，施加放电用电力，进一步蚀刻硅基板表面。

公开(公告)号：CN104205308A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380016736.1

申请日：2013-04-08

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 佐藤宗之 ,  竹井日出夫 ,  池田智 ,  坂尾洋介 ,  大竹文人

IPC: H01L21/3065 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/02363 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种低成本的干蚀刻方法，其可高效制造具有纹理结构的硅基板，所述的纹理结构有效发挥防止光散射的效果，并在之后工序中形成规定的薄膜时也可覆盖良好地成膜。包含第一工序，其向配置了硅基板(W)的减压下的成膜室(12)内，导入含有含氟气体、含卤气体和氧气的第一蚀刻气体，施加放电用电力蚀刻硅基板表面；以及第二工序，其向配置了已在第一工序中蚀刻完了的硅基板的、减压下的成膜室内，导入含有含氟气体的第二蚀刻气体，施加放电用电力，进一步蚀刻硅基板表面。