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公开(公告)号：CN101080509B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200680001385.7
申请日：2006-07-12
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/0068 , C23C14/3407 , C23C14/352 , C23C14/568 , H01J37/32752 , H01J37/3408 , H01J37/3426 , H01L51/5206 , H01L2251/5315
Abstract: 形成一种电阻值小，透过率高，对下层的有机EL膜不造成伤害的透明导电膜。在平行隔开有间隔而配置的第1、第2靶材(21a、21b)的间隙，与成膜对象物(5)的搬送路径(14)之间设置遮蔽板(31)，使通过形成于遮蔽板(31)的放出孔(32)的溅镀粒子到达成膜对象物(5)。倾斜入射的溅镀粒子是被遮蔽板(31)所遮蔽，而形成低电阻且高透过率的透明导电膜。
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公开(公告)号：CN101080509A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200680001385.7
申请日：2006-07-12
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/0068 , C23C14/3407 , C23C14/352 , C23C14/568 , H01J37/32752 , H01J37/3408 , H01J37/3426 , H01L51/5206 , H01L2251/5315
Abstract: 形成一种电阻值小，透过率高，对下层的有机EL膜不造成伤害的透明导电膜。在平行隔开有间隔而配置的第1、第2靶材(21a、21b)的间隙，与成膜对象物(5)的搬送路径(14)之间设置遮蔽板(31)，使通过形成于遮蔽板(31)的放出孔(32)的溅镀粒子到达成膜对象物(5)。倾斜入射的溅镀粒子是被遮蔽板(31)所遮蔽，而形成低电阻且高透过率的透明导电膜。
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公开(公告)号：CN101861640B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN200880116198.2
申请日：2008-11-13
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3065 , H01L31/04 , H01L33/00
CPC classification number: H05K3/381 , H01L31/02363 , H01L33/24 , H05K2201/0212 , H05K2203/095 , Y02E10/50 , Y10T428/24479
Abstract: 本发明提供一种可减少工序的数量并在基板表面上形成凹凸结构的基板处理方法。在本发明的基板处理方法中，在基板(10)的表面(10s)上分散粒子(11)，以粒子为掩膜对基板的表面进行蚀刻处理并在基板的表面上形成凹凸结构，与此同时，通过上述蚀刻处理除去掩膜(11)。若采用上述基板处理方法，不需要在形成凹凸结构(12)后再从基板表面(10s)上除去掩膜(11)的工序。所以该方法可以大幅减少在基板表面上形成凹凸结构时所需的工序的数量，从而能够大幅提高生产效率。
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公开(公告)号：CN100449652C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200480001692.6
申请日：2004-12-17
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C26/00 , G02F1/13439 , H05K1/092
Abstract: 把含有选自铟、锡、锑、铝及锌的金属微粒，这些金属的二种以上的金属组成的合金微粒，或这些微粒的混合物的分散液涂布在基材上后，在真空气氛、惰性气体气氛、还原性气氛中进行烧成，然后，在氧化性气氛中进行烧成。在该氧化性气氛中烧成后，还可以再在还原性气氛中进行烧成。惰性气体气氛是选自稀有气体、二氧化碳及氮的气体的气氛，还原性气氛是选自氢、一氧化碳及低级醇的气体的气氛。由采用上述方法形成的透明导电膜构成的透明电极。采用低温烧成形成具有低电阻且高透过率的透明导电膜。
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公开(公告)号：CN104205308B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201380016736.1
申请日：2013-04-08
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3065 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/02363 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种低成本的干蚀刻方法，其可高效制造具有纹理结构的硅基板，所述的纹理结构有效发挥防止光散射的效果，并在之后工序中形成规定的薄膜时也可覆盖良好地成膜。包含第一工序，其向配置了硅基板(W)的减压下的成膜室(12)内，导入含有含氟气体、含卤气体和氧气的第一蚀刻气体，施加放电用电力蚀刻硅基板表面；以及第二工序，其向配置了已在第一工序中蚀刻完了的硅基板的、减压下的成膜室内，导入含有含氟气体的第二蚀刻气体，施加放电用电力，进一步蚀刻硅基板表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104205308A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380016736.1
申请日：2013-04-08
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3065 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/02363 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种低成本的干蚀刻方法，其可高效制造具有纹理结构的硅基板，所述的纹理结构有效发挥防止光散射的效果，并在之后工序中形成规定的薄膜时也可覆盖良好地成膜。包含第一工序，其向配置了硅基板(W)的减压下的成膜室(12)内，导入含有含氟气体、含卤气体和氧气的第一蚀刻气体，施加放电用电力蚀刻硅基板表面；以及第二工序，其向配置了已在第一工序中蚀刻完了的硅基板的、减压下的成膜室内，导入含有含氟气体的第二蚀刻气体，施加放电用电力，进一步蚀刻硅基板表面。
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公开(公告)号：CN101432080B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN200780015757.6
申请日：2007-04-20
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: B41J29/17 , B41J2/16532 , B41J2/16585 , B41J29/377
Abstract: 提供一种不会向涂敷层混入灰尘的印刷装置。本申请的印刷装置(1)具有第一喷出头(40)和印刷头(30)，第一喷出头(40)位于比印刷头(30)还靠移动方向(D)的前方侧。在向印刷对象物(5)射着墨水前，从第一喷出头(40)吹送除静电气体而对印刷对象物(5)进行静电除去，并除去灰尘，所以在涂敷层(12)中不会混入灰尘。此外，在喷出孔(46)和喷嘴区域(32)之间配置吸引孔(47)，在喷嘴区域(32)中不会发生除静电气体的气流，所以喷嘴(35)的弯液面也不会被破坏。
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公开(公告)号：CN101861640A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200880116198.2
申请日：2008-11-13
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3065 , H01L31/04 , H01L33/00
CPC classification number: H05K3/381 , H01L31/02363 , H01L33/24 , H05K2201/0212 , H05K2203/095 , Y02E10/50 , Y10T428/24479
Abstract: 本发明提供一种可减少工序的数量并在基板表面上形成凹凸结构的基板处理方法。在本发明的基板处理方法中，在基板(10)的表面(10s)上分散粒子(11)，以粒子为掩膜对基板的表面进行蚀刻处理并在基板的表面上形成凹凸结构，与此同时，通过上述蚀刻处理除去掩膜(11)。若采用上述基板处理方法，不需要在形成凹凸结构(12)后再从基板表面(10s)上除去掩膜(11)的工序。所以该方法可以大幅减少在基板表面上形成凹凸结构时所需的工序的数量，从而能够大幅提高生产效率。
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公开(公告)号：CN101432080A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780015757.6
申请日：2007-04-20
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: B41J29/17 , B41J2/16532 , B41J2/16585 , B41J29/377
Abstract: 提供一种不会向涂敷层混入灰尘的印刷装置。本申请的印刷装置(1)具有第一喷出头(40)和印刷头(30)，第一喷出头(40)位于比印刷头(30)还靠移动方向(D)的前方侧。在向印刷对象物(5)射着墨水前，从第一喷出头(40)吹送除静电气体而对印刷对象物(5)进行静电除去，并除去灰尘，所以在涂敷层(12)中不会混入灰尘。此外，在喷出孔(46)和喷嘴区域(32)之间配置吸引孔(47)，在喷嘴区域(32)中不会发生除静电气体的气流，所以喷嘴(35)的弯液面也不会被破坏。
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公开(公告)号：CN1723510A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200480001692.6
申请日：2004-12-17
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C26/00 , G02F1/13439 , H05K1/092
Abstract: 把含有选自铟、锡、锑、铝及锌的金属微粒，这些金属的二种以上的金属组成的合金微粒，或这些微粒的混合物的分散液涂布在基材上后，在真空气氛、惰性气体气氛、还原性气氛中进行烧成，然后，在氧化性气氛中进行烧成。在该氧化性气氛中烧成后，还可以再在还原性气氛中进行烧成。惰性气体气氛是选自稀有气体、二氧化碳及氮的气体的气氛，还原性气氛是选自氢、一氧化碳及低级醇的气体的气氛。由采用上述方法形成的透明导电膜构成的透明电极。采用低温烧成形成具有低电阻且高透过率的透明导电膜。
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